SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
VS-80PF140W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PF140W 5.8585
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 80pf140 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS80PF140W Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,46 В @ 220 a -55 ° C ~ 150 ° С. 80A -
11DQ04 SMC Diode Solutions 11dq04 0,2800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 11dq ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 710 мВ @ 2 a 1 май @ 40 -40 ° С ~ 150 ° С. 1.1a 55pf @ 5V, 1 мгновение
EGP10B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10B-M3/73 -
RFQ
 ECAD 4180 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй EGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 22pf @ 4v, 1 мг
HER102G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER102G R0G -
RFQ
 ECAD 2857 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй HER102 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MBRB10100 SMC Diode Solutions MBRB10100 0,7000
RFQ
 ECAD 7690 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB10100 ШOTKIй D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 10 a 1 мая @ 100 -55 ° C ~ 150 ° С. - -
1N5397GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5397gha0g -
RFQ
 ECAD 3855 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5397 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1В @ 1,5 а 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
AR4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PM-M3/86A 0,4373
RFQ
 ECAD 1683 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn AR4 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,9 В @ 4 a 120 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1,8а 55pf @ 4V, 1 мгха
NSR0320MW2T1G onsemi NSR0320MW2T1G 0,3600
RFQ
 ECAD 4122 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 NSR0320 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 м. @ 900 мая 50 мк -прри 15 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 29pf @ 5V, 1 мгха
1N4595R Microchip Technology 1n4595r 102.2400
RFQ
 ECAD 7254 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Ставень, обратно DO-205AA (DO-8) СКАХАТА DOSTISH 150-1N4595R Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
IDD06SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD06SG60CXTMA1 -
RFQ
 ECAD 8824 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IDD06SG60 Sic (kremniewый karbid) PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 600 2.3 V @ 6 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 130pf @ 1V, 1 мгест
RSFKL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL Mtg -
RFQ
 ECAD 4910 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFKL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 @ 500 мая 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
DSK10B-BT onsemi DSK10B-BT -
RFQ
 ECAD 4649 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Оос DSK10 Станода - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 10 мк -пки 100 150 ° C (MMAKS) 1A -
MBR735HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR735HE3/45 -
RFQ
 ECAD 4821 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 MBR7 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 840 мВ @ 15 A 100 мк @ 35 -65 ° C ~ 175 ° C. 7,5а -
MBRD330 SMC Diode Solutions MBRD330 0,1278
RFQ
 ECAD 5948 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRD330 ШOTKIй Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 600 мВ @ 3 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
VS-45LR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45LR10 34.6460
RFQ
 ECAD 5787 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл Стало DO-205AC, DO-30, STAUD 45LR10 Ставень, обратно DO-205AC (DO-30) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS45LR10 Ear99 8541.10.0080 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,33 Е @ 471 А -40 ° C ~ 200 ° C. 150a -
EM01ZV0 Sanken EM01ZV0 -
RFQ
 ECAD 1558 0,00000000 САНКЕН - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Оос EM01 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) EM01ZV0 DK Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 970 мВ @ 1 a 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 1A -
US1J-13 Diodes Incorporated US1J-13 -
RFQ
 ECAD 5193 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA US1J Станода СМА СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BAV20WS-7-F Diodes Incorporated BAV20WS-7-F 0,2800
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV20 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
MBRM560-13 Diodes Incorporated MBRM560-13 -
RFQ
 ECAD 9794 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер PowerMite®3 MBRM560 ШOTKIй Powermite 3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 690 мВ @ 5 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 125 ° C. 5A -
ES2BAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2bahr3g -
RFQ
 ECAD 2787 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA ES2B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
AS4PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division As4pdhm3_a/i 0,6386
RFQ
 ECAD 5079 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn AS4 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 4 a 1,8 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 2.4a 60pf @ 4V, 1 мгест
VS-301URA160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301URA160 -
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Стало Do-205ab, do-9, Stud 301URA160 Ставень, обратно DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS301URA160 Ear99 8541.10.0080 12 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.46 V @ 942 A -40 ° C ~ 180 ° C. 330. -
STTH1R06A STMicroelectronics STTH1R06A 0,5000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Stth1 Станода СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 45 м 1 мка При 600 175 ° C (MMAKS) 1A -
1N5822 NTE Electronics, Inc 1n5822 0,5600
RFQ
 ECAD 460 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 2368-1N5822 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 500 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 3A 190pf @ 4V, 1 мгха
SSL33 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 0,3150
RFQ
 ECAD 1372 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SSL33 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
P600D/4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600D/4 -
RFQ
 ECAD 5639 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru P600, OSEVOй P600 Станода P600 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 900 мВ @ 6 a 2,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
1N4150TR_S00Z onsemi 1N4150TR_S00Z -
RFQ
 ECAD 2864 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4150 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 6 м 100 na @ 50 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 2,5pf @ 0v, 1 мгха
APT10SCD120K Microsemi Corporation APT10SCD120K 10.1000
RFQ
 ECAD 345 0,00000000 Microsemi Corporation - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) DO-220 [K] - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,5 - @ 10 a 0 м - 10 часов -
1N646 Microchip Technology 1n646 1.5750
RFQ
 ECAD 4086 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 1n646 - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1
VS-SD300R25PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD300R25PC 109 6625
RFQ
 ECAD 9694 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud SD300 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2500 1,83 В 1180 А 15 май @ 2500 -40 ° С ~ 150 ° С. 380a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть