SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
MA2J7270GL Panasonic Electronic Components MA2J7270GL -
RFQ
 ECAD 2072 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-90, SOD-323F MA2J727 ШOTKIй Smini2-F3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 550 м. @ 200 3 млн 200 мка прри 50 150 ° C (MMAKS) 200 май -
CDSU101A-HF Comchip Technology CDSU101A-HF 0,0552
RFQ
 ECAD 1272 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA CDSU101 Станода 0603/SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CDSU101A-HFTR Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1 V @ 100 май 4 млн 50 Na @ 75 V -40 ° C ~ 125 ° C. 100 май 3pf @ 500 мВ, 1 мгновение
ES2DV R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DV R5G -
RFQ
 ECAD 4577 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB Es2d Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 2 a 20 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
SCH15000 Semtech Corporation SCH15000 -
RFQ
 ECAD 7790 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос Станода - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 5000 5 V @ 1 A 5 мкс 1 мка При 5000 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май -
10BQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10BQ030 -
RFQ
 ECAD 5013 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Пефер DO-214AA, SMB 10BQ030 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 420 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
20ETF02FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf02fp -
RFQ
 ECAD 8659 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 20etf02 Станода TO-220AC Full Pack СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *20etf02fp Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 20 a 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
CDSUR400B Comchip Technology CDSUR400B 0,0575
RFQ
 ECAD 4479 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA CDSUR400 Станода 0603/SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1 V @ 100 май 4 млн 100 na @ 80 125 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 0,5 -
VS-2EQH02-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EQH02-M3/H. 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA 2EQH02 Станода DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 2 a 23 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 6pf @ 200v
JANTXV1N6911UTK2AS/TR Microchip Technology Jantxv1n6911utk2as/tr 521.7750
RFQ
 ECAD 1575 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/723 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ThinKey ™ 2 Sic (kremniewый karbid) ThinKey ™ 2 - Rohs3 DOSTISH 150 jantxv1n6911utk2as/tr Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 30 540 мВ @ 25 A 1,2 мая @ 30 -65 ° С ~ 150 ° С. 25 а
VSKE320-20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKE320-20 -
RFQ
 ECAD 2310 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШASCI 3-MAGN-A-PAK ™ VSKE320 Станода Magn-A-Pak® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 50 май @ 2000 320A -
VS-6EVH06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EVH06HM3/I. 0,8800
RFQ
 ECAD 3247 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 6 В.06 Станода Слимдпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 6 a 28 млн 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A -
EU01Z Sanken EU01Z -
RFQ
 ECAD 6706 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен Чereз dыru Оос EU01 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) EU01Z DK Ear99 8541.10.0070 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 2,5 В @ 250 400 млн 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 250 май -
1N3211R Microchip Technology 1n3211r 65 8800
RFQ
 ECAD 1822 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1n3211 Ставень, обратно Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1n3211rms Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,19 В @ 90 a 10 мк @ 300 -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
SBA520AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SBA520AFC_R1_00001 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SBA520 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-SBA520AFC_R1_00001TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 м. @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
VS-MBR745PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR745PBF -
RFQ
 ECAD 9109 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR7 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 840 мВ @ 15 A 100 мка 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 7,5а -
LSM845J/TR13 Microchip Technology LSM845J/TR13 1.5750
RFQ
 ECAD 7325 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC LSM845 ШOTKIй DO-214AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 520 мВ @ 8 a 2 мая @ 45 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
UF5A400D1-13 Diodes Incorporated UF5A400D1-13 -
RFQ
 ECAD 6407 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 UF5 Станода 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 - @ 5 a 35 м 10 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 5A 50pf @ 10 v, 1 mmgц
VS-80-7530 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7530 -
RFQ
 ECAD 6376 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл 80-7530 - 112-VS-80-7530 1
SS3P6L-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6L-E3/86A -
RFQ
 ECAD 4549 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 277, 3-Powerdfn SS3P6 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 600 мВ @ 3 a 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1N3879 Motorola 1N3879 41.7900
RFQ
 ECAD 8553 0,00000000 Motorola - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,4 - @ 6 a 200 млн 15 мк -прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 6A -
VS-30ETU12T-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETU12T-N3 -
RFQ
 ECAD 2438 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 30etu12 Станода ДО-220AC - Rohs3 Neprigodnnый Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2,68 В @ 30 a 220 м 145 мк -прри 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
RB088RSM15STFTL1 Rohm Semiconductor RB088RSM15STFTL1 1.6100
RFQ
 ECAD 4353 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй ДО-277А СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 880mw @ 10 a 4,5 мка прри 150 175 ° С 10 часов -
VS-ETH1506STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH1506STRL-M3 1.5500
RFQ
 ECAD 3304 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB ETH1506 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 2,45 - @ 15 A 15 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
RG 2 Sanken RG 2 -
RFQ
 ECAD 6619 0,00000000 САНКЕН - МАССА Управо Чereз dыru Оос Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,8 В @ 1,5 А. 100 млн 500 мкр 400 -40 ° С ~ 150 ° С. 1.2a -
2A02-AP Micro Commercial Co 2A02-AP -
RFQ
 ECAD 5707 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A02 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 2 A 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
NTE5820 NTE Electronics, Inc NTE5820 6.6900
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5820 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 w @ 12 a 400 млн 25 мк @ 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
8AF1RPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8AF1RPP -
RFQ
 ECAD 7225 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШAsci, Стало B-47 8AF1 Станода B-47 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH *8AF1RPP Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 7 май @ 100 -65 ° C ~ 195 ° C. 50 часов -
FSV8100V onsemi FSV8100V 0,7600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 277, 3-Powerdfn FSV8100 ШOTKIй Дол 277-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 670 мВ @ 8 a 19,64 млн 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 672pf @ 4V, 1 мгновение
BAT46WT Yangjie Technology BAT46WT 0,0250
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-bat46wttr Ear99 3000
VS-30BQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ040PBF -
RFQ
 ECAD 7857 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Пефер DO-214AB, SMC 30BQ040 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 530 мВ @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть