SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Размер / Размер Тип Функции Базовый номер продукта Цвет Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Ток - Макс. Длина волны Высота Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Текущий — Тест Угол обзора ЦКТ (К) Световой поток при силе тока/температуры Температура - Тест Люмен/Ватт@ток — тест CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES) Тип объектива
SPHWHAHDND25YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZU3DC 3.1200
запросить цену
ECAD 493 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDND25YZU3DC EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 720 мА - 1,50 мм 33,7 В 360 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2020лм (тип.) 85°С 167 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZW2DB 0,6413
запросить цену
ECAD 9233 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNB25YZW2DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 360 мА - 1,50 мм 34В 180 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 928 лм (тип.) 85°С 152 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZV3F3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZV3F3 -
запросить цену
ECAD 2829 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1856 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34,6 В 180 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 875 лм (тип.) 85°С 141 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8T103560EU Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T103560EU -
запросить цену
ECAD 6238 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. вопрос Поднос Активный 560,00 мм Д x 24,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Нейтральный скачать Непригодный 1510-SI-B8T103560EU EAR99 8541.41.0000 40 Линейная световая полоса 360 мА - 5,20 мм 54,8 В 180 мА 115° 4000К 2000 лм 40°С 203 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNC25YZU2H2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZU2H2 -
запросить цену
ECAD 2583 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC009D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1872 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34,6 В 270 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1315 лм (тип.) 85°С 141 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWW1HDNE25YHV34J Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE25YHV34J -
запросить цену
ECAD 2881 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040B Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,62А - 1,50 мм 35,5 В 1,08А 115° 3000К 4533лм (3810лм ~ 5255лм) 25°С 118 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZW3H9 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZW3H9 -
запросить цену
ECAD 7383 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC019D Поднос Устаревший 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1942 гг. EAR99 8541.41.0000 1600 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2104лм (тип.) 85°С 113 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZW3D2 2,5401
запросить цену
ECAD 5605 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2336 лм (тип.) 85°С 125 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8U051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U051280US 7.0200
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-Q282A Поднос Активный 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный двигатель - СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Непригодный 1510-2282 EAR99 8541.41.0000 400 Линейная световая полоса - - 5,80 мм 11В 450 мА - 3500К 975 лм (тип.) 40°С 197 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNB25YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZU3DC 2.0400
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNB25YZU3DC EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 360 мА - 1,50 мм 33,7 В 180 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1021 лм (тип.) 85°С 167 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8V114280WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8V114280WW 6.7800
запросить цену
ECAD 400 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-M282C_G2 Поднос Устаревший 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS Непригодный 1510-1339 гг. EAR99 8541.41.0000 400 Линейная световая полоса 540 мА - 4,40 мм 24,8 В 450 мА 115° 3000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама 1580 лм (тип.) 50°С 142 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNE2VYZAVD2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE2VYZAVD2 2,4180
запросить цену
ECAD 2388 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE2 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,15 А - 1,50 мм 34,6 В 450 мА 115° 3300К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1823 лм (тип.) 85°С 105 лм/Вт - Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNM251ZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNM251ZU3DB 7.0538
запросить цену
ECAD 8519 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNM251 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNM251ZU3DB EAR99 8541.41.0000 160 Квадрат 3,24А - 1,50 мм 51,1 В 1,62А 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 12852 лм (тип.) 85°С 155 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SI-B8U15156CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U15156CWW 5.8200
запросить цену
ECAD 263 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-V562B Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS Непригодный 15.10-21.31 EAR99 8541.41.0000 280 Линейная световая полоса 720 мА - 5,50 мм 25,4 В 630 мА 120° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2109лм (тип.) 50°С 132 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNK28YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK28YZW2D2 4.4532
запросить цену
ECAD 3632 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK28 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34,6 В 1,08А 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 3760 лм (тип.) 85°С 101 лм/Вт - Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNL231ZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNL231ZR3D4 12.8600
запросить цену
ECAD 158 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNL231 Белый, Холодный скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPWHHAHDNL231ZR3D4 EAR99 8541.41.0000 160 Квадрат 2,76А - 1,70 мм 50,5 В 1,08А 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 10017лм (тип.) 85°С 184 лм/Вт 70 Диаметр 22,00 мм Плоский
SI-B8R07128LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R07128LWW 7.5000
запросить цену
ECAD 9626 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-С282Л Поднос Не для новых дизайнов 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 224 Линейная световая полоса 360 мА - 5,80 мм 35,2 В 200 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1140 лм (тип.) 50°С 162 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNE25YZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZU2D3 2.1309
запросить цену
ECAD 1897 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,15 А - 1,50 мм 34В 450 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2570 лм (тип.) 85°С 168 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-N8T1254B0WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-N8T1254B0WW 7.2000
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. СМ 110 мм G5 Масса Устаревший Диаметр 110,00 мм Светодиодный модуль С разъемом СИ-Н8Т Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1510-SI-N8T1254B0WW EAR99 8541.41.0000 120 Круглый - - 5,20 мм 27,8 В 430 мА 120° 4000К 2210 лм (тип.) 25°С 185 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B9W111550WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B9W111550WW -
запросить цену
ECAD 6026 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-М552Ф Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б9 Белый, Теплый - Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.41.0000 40 Линейная световая полоса 450 мА - 5,80 мм 24,7 В 450 мА 115° 2700К 1020 лм (тип.) - 92 лм/Вт 90 - Плоский
SPHWH2HDNE05YHU2C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNE05YHU2C1 5,7144
запросить цену
ECAD 5634 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040C Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWH2 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 440 Прямоугольник 1,62А - 1,50 мм 34,5 В 1,08А 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4650 лм (тип.) 85°С 125 лм/Вт 80 Диаметр 11,00 мм Плоский
SPHWHAHDNB25YZU2F5 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZU2F5 -
запросить цену
ECAD 9575 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1853 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34,6 В 180 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 902 лм (тип.) 85°С 145 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SL-B8U1N30LAWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8U1N30LAWW 5.4384
запросить цену
ECAD 1610 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. Ч приток Поднос Активный 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш Светодиодный модуль - СЛ-Б8У1 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 256 Линейная световая полоса 1,6А - 5,20 мм 11,1 В 118° 3500К 2030 лм (тип.) 55°С 183 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWW1HDN948YHV2EC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN948YHV2EC -
запросить цену
ECAD 5127 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC008B Коробка Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 672 Квадрат 430 мА - 1,50 мм 36,5 В 240 мА 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 892лм (803~981лм) 25°С 102 лм/Вт 95 Диаметр 8,00 мм Плоский
SPHWHAHDNK27YZV2M2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK27YZV2M2 -
запросить цену
ECAD 4062 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040D Поднос Устаревший 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1977 EAR99 8541.41.0000 1280 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34,6 В 1,08А 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4525 лм (тип.) 85°С 121 лм/Вт 90 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNH23YZV3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNH23YZV3DB 5.7700
запросить цену
ECAD 250 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Коробка Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNH23 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPWHHAHDNH23YZV3DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,8 А - 1,50 мм 34В 900 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 5014лм (тип.) 85°С 164 лм/Вт 70 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-N8W1113B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8W1113B1US -
запросить цену
ECAD 5464 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. АКОМ ДЛЕ Поднос Устаревший 55,00 мм Д x 55,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-N8W Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS Непригодный 1510-1670 гг. EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат - - 12,50 мм 120 В переменного тока - 115° 2700К 1140 лм (тип.) 25°С 100 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8V07228HWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V07228HWW 8.4700
запросить цену
ECAD 2448 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-S282H Поднос Не для новых дизайнов 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 128 Линейная световая полоса 540 мА - 7,40 мм 23,4 В 300 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1080 лм (тип.) 50°С 154 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNA27YZU3A4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZU3A4 -
запросить цену
ECAD 9005 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC003D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNA27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1843 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 230 мА - 1,50 мм 34,6 В 900 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама - 85°С - 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWW1HDND25YHU33G Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHU33G -
запросить цену
ECAD 5765 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC033B Gen2 Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-2073 гг. EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,62А - 1,50 мм 35,5 В 900 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 4915лм (4613~5216лм) 25°С 154 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе