SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Размер / Размер Тип Функции Базовый номер продукта Цвет Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Ток - Макс. Длина волны Высота Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Текущий — Тест Угол обзора ЦКТ (К) Световой поток при силе тока/температуры Температура - Тест Люмен/Ватт@ток — тест CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES) Тип объектива
SPHWW1HDN947YHU2FG Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN947YHU2FG -
запросить цену
ECAD 7735 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC008B Коробка Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 672 Квадрат 430 мА - 1,50 мм 36,5 В 240 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1050лм (929~1171лм) 25°С 120 лм/Вт 90 Диаметр 8,00 мм Плоский
SPHWHAHDNC25YZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZU3D3 1,3282
запросить цену
ECAD 3625 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34В 270 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1519 лм (тип.) 85°С 165 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNL251ZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNL251ZV2D2 6.3902
запросить цену
ECAD 1532 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNL251 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 52В 1,08А 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 8542лм (тип.) 85°С 152 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWW1HDNC27YHV22F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC27YHV22F -
запросить цену
ECAD 5010 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026B Коробка Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,3А - 1,50 мм 35,5 В 720 мА 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2785лм (2285лм ~ 3285лм) 25°С 109 лм/Вт 90 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDNE25YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZW3DB 3.5300
запросить цену
ECAD 250 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNE25YZW3DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 900 мА - 1,50 мм 34В 450 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2305 лм (тип.) 85°С 151 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNF25YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZV3D2 2,5401
запросить цену
ECAD 2893 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2877 лм (тип.) 85°С 154 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDND25YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZU3DC 3.1200
запросить цену
ECAD 493 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDND25YZU3DC EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 720 мА - 1,50 мм 33,7 В 360 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2020лм (тип.) 85°С 167 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZW2DB 0,6413
запросить цену
ECAD 9233 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNB25YZW2DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 360 мА - 1,50 мм 34В 180 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 928 лм (тип.) 85°С 152 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8U15156CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U15156CWW 5.8200
запросить цену
ECAD 263 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-V562B Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS Непригодный 15.10-21.31 EAR99 8541.41.0000 280 Линейная световая полоса 720 мА - 5,50 мм 25,4 В 630 мА 120° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2109лм (тип.) 50°С 132 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNM251ZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNM251ZU3DB 7.0538
запросить цену
ECAD 8519 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNM251 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNM251ZU3DB EAR99 8541.41.0000 160 Квадрат 3,24А - 1,50 мм 51,1 В 1,62А 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 12852 лм (тип.) 85°С 155 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNC27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZW3DB 2.4200
запросить цену
ECAD 420 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHHAHDNC27YZW3DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 540 мА - 1,50 мм 34В 270 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1158 лм (тип.) 85°С 126 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNG25YZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZR3D3 3,5681
запросить цену
ECAD 6675 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG25 Белый, Холодный скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,84А - 1,50 мм 34В 720 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 4147 лм (тип.) 85°С 169 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNC25YZV3H2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZV3H2 -
запросить цену
ECAD 3981 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC009D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1875 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34,6 В 270 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1278 лм (тип.) 85°С 137 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8U10128001 Samsung Semiconductor, Inc. СИ-Б8У10128001 -
запросить цену
ECAD 8494 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. Палец-RT64B Поднос Устаревший 230,00 мм Д x 273,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый - Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 1,6А - 6,70 мм 12 В 700 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1320 лм (тип.) 35°С 157 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8T103560EU Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T103560EU -
запросить цену
ECAD 6238 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. вопрос Поднос Активный 560,00 мм Д x 24,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Нейтральный скачать Непригодный 1510-SI-B8T103560EU EAR99 8541.41.0000 40 Линейная световая полоса 360 мА - 5,20 мм 54,8 В 180 мА 115° 4000К 2000 лм 40°С 203 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNB25YZV3F3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZV3F3 -
запросить цену
ECAD 2829 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1856 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34,6 В 180 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 875 лм (тип.) 85°С 141 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZU3DC 2.0400
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNB25YZU3DC EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 360 мА - 1,50 мм 33,7 В 180 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1021 лм (тип.) 85°С 167 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8U051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U051280US 7.0200
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-Q282A Поднос Активный 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный двигатель - СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Непригодный 1510-2282 EAR99 8541.41.0000 400 Линейная световая полоса - - 5,80 мм 11В 450 мА - 3500К 975 лм (тип.) 40°С 197 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNC25YZU2H2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZU2H2 -
запросить цену
ECAD 2583 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC009D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1872 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34,6 В 270 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1315 лм (тип.) 85°С 141 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNK28YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK28YZW2D2 4.4532
запросить цену
ECAD 3632 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK28 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34,6 В 1,08А 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 3760 лм (тип.) 85°С 101 лм/Вт - Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWW1HDN825YHT3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN825YHT3B3 -
запросить цену
ECAD 8089 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1750 г. Квадрат 320 мА - 1,50 мм 35,5 В 180 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 983 лм (887 ~ 1079 лм) 25°С 154 лм/Вт 80 Диаметр 8,00 мм Плоский
SI-B8R09B280WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8R09B280WW -
запросить цену
ECAD 5418 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-Р286А Поднос Устаревший 280,00 мм Д x 55,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный - Соответствует RoHS Непригодный 1510-1638 гг. EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 540 мА - 7,40 мм 32,3 В 290 мА 115° 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама 1545лм (1390лм ~ 1700лм) 50°С 165 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWW1HDNB25YHV31H Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNB25YHV31H 3,6262
запросить цену
ECAD 5952 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC019B Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-2034 гг. EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 980 мА - 1,50 мм 35,5 В 540 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2906лм (2819~2992лм) 25°С 152 лм/Вт 80 Диаметр 12,40 мм Плоский
SI-B8R342B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8R342B2CUS 12.2800
запросить цену
ECAD 588 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. V-серия Gen2 Поднос Устаревший 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Холодный скачать Непригодный 1510-SI-B8R342B2CUS EAR99 8541.41.0000 200 Линейная световая полоса 900 мА - 5,50 мм 46,4 В 700 мА - 5000К 5690 лм (тип.) 50°С 175 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNF28YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF28YZT3D2 2,5640
запросить цену
ECAD 8340 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF28 Белый, Нейтральный скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2121лм (тип.) 85°С 114 лм/Вт - Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNC27YZU2H0 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZU2H0 -
запросить цену
ECAD 9236 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC009D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1880 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34,6 В 270 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1122 лм (тип.) 85°С 120 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDND25YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZW2D2 1,5196
запросить цену
ECAD 2353 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 920 мА - 1,50 мм 34,6 В 360 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1764 лм (тип.) 85°С 142 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNE25YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZV3D2 2,1675
запросить цену
ECAD 5596 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,15 А - 1,50 мм 34,6 В 450 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2423 лм (тип.) 85°С 156 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHCW1HDNA25YHR31F Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNA25YHR31F -
запросить цену
ECAD 6511 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC013B Коробка Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHCW1 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 660 мА - 1,60 мм 35,5 В 360 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1680 лм (1440 лм ~ 1920 лм) 25°С 131 лм/Вт 80 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWHAHDNH25YZW3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNH25YZW3D3 4,0475
запросить цену
ECAD 8698 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNH25 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 2,3А - 1,50 мм 34В 900 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 4612 лм (тип.) 85°С 151 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе