Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ДЖАН1Н4129УР-1 | 8.7150 | ![]() | 2878 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 1N4129 | ДО-213АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 47,1 В | 62 В | 500 Ом | ||||||||||||
| GBPC1506W T0G | - | ![]() | 8514 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадратный, ГБПК-З | GBPC15 | Стандартный | GBPC-W | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 В при 7,5 А | 5 мкА при 600 В | 15 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||
![]() | 3КБП005М-Е4/72 | - | ![]() | 6705 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Коробка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБПМ | 3KBP005 | Стандартный | КБПМ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 В при 3 А | 5 мкА при 50 В | 3 А | Однофазный | 50 В | |||||||||||
![]() | 1N4741A-TAP | 0,3600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Разрезанная лента (CT) | Активный | ±5% | 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4741 | 1,3 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 8,4 В | 11 В | 8 Ом | |||||||||||
| CDLL5929D | 11.7300 | ![]() | 2424 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | CDLL5929 | 1,25 Вт | ДО-213АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 1 мкА при 11,4 В | 15 В | 9 Ом | ||||||||||||
![]() | NTE53016 | 5.8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-квадратный | Стандартный | - | скачать | Соответствует ROHS3 | 2368-НТЭ53016 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1,1 В при 25 А | 50 мкА при 200 В | 50 А | Однофазный | 200 В | |||||||||||||
![]() | 469-5 | - | ![]() | 4676 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/469 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-квадратный | Карбид кремния Шоттки | доктор медицинских наук | - | REACH не касается | 150-469-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Однофазный | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ4756C/TR13 | - | ![]() | 6817 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | SMBJ4756 | 2 Вт | СМБЖ (ДО-214АА) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 35,8 В | 47 В | 80 Ом | |||||||||||
![]() | ЗМ4742А | 0,0830 | ![]() | 9292 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | ЗМ4742 | 1 Вт | МЕЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-ZM4742ATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | 5 мкА при 9,1 В | 12 В | 9 Ом | ||||||||||||
| ДБЛС154ГХ | 0,3209 | ![]() | 5894 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | ДБЛС154 | Стандартный | ДБЛС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1500 | 1,1 В при 1,5 А | 2 мкА при 400 В | 1,5 А | Однофазный | 400 В | ||||||||||||
![]() | BZG05C15-HE3-TR3 | - | ![]() | 7987 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZG05C | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | БЗГ05 | 1,25 Вт | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 6000 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 11 В | 15 В | 15 Ом | |||||||||||
![]() | В1ФМ12-М3/И | 0,0592 | ![]() | 8110 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | эСМП®, ТМБС® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | В1ФМ12 | Шоттки | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 112-В1ФМ12-М3/ИТР | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 120 В | 870 мВ при 1 А | 65 мкА при 120 В | -40°С ~ 175°С | 1А | 95пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||
![]() | JANTX1N991DUR-1 | - | ![]() | 3178 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 В при 200 мА | 500 нА при 137 В | 180 В | 2200 Ом | |||||||||||||
| JANTXV1N6316D | 45.0600 | ![]() | 9168 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N6316 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 5 мкА при 1,5 В | 4,7 В | 17 Ом | |||||||||||||
| 1N4568E3/ТР | 6.6150 | ![]() | 8848 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | REACH не касается | 150-1Н4568Е3/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 143 | 2 мкА при 3 В | 6,4 В | 200 Ом | |||||||||||||||
![]() | S4260 | 102.2400 | ![]() | 6430 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | Стандартный | ДО-205АА (ДО-8) | - | REACH не касается | 150-С4260 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,2 В при 200 А | 50 мкА при 600 В | -65°С ~ 200°С | 125А | - | ||||||||||||
![]() | АЗ23Б6В8 | 0,0270 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | скачать | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-AZ23B6V8TR | EAR99 | 3000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5546A/ТР | 5.9052 | ![]() | 1621 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±10% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | 500 мВт | ДО-213АБ | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CDLL5546A/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 28 В | 33 В | 100 Ом | ||||||||||||
| 1N5818RL | - | ![]() | 2573 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1Н58 | Шоттки | ДО-41 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1N5818RLST | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 В | 500 мВ при 1 А | 500 мкА при 30 В | 150°С (макс.) | 1А | - | ||||||||||
| ЯНС1Н6321Д | 350,3400 | ![]() | 8489 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-JANS1N6321D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 2 мкА при 5 В | 7,5 В | 4 Ом | ||||||||||||||
| CDLL5257 | 2,8650 | ![]() | 8157 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±20% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | CDLL5257 | 10 мВт | ДО-213АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 100 нА при 25 В | 33 В | 58 Ом | ||||||||||||
![]() | ТУАС8Г | 0,6900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-277, 3-PowerDFN | ТУАС8 | Стандартный | СМПК4.6У | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1500 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 400 В | 1,1 В @ 8 А | 5 мкА при 400 В | -55°С ~ 150°С | 8А | 62пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||
![]() | CZRQC36VB-HF | 0,0652 | ![]() | 5809 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2,5% | -55°С ~ 125°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 0402 (1006 Метрическая единица) | CZRQC36 | 125 мВт | 0402C/СОД-923F | - | Соответствует RoHS | 641-CZRQC36VB-HFTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 27 В | 36 В | 95 Ом | ||||||||||||
![]() | МУР315ШР7Г | - | ![]() | 4737 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | МУР315 | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 В | 875 мВ при 3 А | 25 нс | 5 мкА при 150 В | -55°С ~ 175°С | 3А | - | |||||||||
![]() | JANTXV1N979BUR-1 | 7.5600 | ![]() | 2083 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 1N979 | 500 мВт | ДО-213АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 43 В | 56 В | 150 Ом | |||||||||||
| ГБПК101-Е4/51 | - | ![]() | 9300 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадратный, ГБПК-1 | GBPC101 | Стандартный | ГБПК1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 В при 1,5 А | 5 мкА при 100 В | 2 А | Однофазный | 100 В | ||||||||||||
![]() | DI108S_T0_00001 | 0,4800 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | ДИ108 | Стандартный | 4-СДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3757-DI108S_T0_00001 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 В @ 1 А | 5 мкА при 800 В | 1 А | Однофазный | 800 В | ||||||||||
![]() | ЭС3ДВ Р6Г | - | ![]() | 8345 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-ES3DVR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 900 мВ при 3 А | 20 нс | 10 мкА при 200 В | -55°С ~ 150°С | 3А | 45пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||
| DBLS106G C1G | - | ![]() | 9954 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | ДБЛС106 | Стандартный | ДБЛС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 В @ 1 А | 2 мкА при 800 В | 1 А | Однофазный | 800 В | ||||||||||||
![]() | 1SMB5949 | 0,1453 | ![]() | 3155 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | 1SMB5949 | 3 Вт | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 мкА при 76 В | 100 В | 250 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)