SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Ток - Макс. Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F
1PMT5942E3/TR13 Microchip Technology 1PMT5942E3/TR13 0,7350
запросить цену
ECAD 4913 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-216АА 1PMT5942 3 Вт ДО-216АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 12 000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 38,8 В 51 В 70 Ом
BAP64LX/Z,315 NXP USA Inc. БАП64ЛС/З,315 -
запросить цену
ECAD 2753 0,00000000 NXP США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Устаревший -65°С ~ 150°С (ТДж) 2-XDFN БАП64 DFN1006D-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 934066319315 EAR99 8541.10.0070 10 000 100 мА 150 мВт 0,3 пФ при 20 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 60В 1,5 Ом при 100 мА, 100 МГц
1PGSMA4764 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4764 Р3Г -
запросить цену
ECAD 8525 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА 1PGSMA4764 1,25 Вт ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1800 г. 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 76 В 100 В 350 Ом
BZD17C36P M2G Taiwan Semiconductor Corporation БЗД17К36П М2Г -
запросить цену
ECAD 8738 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5,55% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЖД17 800 мВт Суб-SMA скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 7500 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 27 В 36 В 40 Ом
BZG05C4V7-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7-M3-08 0,3900
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов БЗГ05С-М Лента и катушка (TR) Активный ±6,38% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА BZG05C4V7 1,25 Вт ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1500 1,2 В при 200 мА 3 мкА при 1 В 4,7 В 13 Ом
S220 Yangjie Technology С220 0,0350
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-С220ТР EAR99 3000
CDLL5265/TR Microchip Technology CDLL5265/ТР 3.3516
запросить цену
ECAD 7751 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ 10 мВт ДО-213АБ скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CDLL5265/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 100 нА при 47 В 62 В 185 Ом
JANTX1N992BUR-1 Microchip Technology JANTX1N992BUR-1 -
запросить цену
ECAD 5037 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,3 В при 200 мА 500 нА при 152 В 200 В 2500 Ом
HER101T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER101T/Р 0,0500
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой Стандартный ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-HER101T/РТР 8541.10.0000 5000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 50 В 1,1 В @ 1 А 50 нс 5 мкА при 50 В -65°С ~ 150°С 50пФ @ 4В, 1МГц
JANTX1N4992CUS/TR Microchip Technology JANTX1N4992CUS/TR 55.9050
запросить цену
ECAD 5235 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 5 Вт Э-МЕЛФ - 150-JANTX1N4992CUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,5 В при 1 А 2 мкА при 206 В 270 В 800 Ом
BR3504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504W 2,5900
запросить цену
ECAD 600 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-квадратный, БР-50Вт Стандартный БР-50В скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-BR3504W 8541.10.0000 40 1,1 В @ 17,5 А 10 мкА при 400 В 35 А Однофазный 400 В
JANTXV1N4968CUS Microchip Technology JANTXV1N4968CUS 40,8900
запросить цену
ECAD 6494 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 5 Вт Э-МЕЛФ - REACH не касается 150-JANTXV1N4968CUS EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 2 мкА при 20,6 В 27 В 6 Ом
MT5006A Yangjie Technology МТ5006А 5.7350
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Технология Янцзе - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 5-Квадрат, МТ-35А Стандартный МТ-35А - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-МТ5006А EAR99 50 1,2 В при 25 А 10 мкА при 600 В 50 А Трехфазный 600 В
BZT52-C12J Nexperia USA Inc. БЗТ52-С12Ж 0,2200
запросить цену
ECAD 2473 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5,4% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123 БЗТ52 350 мВт СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 12,05 В 10 Ом
BZD27C130P MHG Taiwan Semiconductor Corporation БЗД27С130П МХГ -
запросить цену
ECAD 2025 год 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±6,41% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЖД27 1 Вт Суб-SMA скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 100 В 132,5 В 300 Ом
1PMT5950/TR7 Microchip Technology 1PMT5950/TR7 2.2200
запросить цену
ECAD 2563 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-216АА 1PMT5950 3 Вт ДО-216АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 83,6 В 110 В 300 Ом
PMEG150G30ELPX Nexperia USA Inc. PMEG150G30ELPX 0,4800
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Нексперия США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный - 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-128 ПМЭГ150 750 мВт СОД-128/CFP5 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3000 850 мВ при 3 А 30 нА при 150 В 9,1 В 4 Ом
BZX84B62-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B62-G3-08 0,0389
запросить цену
ECAD 7415 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов BZX84-G Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84B62 300 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 15 000 50 нА при 43,4 В 62 В 215 Ом
1N3621 Solid State Inc. 1N3621 1,9500
запросить цену
ECAD 20 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Активный Крепление шпильки ДО-203АА, ДО-4, шпилька Стандартный ДО-4 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-1Н3621 EAR99 8541.10.0080 10 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 500 В 1,2 В при 50 А 1,25 мкА при 500 В -65°С ~ 200°С 16А -
BZX84C7V5 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C7V5 РФГ 0,0511
запросить цену
ECAD 6462 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗХ84 300 мВт СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 5 В 7,5 В 15 Ом
BZX85B33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B33-ТР 0,3800
запросить цену
ECAD 24 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX85 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой BZX85B33 1,3 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 500 нА при 24 В 33 В 35 Ом
BZT52C30-7-F-79 Diodes Incorporated БЗТ52С30-7-Ф-79 -
запросить цену
ECAD 9762 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед * Лента и катушка (TR) Устаревший БЗТ52 - 1 (без блокировки) REACH не касается БЗТ52К30-7-Ф-79ДИ EAR99 8541.10.0050 3000
1N5265B-G Comchip Technology 1N5265B-G -
запросить цену
ECAD 5464 0,00000000 Комчип Технология - Лента и коробка (ТБ) Устаревший - 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 641-1Н5265Б-ГТБ EAR99 8541.10.0050 5000 1,1 В при 200 мА 100 нА при 47 В 62 В 185 Ом
GBJ30D GeneSiC Semiconductor GBJ30D 1,1205
запросить цену
ECAD 7632 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЖ GBJ30 Стандартный ГБЖ скачать Соответствует ROHS3 1242-GBJ30D EAR99 8541.10.0080 200 1,05 В @ 15 А 5 мкА при 200 В 30 А Однофазный 200 В
BZX84B10-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B10-E3-08 0,2400
запросить цену
ECAD 32 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов БЗХ84 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84B10 300 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 200 нА при 7 В 10 В 20 Ом
QRT10A06F_T0_00001 Panjit International Inc. QRT10A06F_T0_00001 -
запросить цену
ECAD 5700 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Трубка Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка QRT10A06 Стандартный ИТО-220АС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 3757-QRT10A06F_T0_00001 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,4 В при 10 А 32 нс 1 мкА при 600 В -55°С ~ 175°С 10А -
JANTXV1N4567A-1 Microchip Technology JANTXV1N4567A-1 9.3150
запросить цену
ECAD 2586 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/452 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N4567 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 2 мкА при 3 В 6,4 В 200 Ом
BAT42WS_R1_00001 Panjit International Inc. BAT42WS_R1_00001 0,2100
запросить цену
ECAD 64 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф БАТ42В Шоттки СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-BAT42WS_R1_00001TR EAR99 8541.10.0070 5000 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 30 В 1 В @ 200 мА 500 нА при 30 В -55°С ~ 125°С 200 мА -
BZS55B2V4 RAG Taiwan Semiconductor Corporation БЗС55Б2В4 ТРЯПКА -
запросить цену
ECAD 2319 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Устаревший ±2% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 1206 (3216 Метрическая единица) БЗС55 500 мВт 1206 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-БЗС55Б2В4РАГТР EAR99 8541.10.0050 5000 1,5 В @ 10 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 85 Ом
NTE5925 NTE Electronics, Inc NTE5925 14.1000
запросить цену
ECAD 113 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный Крепление шпильки ДО-203АА, ДО-4, шпилька Стандартный ДО-4 скачать Соответствует ROHS3 2368-NTE5925 EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 1,23 В при 63 А 12 при мА 600 В -65°С ~ 175°С 20А -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе