SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
MT9VDDT6472Y-265D2 Micron Technology Inc. MT9VDDT6472Y-265D2 -
RFQ
ECAD 4638 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 266
MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABYY Micron Technology Inc. Mtfdkba2t0tgd-1bk15abyy -
RFQ
ECAD 4569 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен - DOSTISH 557-MTFDKBA2T0TGD-1BK15ABYY 1
MT18HTF6472DY-40EB2 Micron Technology Inc. MT18HTF6472DY-40EB2 -
RFQ
ECAD 1131 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 400
MT18KDF51272PDZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272PDZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 2820 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MT18LSDT6472Y-13ED2 Micron Technology Inc. MT18LSDT6472Y-13ED2 -
RFQ
ECAD 1294 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 168-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 512 мБ 133
MTFDKBA1T0TFH-1BC1AABYY Micron Technology Inc. Mtfdkba1t0tfh-1bc1aabyy 188.1800
RFQ
ECAD 37 0,00000000 Micron Technology Inc. 3400 МАССА Прохл - - - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDKBA1T0TFH-1BC1AABYY 3A991B1A 8471.70.9000 180 - 1 М.2 Модуль - - -
MT18KDF2G72AZ-1G6A1 Micron Technology Inc. MT18KDF2G72AZ-1G6A1 -
RFQ
ECAD 8946 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MTFDDAC050SAL-1N1AA Micron Technology Inc. MTFDDAC050SAL-1N1AA -
RFQ
ECAD 2438 0,00000000 Micron Technology Inc. Realssd ™ Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,20 мм x 69,85 мм х 9,50 мм SATA III 3,53 Унигии (100,07 g) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 50 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (slc) 50 gb 2.5 " 2,5 мБ/с 1,8 мБ/с -
MT9HVF6472PY-667D1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PY-667D1 -
RFQ
ECAD 3117 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
MT36KDS2G72PZ-1G6N1 Micron Technology Inc. MT36KDS2G72PZ-1G6N1 400.3800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH MT36KDS2G72PZ-1G6N1KG Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 16 гр 1600
MTA001A16BA-005 Micron Technology Inc. MTA001A16BA-005 -
RFQ
ECAD 7975 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - 557-MTA001A16BA-005 Управо 1 - - -
MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYY Micron Technology Inc. Mtfdkba2t0qfm-1bd1aabyy 306.0000
RFQ
ECAD 5418 0,00000000 Micron Technology Inc. 7450 Коробка Актифен - - Nvme - - - 1 (neograniчennnый) 557-MTFDKBA2T0QFM-1BD1AABYY 1 TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (qlc) 2 М.2 Модуль 4,5 -gb/s 4 гб/с -
MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64AZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 4572 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-й - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MT9HVF3272PKY-667B1 Micron Technology Inc. MT9HVF3272PKY-667B1 96.9082
RFQ
ECAD 7102 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 667
MT16VDDT12864AY-40BF2 Micron Technology Inc. MT16VDDT12864AY-40BF2 -
RFQ
ECAD 8406 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 184-Udimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 400
MT8HTF6464HDY-53ED3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HDY-53ED3 -
RFQ
ECAD 6259 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 533
MT16LSDF3264HG-133G4 Micron Technology Inc. MT16LSDF3264HG-133G4 -
RFQ
ECAD 4578 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 144-Sodimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 256 мБ 133
MTFDDAV1T9TDS-1AW16TAYY Micron Technology Inc. Mtfddav1t9tds-1AW16tayy -
RFQ
ECAD 6157 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,80 мм SATA III - 3,3 В. - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAV1T9TDS-1AW16TAYY Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1,92 М.2 Модуль 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT9LSDT6472AG-133C1 Micron Technology Inc. MT9LSDT6472AG-133C1 288.8431
RFQ
ECAD 5205 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 168 лет СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 512 мБ 133
MTA001C00BA-003 Micron Technology Inc. MTA001C00BA-003 -
RFQ
ECAD 4202 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - 557-MTA001C00BA-003 Управо 1 - - -
MTFDDAV960TDS-1AW1ZTAYY TR Micron Technology Inc. MTFDDAV960TDS-1AW1ZTAYY TR -
RFQ
ECAD 8592 0,00000000 Micron Technology Inc. 5300 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,80 мм SATA III - 3,3 В. - DOSTISH 557-MTFDDAV960TDS-1AW1ZTAYYTR Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 960 gb М.2 Модуль 540 мБ/с 520 мБ/с -
MT18KSF51272PZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 7618 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MTA001A08BA-002 Micron Technology Inc. MTA001A08BA-002 -
RFQ
ECAD 7684 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 - - -
MTFDHBA512TCK-1AS1AABGA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS1AABGA 141.8400
RFQ
ECAD 9955 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Актифен - - Nvme MTFDHBA512 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTA9ADF1G72PKIZ-2G6B1 Micron Technology Inc. MTA9ADF1G72PKIZ-2G6B1 -
RFQ
ECAD 6441 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 288-Minirdimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2666
MT9VDVF6472Y-40BJ1 Micron Technology Inc. MT9VDVF6472Y-40BJ1 -
RFQ
ECAD 3627 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR SDRAM 512 мБ 400
MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G9E1 115 6500
RFQ
ECAD 4453 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Прохл - MTA18 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр
MT9JSF51272AZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT9JSF51272AZ-1G9P1 -
RFQ
ECAD 4780 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1866
MTA18ASF1G72PDZ-2G1A1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PDZ-2G1A1 -
RFQ
ECAD 6733 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 288-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT4LSDT464HG-133G4 Micron Technology Inc. MT4LSDT464HG-133G4 22.4283
RFQ
ECAD 2158 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 144-Sodimm Mt4lsdt СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 SDRAM 32 мБ 133
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе