SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Размер / Размер Тип Функции Базовый номер продукта Цвет Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Ток - Макс. Длина волны Высота Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Текущий — Тест Угол обзора ЦКТ (К) Световой поток при силе тока/температуры Температура - Тест Люмен/Ватт@ток — тест CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES) Тип объектива
SPHWHAHDNA27YZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZU3D3 0,5872
запросить цену
ECAD 4233 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNA27 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 230 мА - 1,50 мм 34В 90 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 441 лм (тип.) 85°С 144 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHCW1HDND25YHR3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDND25YHR3B3 -
запросить цену
ECAD 6968 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC033B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHCW1 Белый, Холодный скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1050 Квадрат 1,62А - 1,50 мм 35,5 В 900 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 5160лм (4792~5528лм) 25°С 162 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDNC25YZV3C2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZV3C2 0,8575
запросить цену
ECAD 3794 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. C-серия Gen2 Лента и катушка (TR) Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 380 мА - 1,50 мм 35В 300 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1274 лм (тип.) 85°С 121 лм/Вт 80 Диаметр 6,00 мм Плоский
SI-B8P114250WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8P114250WW -
запросить цену
ECAD 3391 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛАМ-SQ30 Поднос Устаревший 259,00 мм Д x 250,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS Непригодный 1510-1636 гг. EAR99 8541.41.0000 60 Прямоугольник 540 мА - 6,60 мм 30,2 В 350 мА 145° 6500К 1515 лм (1364 ~ 1683 лм) 50°С 143 лм/Вт 80 - Куполообразный
SI-N8V1115B0US Samsung Semiconductor, Inc. СИ-Н8В1115Б0УС -
запросить цену
ECAD 3215 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. F-серия Gen3 Масса Устаревший - Светодиодный модуль - СИ-Н8В Белый - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1 Линейная световая полоса - - - - - - - - - - - - Плоский
SPHWHAHDNE25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZW3D4 4.8900
запросить цену
ECAD 79 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHHAHDNE25YZW3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,15 А - 1,70 мм 33,6 В 450 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2478 лм (тип.) 85°С 164 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8T061280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T061280WW -
запросить цену
ECAD 7651 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-E282A Поднос Устаревший 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15.10-12.21 EAR99 8541.41.0000 560 Линейная световая полоса 360 мА - 5,80 мм 18,7 В 300 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 745 лм (тип.) 50°С 133 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNE27YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZR3D2 2,1675
запросить цену
ECAD 4264 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE27 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,15 А - 1,50 мм 34,6 В 450 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2209 лм (тип.) 85°С 142 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNH28YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNH28YZW2D2 3,5034
запросить цену
ECAD 7957 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNH28 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 2,3А - 1,50 мм 34,6 В 900 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 3057 лм (тип.) 85°С 98 лм/Вт - Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNK25YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK25YZT3D2 5.4409
запросить цену
ECAD 7535 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK25 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34,6 В 1,08А 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 6146 лм (тип.) 85°С 164 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SI-B9T171560WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B9T171560WW -
запросить цену
ECAD 2887 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-M562H Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б9 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15:10-12:18 EAR99 8542.39.0001 280 Линейная световая полоса 900 мА - 5,80 мм 24В 700 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1900 лм (тип.) 50°С 113 лм/Вт 90 - Плоский
SPHWHAHDNB25YZT2D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZT2D1 -
запросить цену
ECAD 6318 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34,6 В 180 мА 115° 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 969 лм (тип.) 85°С 156 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZV3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZV3DC 4.7100
запросить цену
ECAD 250 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNF27YZV3DC EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,08А - 1,50 мм 33,7 В 540 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2597 лм (тип.) 85°С 143 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNG28YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG28YZV2D2 3,0482
запросить цену
ECAD 1479 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG28 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,84А - 1,50 мм 34,6 В 720 мА 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2596 лм (тип.) 85°С 104 лм/Вт - Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDND25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZW3D4 3,6100
запросить цену
ECAD 470 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND25 Белый, Теплый скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPWHHAHDND25YZW3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 920 мА - 1,65 мм 33,6 В 360 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1922 лм (тип.) 85°С 159 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNE25YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZU3D4 4.8900
запросить цену
ECAD 250 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHAHDNE25YZU3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,15 А - 1,70 мм 33,6 В 450 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2614 лм (тип.) 85°С 173 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8T521B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T521B2CUS -
запросить цену
ECAD 5604 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-ВБ22Ф Поднос Устаревший 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Нейтральный скачать Непригодный EAR99 8541.41.0000 360 Линейная световая полоса 1,62А - 5,50 мм 48,8 В 1,12А - 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 7816лм (7035~8600лм) 65°С 143 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNK27YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK27YZU2DB 3.2393
запросить цену
ECAD 2324 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNK27YZU2DB EAR99 8541.41.0000 160 Квадрат 2,16А - 1,50 мм 34В 1,08А 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 5100 лм (тип.) 85°С 139 лм/Вт 90 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNG27YZV3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZV3DB 5.2000
запросить цену
ECAD 190 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNG27YZV3DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,44А - 1,50 мм 34В 720 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3190 лм (тип.) 85°С 130 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8V341560WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8V341560WW -
запросить цену
ECAD 3811 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-F562A Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15.10-11.43 EAR99 8541.41.0000 40 Линейная световая полоса - - 5,20 мм 24,7 В 1,35 А 115° 3000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама 4310 лм (тип.) - 129 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWW1HDNB25YHT2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNB25YHT2B3 -
запросить цену
ECAD 2184 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC019B Gen3 Лента и катушка (TR) Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 1400 Квадрат 980 мА - 1,50 мм 35,5 В 540 мА 115° 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 3113лм (2805~3420лм) 25°С 162 лм/Вт 80 Диаметр 12,40 мм Плоский
SPHWHAHDNH27YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNH27YZT2D3 3,8881
запросить цену
ECAD 6469 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNH27 Белый, Нейтральный скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 2,3А - 1,50 мм 34В 900 мА 115° 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 4364 лм (тип.) 85°С 143 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHCW1HDNB25YHR31G Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNB25YHR31G -
запросить цену
ECAD 8267 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC019B Поднос Устаревший 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHCW1 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1724 гг. EAR99 8541.41.0000 480 Квадрат 980 мА - 1,50 мм 35,5 В 540 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2831лм (2646~3016лм) 25°С 148 лм/Вт 80 Диаметр 12,40 мм Плоский
SI-B8R07128SWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R07128SWW 8.3900
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-S282F Поднос Не для новых дизайнов 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.41.0000 224 Линейная световая полоса 1,44А - 5,80 мм 8,8 В 800мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1140 лм (тип.) 50°С 162 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNA25YZR3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA25YZR3B3 -
запросить цену
ECAD 6924 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC003D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNA25 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1831 гг. EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 230 мА - 1,50 мм 34,6 В 90 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 462 лм (тип.) 85°С 148 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNL271ZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNL271ZR3D3 7,8376
запросить цену
ECAD 8702 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNL271 Белый, Холодный скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 51В 1,08А 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 8002 лм (тип.) 85°С 145 лм/Вт 90 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNM251ZT3U2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNM251ZT3U2 -
запросить цену
ECAD 3470 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC080D Поднос Устаревший 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNM251 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1280 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 52В 1,62А 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 11780 лм (тип.) 85°С 140 лм/Вт 80 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNC25YZP3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZP3D3 1,3282
запросить цену
ECAD 4353 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Холодный скачать EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34В 270 мА 115° 6500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1550 лм (тип.) 85°С 169 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNK27YZT3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK27YZT3D3 5,8023
запросить цену
ECAD 4764 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNK27 Белый, Нейтральный скачать EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 2,76А - 1,50 мм 34В 1,08А 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 5369 лм (тип.) 85°С 146 лм/Вт 90 Диаметр 22,00 мм Плоский
SPHWHAHDNF25YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZW3DB 4.0800
запросить цену
ECAD 250 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNF25YZW3DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,08А - 1,50 мм 34В 540 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2742 лм (тип.) 85°С 149 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе