Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5924BPE3/TR12 | 0,9450 | ![]() | 4927 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N5924 | 1,5 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 7 В | 9,1 В | 4 Ом | |||||||||||||
![]() | 1N5384B | 0,7600 | ![]() | 960 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | ±5% | -65°С ~ 200°С | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | 5 Вт | Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 2368-1Н5384Б | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 1 А | 500 нА при 122 В | 160 В | 350 Ом | |||||||||||||||
![]() | CZRB5388B-HF | 0,2401 | ![]() | 8911 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | CZRB5388 | 5 Вт | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 152 В | 200 В | 480 Ом | |||||||||||||
![]() | ЯНККА1Н4615 | - | ![]() | 7775 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АА, ДО-7, Осевой | 500 мВт | ДО-7 (ДО-204АА) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANKCA1N4615 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 5 мкА при 1 В | 2 В | 1250 Ом | ||||||||||||||
![]() | СТПС2Х100АФИ | 0,4500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, ECOPACK®2 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-128 | Шоттки | СОД128Квартира | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 790 мВ при 2 А | 1 мкА при 100 В | -40°С ~ 175°С | 2А | - | |||||||||||||
![]() | PDZ13BGW115 | - | ![]() | 5357 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | * | Масса | Активный | скачать | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ПУАД4Б | 0,6800 | ![]() | 4935 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Стандартный | ТонДПАК | - | 1 (без блокировки) | 4500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 920 мВ при 4 А | 25 нс | 2 мкА при 100 В | -55°С ~ 175°С | 4А | 77пФ при 4 В, 1 МГц | ||||||||||||||||
![]() | SS29HE3_A/I | 0,1942 | ![]() | 2755 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | ВС29 | Шоттки | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3200 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 90 В | 950 мВ при 3 А | 30 мкА при 90 В | -55°С ~ 150°С | 1,5 А | - | |||||||||||||
![]() | ST1045C | 0,8200 | ![]() | 945 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | СТ1045 | Шоттки | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | -1765-ST1045C | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 45 В | - | 580 мВ при 5 А | 500 мкА при 45 В | -55°С ~ 150°С | |||||||||||
![]() | HZ9B1JRE-E | 0,1000 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ПЗУ3.6Б2,115 | 0,3800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | ПЗУ3.6 | 310 мВт | СОД-323Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,1 В @ 100 мА | 5 мкА при 1 В | 3,6 В | 90 Ом | |||||||||||||
![]() | 1N4739AP/TR12 | 1,8900 | ![]() | 1504 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4739 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 7 В | 9,1 В | 5 Ом | |||||||||||||
![]() | AMMSZ5236B-HF | 0,0725 | ![]() | 2187 | 0,00000000 | Комчип Технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | AMMSZ5236 | 500 мВт | СОД-123 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 641-AMMSZ5236B-HFTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 3 мкА при 6 В | 7,5 В | 6 Ом | |||||||||||||
| BZX84C9V1-7-F-31 | - | ![]() | 9541 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±6,04% | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БЗХ84 | 300 мВт | СОТ-23-3 | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 31-BZX84C9V1-7-F-31TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 500 нА при 6 В | 9,1 В | 15 Ом | ||||||||||||||
| 1N5278A | 3.1200 | ![]() | 2581 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±10% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N5278 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 129 В | 170 В | 1900 Ом | |||||||||||||||
![]() | 1Н4716УР-1/ТР | 5.2400 | ![]() | 1312 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 186 | 1,5 В при 100 мА | 10 нА при 29,6 В | 39 В | ||||||||||||||||||
![]() | RS2JWF-HF | 0,0863 | ![]() | 7590 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | RS2J | Стандартный | СОД-123Ф | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 641-RS2JWF-HFTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,3 В при 2 А | 250 нс | 5 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 30пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||
![]() | ABZT52C2V0-HF | 0,0690 | ![]() | 8207 | 0,00000000 | Комчип Технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | АБЗТ52 | 500 мВт | СОД-123 | - | Соответствует RoHS | 641-ABZT52C2V0-HFTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 150 мкА при 1 В | 2 В | 100 Ом | ||||||||||||||
![]() | CD6322 | 2.1014 | ![]() | 5710 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | - | Поверхностный монтаж | Править | Править | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CD6322 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C27 | - | ![]() | 4511 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | * | Масса | Активный | скачать | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF30CG-T | - | ![]() | 6524 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | Стандартный | ДО-201АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1200 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 В | 950 мВ при 3 А | 35 нс | 5 мкА при 150 В | -65°С ~ 150°С | 3А | - | ||||||||||||
| JANTXV1N970B-1/ТР | 3,2186 | ![]() | 3780 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N970B-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 18 В | 24 В | 33 Ом | |||||||||||||||
| ЯН1Н983Б-1/ТР | 2.1280 | ![]() | 4290 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯН1Н983Б-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 62 В | 82 В | 330 Ом | |||||||||||||||
![]() | АБС15М | 0,0740 | ![]() | 5225 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | Стандартный | АБС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2796-АБС15МТР | 8541.10.0000 | 5000 | 1,1 В при 2 А | 5 мкА при 1000 В | 2 А | Однофазный | 1 кВ | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N4993D | 45.1950 | ![]() | 3839 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/356 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | Е, Осевой | 5 Вт | Е, Осевой | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 228 В | 300 В | 950 Ом | |||||||||||||||
![]() | JANTXV1N6332CUS | 57.1050 | ![]() | 8401 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 500 мВт | Б, SQ-MELF | - | REACH не касается | 150-JANTXV1N6332CUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 50 нА при 17 В | 22 В | 20 Ом | |||||||||||||||
![]() | BZX584C12VQ | 0,0270 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-BZX584C12VQTR | EAR99 | 8000 | |||||||||||||||||||||||||
| БЗД27С68П МХГ | - | ![]() | 9046 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5,88% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | БЖД27 | 1 Вт | Суб-SMA | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 В при 200 мА | 1 мкА при 51 В | 68 В | 80 Ом | ||||||||||||||
![]() | ФБР5006 | 4.4000 | ![]() | 599 | 0,00000000 | ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. | - | Сумка | Активный | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-кв., БР-50 | Стандартный | БР-50 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2439-ФБР5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1,3 В при 25 А | 10 мкА при 600 В | 50 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||||||
![]() | БЗС84Б3В9-ТП | 0,0231 | ![]() | 2695 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | BZX84B3V9 | 350 мВт | СОТ-23 | скачать | 353-БЗС84Б3В9-ТП | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 мВ при 10 мА | 3 мкА при 1 В | 3,9 В | 90 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)