SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Размер / Размер Тип Функции Базовый номер продукта Цвет Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Ток - Макс. Длина волны Высота Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Текущий — Тест Угол обзора ЦКТ (К) Световой поток при силе тока/температуры Температура - Тест Люмен/Ватт@ток — тест CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES) Тип объектива
SL-B8R4N80L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8R4N80L1WW -
запросить цену
ECAD 3633 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. inFlux_S04 Поднос Устаревший 279,60 мм Д x 39,60 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом SL-B8R4 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS Непригодный 15.10-13.44 EAR99 8541.41.0000 160 Линейная световая полоса 1,38А - 5,90 мм 24,1 В 1,38А 115° 5000К 4690 лм (тип.) 65°С 141 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDND25YZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZU2D3 1,6148
запросить цену
ECAD 2610 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 920 мА - 1,50 мм 34В 360 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1996фильм (тип.) 85°С 163 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZP3F7 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZP3F7 -
запросить цену
ECAD 2197 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1848 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34,6 В 180 мА 115° 6500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 918 лм (тип.) 85°С 147 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNH27YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNH27YZU2D2 3,5812
запросить цену
ECAD 3670 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNH27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 2,3А - 1,50 мм 34,6 В 900 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4096 лм (тип.) 85°С 132 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNC27YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZU3D4 3.3200
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC27 Белый, Теплый скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHHAHDNC27YZU3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 690мА - 1,65 мм 33,6 В 270 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1349 лм (тип.) 85°С 149 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWW1HDNC27YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC27YHW2B3 -
запросить цену
ECAD 8396 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1050 Квадрат 1,3А - 1,50 мм 35,5 В 720 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 3250 лм (2815 ~ 3685 лм) 25°С 127 лм/Вт 90 Диаметр 17,00 мм Плоский
SI-N8U2612B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8U2612B0WW -
запросить цену
ECAD 3310 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. СЛЭ-026 Поднос Устаревший Диаметр 50,00 мм Чип на плате (COB) С разъемом СИ-Н8У Белый, Теплый - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1510-1243 гг. EAR99 8542.39.0001 400 Круглый 700 мА - 6,10 мм 33,5 В 500 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2450 лм (тип.) 75°С 146 лм/Вт 80 Диаметр 19,00 мм Плоский
SPHWHAHDNM251ZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNM251ZT3D2 9,9642
запросить цену
ECAD 7210 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNM251 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 4,14А - 1,50 мм 52В 1,62А 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 13123лм (тип.) 85°С 156 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWW1HDNC2VYHT32J Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC2VYHT32J -
запросить цену
ECAD 6150 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026B Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-2066 гг. EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,3А - 1,50 мм 35,5 В - 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3154 лм (2775 ~ 3532 лм) 25°С - - Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDND25YZP3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZP3D3 1,6518
запросить цену
ECAD 1979 год 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Холодный скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 920 мА - 1,50 мм 34В 360 мА 115° 6500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2036 лм (тип.) 85°С 166 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDND25YZU2H6 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZU2H6 -
запросить цену
ECAD 9764 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC013D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1891 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 920 мА - 1,50 мм 34,6 В 360 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1725 лм (тип.) 85°С 138 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8T031070WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T031070WW -
запросить цену
ECAD 8044 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-H072A Коробка Устаревший 70,00 мм Д x 24,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.41.0000 1500 Линейная световая полоса 360 мА - 5,80 мм 9,5 В 300 мА - 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 370 лм (тип.) 50°С 130 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8U14156LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U14156LWW 8,6758
запросить цену
ECAD 1979 год 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-S562L Поднос Не для новых дизайнов 559,70 мм Д x 23,80 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 224 Линейная световая полоса 720 мА - 5,80 мм 35,2 В 400 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2210 лм (тип.) 50°С 157 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8P09B280WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8P09B280WW -
запросить цену
ECAD 7954 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-Р286А Поднос Устаревший 280,00 мм Д x 55,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный - Соответствует RoHS Непригодный 1510-1634 гг. EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 540 мА - 7,40 мм 32,3 В 290 мА 115° 6500К 4-ступенчатый эллипс МакАдама 1501лм (1350лм ~ 1650лм) 50°С 160 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWH2HDNE05YHV2C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNE05YHV2C1 5,8276
запросить цену
ECAD 3551 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040C Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWH2 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 440 Прямоугольник 1,62А - 1,50 мм 34,5 В 1,08А 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4470 лм (тип.) 85°С 120 лм/Вт 80 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWH2HDNE08YHV3C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNE08YHV3C1 5,5745
запросить цену
ECAD 5387 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040C Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWH2 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 440 Прямоугольник 1,62А - 1,50 мм 34,5 В 1,08А 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3370 лм (тип.) 85°С 90 лм/Вт 92 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWHAHDNM231ZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNM231ZT3D2 9.7707
запросить цену
ECAD 1701 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNM231 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 4,14А - 1,50 мм 52В 1,62А 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 13896 лм (тип.) 85°С 165 лм/Вт 70 Диаметр 22,00 мм Плоский
SI-B8V111250WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8V111250WW -
запросить цену
ECAD 5476 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛАМ-SQ30B Поднос Устаревший 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый - Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 900 мА - 6,70 мм 15,3 В 700 мА 145° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1270 лм (тип.) 35°С 119 лм/Вт 80 - Куполообразный
SPHWW1HDND25YHU2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHU2B3 -
запросить цену
ECAD 8529 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC033B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1050 Квадрат 1,62А - 1,50 мм 35,5 В 900 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 5273 лм (4915 лм ~ 5630 лм) 25°С 165 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SL-PGQ2W52MBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGQ2W52MBGL -
запросить цену
ECAD 2000 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. - Поднос Устаревший - - - SL-PGQ2 - - EAR99 8541.41.0000 12 - - - - - - - - - - - - - -
SPHWHAHDNK25YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK25YZV2D3 4,7867
запросить цену
ECAD 9764 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK25 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34В 1,08А 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 5963 лм (тип.) 85°С 162 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZT3D4 2.4100
запросить цену
ECAD 490 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Нейтральный скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHHAHDNB25YZT3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 460 мА - 1,65 мм 33,6 В 180 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1071 лм (тип.) 85°С 177 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8U17256CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U17256CWW -
запросить цену
ECAD 5672 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. V-серия Gen2 Масса Активный 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Холодный скачать 1 (без блокировки) 1510-SI-B8U17256CWW EAR99 8541.41.0000 96 Линейная световая полоса 900 мА - 5,50 мм 23,2 В 700 мА - 3500К 2720 ​​лм (тип.) 50°С 167 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWW1HDNC2VYHV32J Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC2VYHV32J -
запросить цену
ECAD 1314 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026B Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-2068 гг. EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,3А - 1,50 мм 35,5 В - 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3062лм (2694лм ~ 3429лм) 25°С - - Диаметр 17,00 мм Плоский
SI-N9V1113B1US Samsung Semiconductor, Inc. СИ-Н9В1113Б1УС -
запросить цену
ECAD 9292 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. АКОМ ДЛЕ Поднос Устаревший 55,00 мм Д x 55,00 мм Ш Светодиодный двигатель - СИ-Н9В Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15.10-21.41 EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат - - 12,50 мм 120 В переменного тока - 115° 3000К 980 лм (тип.) 25°С 86 лм/Вт 90 - Плоский
SI-B8R14156SWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R14156SWW 12.7800
запросить цену
ECAD 4100 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-S562F Поднос Не для новых дизайнов 559,70 мм Д x 23,80 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 224 Линейная световая полоса 1,44А - 5,80 мм 17,6 В 800 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2290 лм (тип.) 50°С 163 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNK25YZQ3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK25YZQ3D3 5,8023
запросить цену
ECAD 2021 год 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK25 Белый, Холодный скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34В 1,08А 115° 5700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 6313лм (тип.) 85°С 172 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNE25YZW2D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZW2D1 -
запросить цену
ECAD 9196 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC016D Поднос Устаревший 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1600 Квадрат 1,15 А - 1,50 мм 34,6 В 450 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2169 лм (тип.) 85°С 139 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWW1HDN825YHW3EE Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN825YHW3EE 1,5063
запросить цену
ECAD 2836 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006B Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1984 EAR99 8541.41.0000 672 Квадрат 320 мА - 1,50 мм 35,5 В 180 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 888лм (833~942лм) 25°С 139 лм/Вт 80 Диаметр 8,00 мм Плоский
SPHWW1HDNE27YHT24K Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE27YHT24K 8.0762
запросить цену
ECAD 4263 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040B Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-2108 EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,9 А - 1,50 мм 35,5 В 1,08А 115° 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4866лм (4462~5269лм) 25°С 127 лм/Вт 90 Диаметр 17,00 мм Плоский
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе