SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
JAN1N4129UR-1 Microchip Technology ДЖАН1Н4129УР-1 8.7150
запросить цену
ECAD 2878 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 1N4129 ДО-213АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 47,1 В 62 В 500 Ом
GBPC1506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1506W T0G -
запросить цену
ECAD 8514 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Поднос Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, ГБПК-З GBPC15 Стандартный GBPC-W скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 100 1,1 В при 7,5 А 5 мкА при 600 В 15 А Однофазный 600 В
3KBP005M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3КБП005М-Е4/72 -
запросить цену
ECAD 6705 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Коробка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБПМ 3KBP005 Стандартный КБПМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 200 1,05 В при 3 А 5 мкА при 50 В 3 А Однофазный 50 В
1N4741A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4741A-TAP 0,3600
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Разрезанная лента (CT) Активный ±5% 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4741 1,3 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 8,4 В 11 В 8 Ом
CDLL5929D Microchip Technology CDLL5929D 11.7300
запросить цену
ECAD 2424 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ CDLL5929 1,25 Вт ДО-213АБ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 11,4 В 15 В 9 Ом
NTE53016 NTE Electronics, Inc NTE53016 5.8700
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Терминал контроля качества 4-квадратный Стандартный - скачать Соответствует ROHS3 2368-НТЭ53016 EAR99 8541.10.0070 1 1,1 В при 25 А 50 мкА при 200 В 50 А Однофазный 200 В
469-5 Microchip Technology 469-5 -
запросить цену
ECAD 4676 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/469 Масса Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 4-квадратный Карбид кремния Шоттки доктор медицинских наук - REACH не касается 150-469-5 EAR99 8541.10.0080 100 Однофазный
SMBJ4756C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4756C/TR13 -
запросить цену
ECAD 6817 0,00000000 Корпорация Микросеми - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ SMBJ4756 2 Вт СМБЖ (ДО-214АА) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 35,8 В 47 В 80 Ом
ZM4742A Taiwan Semiconductor Corporation ЗМ4742А 0,0830
запросить цену
ECAD 9292 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ ЗМ4742 1 Вт МЕЛФ скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-ZM4742ATR EAR99 8541.10.0050 5000 5 мкА при 9,1 В 12 В 9 Ом
DBLS154GH Taiwan Semiconductor Corporation ДБЛС154ГХ 0,3209
запросить цену
ECAD 5894 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС154 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В при 1,5 А 2 мкА при 400 В 1,5 А Однофазный 400 В
BZG05C15-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C15-HE3-TR3 -
запросить цену
ECAD 7987 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZG05C Лента и катушка (TR) Устаревший ±5% 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА БЗГ05 1,25 Вт ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 6000 1,2 В при 200 мА 500 нА при 11 В 15 В 15 Ом
V1FM12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division В1ФМ12-М3/И 0,0592
запросить цену
ECAD 8110 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов эСМП®, ТМБС® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-219АБ В1ФМ12 Шоттки ДО-219АБ (СМФ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 112-В1ФМ12-М3/ИТР EAR99 8541.10.0080 10 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 120 В 870 мВ при 1 А 65 мкА при 120 В -40°С ~ 175°С 95пФ @ 4В, 1МГц
JANTX1N991DUR-1 Microchip Technology JANTX1N991DUR-1 -
запросить цену
ECAD 3178 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,3 В при 200 мА 500 нА при 137 В 180 В 2200 Ом
JANTXV1N6316D Microchip Technology JANTXV1N6316D 45.0600
запросить цену
ECAD 9168 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/533 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N6316 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,4 В @ 1 А 5 мкА при 1,5 В 4,7 В 17 Ом
1N4568E3/TR Microchip Technology 1N4568E3/ТР 6.6150
запросить цену
ECAD 8848 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать REACH не касается 150-1Н4568Е3/ТР EAR99 8541.10.0050 143 2 мкА при 3 В 6,4 В 200 Ом
S4260 Microchip Technology S4260 102.2400
запросить цену
ECAD 6430 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный Крепление шпильки ДО-205АА, ДО-8, Шпилька Стандартный ДО-205АА (ДО-8) - REACH не касается 150-С4260 EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 1,2 В при 200 А 50 мкА при 600 В -65°С ~ 200°С 125А -
AZ23B6V8 Yangjie Technology АЗ23Б6В8 0,0270
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный скачать Соответствует RoHS REACH не касается 4617-AZ23B6V8TR EAR99 3000
CDLL5546A/TR Microchip Technology CDLL5546A/ТР 5.9052
запросить цену
ECAD 1621 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ 500 мВт ДО-213АБ - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CDLL5546A/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 28 В 33 В 100 Ом
1N5818RL STMicroelectronics 1N5818RL -
запросить цену
ECAD 2573 0,00000000 СТМикроэлектроника - Лента и катушка (TR) Устаревший Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1Н58 Шоттки ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1N5818RLST EAR99 8541.10.0080 5000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 30 В 500 мВ при 1 А 500 мкА при 30 В 150°С (макс.) -
JANS1N6321D Microchip Technology ЯНС1Н6321Д 350,3400
запросить цену
ECAD 8489 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/533 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - REACH не касается 150-JANS1N6321D EAR99 8541.10.0050 1 1,4 В @ 1 А 2 мкА при 5 В 7,5 В 4 Ом
CDLL5257 Microchip Technology CDLL5257 2,8650
запросить цену
ECAD 8157 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±20% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ CDLL5257 10 мВт ДО-213АБ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 100 нА при 25 В 33 В 58 Ом
TUAS8G Taiwan Semiconductor Corporation ТУАС8Г 0,6900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-277, 3-PowerDFN ТУАС8 Стандартный СМПК4.6У скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 400 В 1,1 В @ 8 А 5 мкА при 400 В -55°С ~ 150°С 62пФ @ 4В, 1МГц
CZRQC36VB-HF Comchip Technology CZRQC36VB-HF 0,0652
запросить цену
ECAD 5809 0,00000000 Комчип Технология - Лента и катушка (TR) Активный ±2,5% -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 0402 (1006 Метрическая единица) CZRQC36 125 мВт 0402C/СОД-923F - Соответствует RoHS 641-CZRQC36VB-HFTR EAR99 8541.10.0050 5000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 27 В 36 В 95 Ом
MUR315SHR7G Taiwan Semiconductor Corporation МУР315ШР7Г -
запросить цену
ECAD 4737 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК МУР315 Стандартный ДО-214АБ (СМК) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 850 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 150 В 875 мВ при 3 А 25 нс 5 мкА при 150 В -55°С ~ 175°С -
JANTXV1N979BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N979BUR-1 7.5600
запросить цену
ECAD 2083 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 1N979 500 мВт ДО-213АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 43 В 56 В 150 Ом
GBPC101-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ГБПК101-Е4/51 -
запросить цену
ECAD 9300 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, ГБПК-1 GBPC101 Стандартный ГБПК1 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 100 1 В при 1,5 А 5 мкА при 100 В 2 А Однофазный 100 В
DI108S_T0_00001 Panjit International Inc. DI108S_T0_00001 0,4800
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДИ108 Стандартный 4-СДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-DI108S_T0_00001 EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 1 А 5 мкА при 800 В 1 А Однофазный 800 В
ES3DV R6G Taiwan Semiconductor Corporation ЭС3ДВ Р6Г -
запросить цену
ECAD 8345 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК Стандартный ДО-214АБ (СМК) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-ES3DVR6GTR EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 200 В 900 мВ при 3 А 20 нс 10 мкА при 200 В -55°С ~ 150°С 45пФ @ 4В, 1МГц
DBLS106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106G C1G -
запросить цену
ECAD 9954 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС106 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 1 А 2 мкА при 800 В 1 А Однофазный 800 В
1SMB5949 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5949 0,1453
запросить цену
ECAD 3155 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ 1SMB5949 3 Вт ДО-214АА (СМБ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1 мкА при 76 В 100 В 250 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе