SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Размер / Размер Тип Функции Базовый номер продукта Цвет Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Ток - Макс. Длина волны Высота Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Текущий — Тест Угол обзора ЦКТ (К) Световой поток при силе тока/температуры Температура - Тест Люмен/Ватт@ток — тест CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES) Тип объектива
SI-N9T1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-N9T1312B0WW -
запросить цену
ECAD 8439 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. СЛЭ-013 Поднос Устаревший Диаметр 50,00 мм Светодиодный модуль - СИ-Н9Т Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS Непригодный 1510-1672 гг. УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 400 Круглый 350 мА - 6,10 мм 33,5 В 250 мА 115° 4000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама 1050 лм (тип.) 75°С 125 лм/Вт 90 Диаметр 13,50 мм Плоский
SPHWHAHDNF2VYZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF2VYZU2D2 2,6550
запросить цену
ECAD 7979 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF2 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2222 лм (тип.) 85°С 119 лм/Вт - Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNF25YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZT3DB 4.0800
запросить цену
ECAD 179 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF25 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNF25YZT3DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,08А - 1,50 мм 34В 540 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2996 лм (тип.) 85°С 163 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8T11225001 Samsung Semiconductor, Inc. СИ-Б8Т11225001 -
запросить цену
ECAD 7887 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. Палец-SQ30B Коробка Устаревший 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 900 мА - 5,80 мм 15,3 В 700 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1500 лм (тип.) 35°С 140 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWW1HDN945YHW3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN945YHW3B3 -
запросить цену
ECAD 8648 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC008B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1750 г. Квадрат 430 мА - 1,50 мм 35,5 В 240 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1239 лм (1114 ~ 1364 лм) 25°С 145 лм/Вт 80 Диаметр 8,00 мм Плоский
SPHWHAHDNA27YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZV3D4 1,6400
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNA27 Белый, Теплый скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHAHDNA27YZV3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 230 мА - 1,65 мм 33,6 В 90 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 443 лм (тип.) 85°С 146 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWW1HDNA27YHW31F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA27YHW31F -
запросить цену
ECAD 2738 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC013B Поднос Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 660 мА - 1,50 мм 35,5 В 360 мА 115° 2700К 1290 лм (1060 лм ~ 1520 лм) 25°С 101 лм/Вт 90 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWHAHDNM251ZU3T9 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNM251ZU3T9 -
запросить цену
ECAD 5261 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC080D Поднос Устаревший 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNM251 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1280 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 52В 1,62А 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 11533лм (тип.) 85°С 137 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SI-B8R051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R051280US 6.8800
запросить цену
ECAD 334 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-Q282A Поднос Активный 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный двигатель - СИ-Б8 Белый, Холодный скачать Непригодный 1510-2284 EAR99 8541.41.0000 400 Линейная световая полоса - - 5,80 мм 11В 450 мА - 5000К 1000 лм (тип.) 40°С 202 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8V09626001 Samsung Semiconductor, Inc. СИ-Б8В09626001 -
запросить цену
ECAD 1720 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. Палец-SQ32B Поднос Устаревший 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15:10-12:31 EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 600 мА - 5,80 мм 24В 385 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1310лм (1183~1437лм) 35°С 142 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNC27YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZT3DB 2.4200
запросить цену
ECAD 495 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC27 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHAHDNC27YZT3DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 540 мА - 1,50 мм 34В 270 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1285 лм (тип.) 85°С 140 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZU2D2 2,3229
запросить цену
ECAD 7855 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2539 лм (тип.) 85°С 136 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8T101560US Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T101560US 11.6000
запросить цену
ECAD 70 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-Q562A Поднос Активный 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный двигатель - СИ-Б8 Белый, Нейтральный скачать Непригодный 1510-2287 EAR99 8541.41.0000 336 Линейная световая полоса - - 5,80 мм 21,9 В 450 мА - 4000К 2000 лм (тип.) 40°С 203 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNK2VYZTVD2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK2VYZTVD2 5,8613
запросить цену
ECAD 3910 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK2 Белый, Нейтральный скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34,6 В 1,08А 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 4768 лм (тип.) 85°С 128 лм/Вт - Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWW1HDNA25YHW31D Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA25YHW31D -
запросить цену
ECAD 8176 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC013B Gen2 Поднос Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-2020 EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 660 мА - 1,60 мм 35,5 В 360 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1800лм (1700лм ~ 1900лм) 25°С 141 лм/Вт 80 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWW1HDNA27YHV21F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA27YHV21F -
запросить цену
ECAD 8747 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC013B Коробка Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 660 мА - 1,60 мм 35,5 В 360 мА 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1675лм (1400~1950лм) 25°С 131 лм/Вт 80 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWHAHDNA25YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA25YZR3D4 1,6400
запросить цену
ECAD 499 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNA25 Белый, Холодный скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHAHDNA25YZR3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 230 мА - 1,65 мм 33,6 В 90 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 549 лм (тип.) 85°С 182 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZW3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZW3DC 2.0400
запросить цену
ECAD 240 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPWHHAHDNB25YZW3DC EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 360 мА - 1,50 мм 33,7 В 180 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 945 лм (тип.) 85°С 155 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8R111560WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8R111560WW -
запросить цену
ECAD 3734 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-М562А Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15:10-11:05 EAR99 8541.41.0000 280 Линейная световая полоса 450 мА - 5,80 мм 24,7 В 450 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1580 лм (тип.) 50°С 142 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8T09528001 Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T09528001 -
запросить цену
ECAD 3549 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛАМ-РТ32Б Коробка Устаревший 273,00 мм Д x 216,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15:10-11:13 EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 600 мА - 6,60 мм 24В 385 мА 145° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1320 лм (тип.) 35°С 143 лм/Вт 80 - Куполообразный
SPHWW1HDNE2VYHT34J Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE2VYHT34J -
запросить цену
ECAD 1285 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040B Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) 15.10-21.16 EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,9 А - 1,50 мм 35,5 В - 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 4541лм (3996~5086лм) 25°С - - Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWH2HDNC05YHW2C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNC05YHW2C1 3,6841
запросить цену
ECAD 4324 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC020C Поднос Не для новых дизайнов 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWH2 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 624 Прямоугольник 810мА - 1,50 мм 34,5 В 540 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2140 лм (тип.) 85°С 115 лм/Вт 80 Диаметр 8,00 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZW3H9 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZW3H9 -
запросить цену
ECAD 7383 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC019D Поднос Устаревший 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1942 гг. EAR99 8541.41.0000 1600 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2104лм (тип.) 85°С 113 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZW3D2 2,5401
запросить цену
ECAD 5605 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2336 лм (тип.) 85°С 125 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWW1HDNE25YHV34J Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE25YHV34J -
запросить цену
ECAD 2881 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040B Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,62А - 1,50 мм 35,5 В 1,08А 115° 3000К 4533лм (3810лм ~ 5255лм) 25°С 118 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZT2D3 0,9372
запросить цену
ECAD 3511 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Нейтральный скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34В 180 мА 115° 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1043 лм (тип.) 85°С 170 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWW1HDND25YHU3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHU3B3 -
запросить цену
ECAD 4473 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC033B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1050 Квадрат 1,62А - 1,50 мм 35,5 В 900 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 5273 лм (4915 лм ~ 5630 лм) 25°С 165 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWW1HDNA28YHV31E Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA28YHV31E -
запросить цену
ECAD 3012 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC013B Коробка Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 660 мА - 1,60 мм 35,5 В 360 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1369лм (1232~1506лм) 25°С 107 лм/Вт 95 Диаметр 11,00 мм Плоский
SL-B7TANB0L2WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B7TANB0L2WW 64.1100
запросить цену
ECAD 34 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. - Масса Активный Диаметр 254,00 мм Светодиодный модуль - SL-B7TANB0 Белый, Нейтральный скачать 1 (без блокировки) 1510-SL-B7TANB0L2WW EAR99 8541.41.0000 40 Круглый 3,63А - 5,80 мм 45,1 В 3,3А 120° 4000К 5-ступенчатый эллипс МакАдама 25700 лм (тип.) 70°С 173 лм/Вт 70 - Плоский
SPHWW1HDNE27YHU2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE27YHU2B3 -
запросить цену
ECAD 8984 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1050 Квадрат 1,9 А - 1,50 мм 35,5 В 1,08А 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4963лм (4336лм ~ 5589лм) 25°С 129 лм/Вт 90 Диаметр 17,00 мм Плоский
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе