SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT16VDDF12864HY-335D2 Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HY-335D2 -
RFQ
ECAD 3030 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT9KSF25672PZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT9KSF25672PZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 2452 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2 гр 1600
MT8HTF6464HY-40EB3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HY-40EB3 -
RFQ
ECAD 1295 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT9HTF6472KY-40EB2 Micron Technology Inc. MT9HTF6472KY-40EB2 -
RFQ
ECAD 6848 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 244-Minirdimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT16VDDT6464AY-40BG6 Micron Technology Inc. MT16VDDT6464AY-40BG6 -
RFQ
ECAD 6360 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MT18HVF25672PZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT18HVF25672PZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 5619 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MT18KSF51272HZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272HZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 5892 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 204-Sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
MTA8ATF1G64AZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 4316 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT9VDDT6472PHG-335J1 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472PHG-335J1 -
RFQ
ECAD 9519 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MT8VDDT6464HY-335F3 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464HY-335F3 -
RFQ
ECAD 1193 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 200-sodimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
MTA18ASF4G72PDZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72PDZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 4041 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 557-MTA18ASF4G72PDZ-3G2E1 Управо 1 DDR4 SDRAM 32 gb 3200
MT4LSDT864HG-13EG2 Micron Technology Inc. MT4LSDT864HG-13EG2 -
RFQ
ECAD 1660 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 144-Sodimm Mt4lsdt СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 64 марта 133
MTFDDAK240TDS-1AW1ZABBA Micron Technology Inc. MTFDDAK240TDS-1AW1ZABBA -
RFQ
ECAD 3618 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - 5 В, 12 В. - DOSTISH 557-MTFDDAK240TDS-1AW1ZABBA Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 240 2.5 " 540 мБ/с 310 мБ/с -
MTFDCAE001SAF-1D1IT Micron Technology Inc. MTFDCAE001SAF-1D1IT -
RFQ
ECAD 4650 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ МАССА Пркрэно Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 150 Flash - nand (SLC) 1 год -
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2 Micron Technology Inc. MTA18ADF4G72AZ-2G6B2 -
RFQ
ECAD 6453 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-й MTA18 СКАХАТА 557-MTA18ADF4G72AZ-2G6B2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
MTFDDAK7T6TDC-1AT16ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK7T6TDC-1AT16ABYY -
RFQ
ECAD 6915 0,00000000 Micron Technology Inc. 5200 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 5 В, 12 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 7,68т 2.5 " 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT9HTF12872KY-53EA2 Micron Technology Inc. MT9HTF12872KY-53EA2 -
RFQ
ECAD 9061 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MT18KSF1G72PZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72PZ-1G6N1 -
RFQ
ECAD 6916 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
MT18HTF12872FDY-53EB5D3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872FDY-53EB5D3 -
RFQ
ECAD 7245 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 533
MTFDDAK2T0TBN-1AR1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK2T0TBN-1AR1ZABYY -
RFQ
ECAD 7877 0,00000000 Micron Technology Inc. 1100 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III MTFDDAK2 1,98 Унигии (56 Г) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 2 2.5 " 530 мБ/с 500 мБ/с -
MT18HVF25672PDZ-80EH1 Micron Technology Inc. MT18HVF25672PDZ-80EH1 -
RFQ
ECAD 4963 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 2 гр 800
MT4LSDT1664AY-13ED1 Micron Technology Inc. MT4LSDT1664AY-13ED1 -
RFQ
ECAD 6554 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 168 лет Mt4lsdt СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 128 мБ 133
MT9VDDT6472AG-40BD1 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472AG-40BD1 -
RFQ
ECAD 6216 0,00000000 Micron Technology Inc. - Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1138 Ear99 8473.30.1140 1 DDR SDRAM 512 мБ 200
MT9HTF6472KY-40EB1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472KY-40EB1 -
RFQ
ECAD 3166 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 37.2450
RFQ
ECAD 3574 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Поднос Актифен 260-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
MT18VDDF12872DG-40BD3 Micron Technology Inc. MT18VDDF12872DG-40BD3 -
RFQ
ECAD 4866 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MT18JSF1G72AZ-1G6D1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72AZ-1G6D1 -
RFQ
ECAD 6630 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MTFDDAK128MAM-1J12 Micron Technology Inc. MTFDDAK128MAM-1J12 -
RFQ
ECAD 9441 0,00000000 Micron Technology Inc. C400 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,50 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3A991B1A 8471.70.9000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 128 gb 2.5 " 500 мБ/с 175 мБ/с -
MTA36ASF2G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA36ASF2G72PZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 8273 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8471.70.9000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2400
MT9KSF51272PZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT9KSF51272PZ-1G4E1 -
RFQ
ECAD 5350 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4 гб 1333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе