SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
VS-40EPF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ВС-40ЭПФ12-М3 7.0100
запросить цену
ECAD 431 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 40EPF12 Стандартный ТО-247АС модифицированный скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 25 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 1,4 В при 40 А 450 нс 100 мкА при 1200 В -40°С ~ 150°С 40А -
JANTXV1N756D-1/TR Microchip Technology JANTXV1N756D-1/ТР 12,7680
запросить цену
ECAD 7863 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/127 Лента и катушка (TR) Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N756D-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 1 мкА при 6 В 8,2 В 8 Ом
MMSZ5235B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ММСЗ5235Б-Е3-08 0,2700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123 ММСЗ5235 500 мВт СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 3 мкА при 5 В 6,8 В 5 Ом
M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor М3П75А-160 -
запросить цену
ECAD 4030 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль 5-СМД Стандартный 5-СМД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 24 1,15 В при 75 А 10 мкА при 1600 В 75 А Трехфазный 1,6 кВ
MDMA360UC1600TED IXYS МДМА360UC1600TED 109,6283
запросить цену
ECAD 2699 0,00000000 ИКСИС - Коробка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль Стандартный - - Соответствует ROHS3 REACH не касается 238-MDMA360UC1600TED EAR99 8541.10.0080 6 1,8 В при 360 А 100 мкА при 1600 В 360 А Трехфазный 1,6 кВ
KBPC2506T GeneSiC Semiconductor KBPC2506T 2,2995
запросить цену
ECAD 3650 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Терминал контроля качества 4-Квадратный, КБ ПК-Т KBPC2506 Стандартный КБПК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 12,5 А 5 мкА при 600 В 25 А Однофазный 600 В
JANTX1N4971C Microsemi Corporation JANTX1N4971C 18.2550
запросить цену
ECAD 6370 0,00000000 Корпорация Микросеми Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие Е, Осевой 1N4971 5 Вт Е, Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 2 мкА при 27,4 В 36 В 11 Ом
BZD27C15P RQG Taiwan Semiconductor Corporation БЗД27С15П РКГ -
запросить цену
ECAD 2157 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±6,12% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЖД27 1 Вт Суб-SMA скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 11 В 14,7 В 10 Ом
VBO21-08NO7 IXYS ВБО21-08НО7 14.3268
запросить цену
ECAD 9305 0,00000000 ИКСИС - Коробка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси ЭКО-ПАК1 ВБО21 Стандартный ЭКО-ПАК1 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 25 1,2 В при 10 А 10 мкА при 800 В 21 А Однофазный 800 В
KBPC2504W GeneSiC Semiconductor KBPC2504W 2,2995
запросить цену
ECAD 3961 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, КБПК-З KBPC2504 Стандартный КБПЦ-В скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 12,5 А 5 мкА при 400 В 25 А Однофазный 400 В
GBU8JL-6088E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8JL-6088E3/51 -
запросить цену
ECAD 1388 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ ГБУ8 Стандартный ГБУ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 8 А 5 мкА при 600 В 3,9 А Однофазный 600 В
SBL20V60CT Diodes Incorporated SBL20V60CT -
запросить цену
ECAD 6862 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет СБЛ20В60 Шоттки ТО-220АБ скачать 31-SBL20V60CT УСТАРЕВШИЙ 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 60 В 20А 600 мВ при 10 А 100 мкА при 60 В -55°С ~ 150°С
G3SBA60L-5702E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5702E3/45 -
запросить цену
ECAD 9482 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ G3SBA60 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 2 А 5 мкА при 600 В 2,3 А Однофазный 600 В
SK15B Taiwan Semiconductor Corporation СК15Б -
запросить цену
ECAD 9699 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ Шоттки ДО-214АА (СМБ) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-СК15БТР EAR99 8541.10.0080 6000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 50 В 750 мВ при 1 А 500 мкА при 50 В -55°С ~ 150°С -
JANTX1N4479D Microchip Technology JANTX1N4479D 29.9550
запросить цену
ECAD 5936 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4479 1,5 Вт ДО-41 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1 В при 200 мА 50 нА при 31,2 В 39 В 30 Ом
JANTX1N757CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N757CUR-1/ТР 9.8021
запросить цену
ECAD 7681 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/127 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N757CUR-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 1 мкА при 7 В 9,1 В 10 Ом
BZX79C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C47 0,0287
запросить цену
ECAD 3171 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой БЗХ79 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-BZX79C47TR EAR99 8541.10.0050 20 000 1,5 В при 100 мА 50 нА при 32,9 В 47 В 170 Ом
STPS3170AF STMicroelectronics STPS3170AF 0,5800
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 СТМикроэлектроника ЭКОПАК® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж DO-214AC, плоские выводы SMA СТПС3170 Шоттки СМАквартира скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 497-15318-2 EAR99 8541.10.0080 10 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 170 В 820 мВ при 3 А 4 мкА при 170 В -40°С ~ 175°С -
JANS1N4971US/TR Microchip Technology JANS1N4971US/TR 86.0502
запросить цену
ECAD 5734 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж SQ-MELF, E 5 Вт Д-5Б - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANS1N4971US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 2 мкА при 27,4 В 36 В 11 Ом
BAT74V115 NXP USA Inc. БАТ74В115 0,0600
запросить цену
ECAD 5612 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0070 3400
DSP45-12AZ-TRL IXYS ДСП45-12АЗ-ТРЛ 5.5512
запросить цену
ECAD 8490 0,00000000 ИКСИС ЦСП Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА ДСП45 Стандартный ТО-268АА (Д3Пак-ХВ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 238-ДСП45-12АЗ-ТРЛТР EAR99 8541.10.0080 400 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1 пара последовательного подключения 1200 В 45А 1,26 В при 45 А 40 мкА при 1200 В -40°С ~ 175°С
GBL06L-6870E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL06L-6870E3/51 -
запросить цену
ECAD 5070 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЛ ГБЛ06 Стандартный ГБЛ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 4 А 5 мкА при 600 В 3 А Однофазный 600 В
CD4627C Microchip Technology CD4627C -
запросить цену
ECAD 6937 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж Править 500 мВт Править - REACH не касается 150-CD4627C EAR99 8541.10.0050 228 1,5 В при 200 мА 10 мкА при 5 В 6,2 В 1200 Ом
SRAF10150 Taiwan Semiconductor Corporation СРАФ10150 -
запросить цену
ECAD 6191 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет Шоттки ИТО-220АС - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-СРАФ10150 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 150 В 950 мВ при 10 А 100 мкА при 150 В -55°С ~ 150°С 10А -
TS35P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation ТС35П07Г С2Г -
запросить цену
ECAD 7446 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Снято с производства в НИЦ -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ТС-6П ТС35П07 Стандартный ТС-6П скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 15 1,1 В @ 17,5 А 10 мкА при 1000 В 35 А Однофазный 1 кВ
JAN1N5554/TR Microchip Technology ЯН1Н5554/ТР 6.6400
запросить цену
ECAD 2719 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/420 Лента и катушка (TR) Активный Сквозное отверстие Б, Осевой Стандартный Б, Осевой скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯН1Н5554/ТР EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1000 В 1,3 В @ 9 А 2 мкс 1 мкА при 1 В -65°С ~ 175°С -
SMBG5362BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5362BE3/TR13 1.1400
запросить цену
ECAD 3207 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» СМБГ5362 5 Вт СМБГ (ДО-215АА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 1 А 500 нА при 20,1 В 28 В 6 Ом
ST1D Diotec Semiconductor СТ1Д 0,0195
запросить цену
ECAD 3306 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА Стандартный ДО-214АС, СМА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-СТ1ДТР 8541.10.0000 10 000 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 200 В 1,1 В @ 1 А 1,5 мкс 5 мкА при 200 В -50°С ~ 150°С -
CDZFHT2RA33B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA33B 0,3900
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101, CDZFH Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов ±2,49% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-923 CDZFHT2 100 мВт ВМН2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 8000 100 нА при 25 В 32,97 В 250 Ом
JANTX1N750D-1 Microchip Technology ДЖАНТХ1Н750Д-1 7.2600
запросить цену
ECAD 9057 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/127 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1Н750 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 5 мкА при 1,5 В 4,7 В 19 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе