SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
AS4PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division As4pdhm3_a/i 0,6386
RFQ
 ECAD 5079 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn AS4 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 4 a 1,8 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 2.4a 60pf @ 4V, 1 мгест
VS-301URA160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301URA160 -
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Стало Do-205ab, do-9, Stud 301URA160 Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS301URA160 Ear99 8541.10.0080 12 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C. 330. -
STTH1R06A STMicroelectronics STTH1R06A 0,5000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Stth1 Станода СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 45 м 1 мка При 600 175 ° C (MMAKS) 1A -
1N5822 NTE Electronics, Inc 1n5822 0,5600
RFQ
 ECAD 460 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 2368-1N5822 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 500 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 3A 190pf @ 4V, 1 мгха
SSL33 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 0,3150
RFQ
 ECAD 1372 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SSL33 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
P600D/4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600D/4 -
RFQ
 ECAD 5639 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru P600, OSEVOй P600 Станода P600 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 900 мВ @ 6 a 2,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
1N4150TR_S00Z onsemi 1N4150TR_S00Z -
RFQ
 ECAD 2864 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4150 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 6 м 100 na @ 50 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 2,5pf @ 0v, 1 мгха
APT10SCD120K Microsemi Corporation APT10SCD120K 10.1000
RFQ
 ECAD 345 0,00000000 Microsemi Corporation - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) DO-220 [K] - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,5 - @ 10 a 0 м - 10 часов -
1N646 Microchip Technology 1n646 1.5750
RFQ
 ECAD 4086 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 1n646 - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1
VS-SD300R25PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD300R25PC 109 6625
RFQ
 ECAD 9694 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud SD300 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2500 1,83 В 1180 А 15 май @ 2500 -40 ° С ~ 150 ° С. 380a -
GF1DHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1DHE3/5CA -
RFQ
 ECAD 1296 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214BA GF1 Станода DO-214BA (GF1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 2 мкс 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
VS-8TQ100STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100strrpbf -
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 8TQ100 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 720 мВ @ 8 a 550 мк -пки 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. 500pf @ 5V, 1 мгновение
EGP10CEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CEHE3/54 -
RFQ
 ECAD 5543 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -прри 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 22pf @ 4v, 1 мг
BYD13DBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Byd13dbulk 0,2100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Лавина DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2439-byd13dbulk 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,05 В @ 1 A 1 мка, 200 175 ° С 1.4a -
MBR10H35 C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10H35 C0 -
RFQ
 ECAD 4130 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Прохл MBR10 - 1801-MBR10H35C0 1
1N4943 Microchip Technology 1N4943 6.4050
RFQ
 ECAD 4306 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-1N4943 Ear99 8541.10.0080 1
RFUH5TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFUH5TF6SFHC9 1.4800
RFQ
 ECAD 819 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 RFUH5 Станода DO-220NFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,8 В @ 5 a 25 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 5A -
JAN1N3957 Microchip Technology Январь 3957 6.2400
RFQ
 ECAD 5137 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/228 МАССА Актифен Чereз dыru А, осево 1N3957 Станода А, осево СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 100 мк @ 300 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1N3213 Microchip Technology 1N3213 65 8800
RFQ
 ECAD 7595 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1N3213 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1n3213ms Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,19 В @ 90 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
R6030222PSYA Powerex Inc. R6030222PSYA -
RFQ
 ECAD 3636 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud R6030222 Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 2,75 В @ 800 a 500 млн 50 май @ 200 -45 ° С ~ 150 ° С. 220A -
TSS54L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54L RWG 0,0916
RFQ
 ECAD 8859 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) TSS54 ШOTKIй 1005 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
S07D-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07D-GS08 0,4400
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S07 Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 700 май 4pf @ 4V, 1 мгест
RS2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2D R5G -
RFQ
 ECAD 1041 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB Rs2d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
ER5G SMC Diode Solutions ER5G 0,5000
RFQ
 ECAD 112 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ER5 Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 5 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 58pf @ 4V, 1 мгест
V12P15-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P15-M3/H. 0,7700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn V12P15 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,08 В @ 12 A 250 мк -при 150 -40 ° С ~ 150 ° С. 12A -
HS3K R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3K R6 -
RFQ
 ECAD 7125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3KR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SR310 Taiwan Semiconductor Corporation SR310 0,1676
RFQ
 ECAD 8242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR310 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 3 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
JANTXV1N6912UTK2/TR Microchip Technology Jantxv1n6912UTK2/tr 521.7750
RFQ
 ECAD 9039 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/723 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ThinKey ™ 2 Sic (kremniewый karbid) ThinKey ™ 2 - Rohs3 DOSTISH 150 jantxv1n6912utk2/tr Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 45 640 м. @ 25 A 1,2 мая @ 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 25 а 1000pf @ 5V, 1 мгест
VS-87HF120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HF120 8.7081
RFQ
 ECAD 1698 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 87HF120 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS87HF120 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,2 - @ 267 A -65 ° C ~ 180 ° C. 85а -
1N4942 Microchip Technology 1N4942 5.0700
RFQ
 ECAD 6688 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru А, осево 1N4942 Станода А, осево СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 1 мка, 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 45pf @ 12V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть