SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Ток - Макс. Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F
KBJA1510-BP Micro Commercial Co KBJA1510-BP 0,3392
запросить цену
ECAD 6820 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, Дж.Б. КБЖА1510 Стандартный Джей Би скачать 353-KBJA1510-BP EAR99 8541.10.0080 1 1 В при 7,5 А 5 мкА при 1000 В 15 А Однофазный 1 кВ
KBJ1006G-BP Micro Commercial Co KBJ1006G-BP 0,5250
запросить цену
ECAD 9461 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБЖ КБЖ1006 Стандартный КБЖ скачать 353-KBJ1006G-BP EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 5 А 5 мкА при 600 В 10 А Однофазный 600 В
KBP210G-BPS01 Micro Commercial Co KBP210G-BPS01 0,1788
запросить цену
ECAD 3458 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-SIP, фунты стерлингов КБП210 Стандартный Фонт драгоценностей скачать 353-КБП210Г-БПС01 EAR99 8541.10.0080 1 1,05 В при 2 А 10 мкА при 1000 В 2 А Однофазный 1 кВ
MMXZ5261C-TP Micro Commercial Co MMXZ5261C-TP 0,0488
запросить цену
ECAD 2413 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный ±2% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 MMXZ5261 200 мВт СОД-323 скачать 353-MMXZ5261C-TP EAR99 8541.10.0050 1 900 мВ при 100 мА 100 нА при 36 В 47 В 105 Ом
GBJ30K GeneSiC Semiconductor ГБДЖ30К 1,1205
запросить цену
ECAD 6434 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЖ GBJ30 Стандартный ГБЖ скачать Соответствует ROHS3 1242-GBJ30K EAR99 8541.10.0080 200 1,05 В @ 15 А 5 мкА при 800 В 30 А Однофазный 800 В
GBJ808-BP Micro Commercial Co GBJ808-BP 0,3863
запросить цену
ECAD 8771 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный -55°С ~ 150°С Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЖ GBJ808 Стандартный ГБЖ скачать 353-GBJ808-BP EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 4 А 5 мкА при 800 В 8 А Однофазный 800 В
GBPC3501W-BP Micro Commercial Co GBPC3501W-BP 2.0202
запросить цену
ECAD 8442 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Последняя покупка -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, ГБПК-З GBPC3501 Стандартный GBPC-W скачать 353-GBPC3501W-BP EAR99 8541.10.0080 1 1,1 В @ 17,5 А 5 мкА при 100 В 35 А Однофазный 100 В
MT5008A-BP Micro Commercial Co MT5008A-BP 7.2080
запросить цену
ECAD 8489 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 5-Квадрат, МТ-35А МТ5008 Стандартный МТ-35А скачать 353-MT5008A-BP EAR99 8541.10.0080 1 1,2 В при 25 А 10 мкА при 800 В 50 А Трехфазный 800 В
MT3510A-BPC02 Micro Commercial Co MT3510A-BPC02 -
запросить цену
ECAD 2624 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Трубка Последняя покупка -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 5-Квадрат, МТ-35А МТ3510 Стандартный МТ-35А - 353-MT3510A-BPC02 EAR99 8541.10.0080 1 1,2 В @ 17,5 А 10 мкА при 1000 В 35 А Трехфазный 1 кВ
MMB1G-G Comchip Technology ММБ1Г-Г -
запросить цену
ECAD 8846 0,00000000 Комчип Технология - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки Стандартный ММБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 5000 1,1 В @ 800 мА 5 мкА при 100 В 800 мА Однофазный 100 В
BZY55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C8V2 0,0350
запросить цену
ECAD 2631 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 0805 (метрика 2012 г.) БЗЫ55 500 мВт 0805 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-BZY55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 В при 10 мА 100 нА при 6,2 В 8,2 В 7 Ом
BZX84C3V9 Yangjie Technology BZX84C3V9 0,0200
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84C3 350 мВт СОТ-23 - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-BZX84C3V9TR EAR99 3000 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 1 В 3,9 В 90 Ом
AZ23C43 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 0,0786
запросить цену
ECAD 1248 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 AZ23C 300 мВт СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-AZ23C43TR EAR99 8541.10.0050 3000 1 пара общего анода 100 нА при 32 В 43 В 100 Ом
JANTXV1N4623UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4623UR-1/TR 12,5818
запросить цену
ECAD 1597 г. 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N4623UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 2 мкА при 2 В 4,3 В 1600 Ом
BZD27C75P R3G Taiwan Semiconductor Corporation БЗД27К75П Р3Г -
запросить цену
ECAD 7959 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±6,04% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЖД27 1 Вт Суб-SMA скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1800 г. 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 56 В 74,5 В 100 Ом
MBS2 Taiwan Semiconductor Corporation МБС2 0,6500
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-БЕСОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) МБС2 Стандартный МБС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 1 В при 400 мА 5 мкА при 200 В 500 мА Однофазный 200 В
1PGSMB5926HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5926HR5G 0,6300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ 1PGSMB5926 3 Вт ДО-214АА (СМБ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 850 1 мкА при 8,4 В 11 В 5,5 Ом
TSSA3U60 Taiwan Semiconductor Corporation ТССА3У60 0,2526
запросить цену
ECAD 4201 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА ТССА3 Шоттки ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 7500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 60 В 540 мВ при 3 А 25 нс 500 мкА при 60 В -55°С ~ 150°С 610пФ @ 4В, 1МГц
1N3154-1/TR Microchip Technology 1Н3154-1/ТР 6.6600
запросить цену
ECAD 7483 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АА, ДО-7, Осевой 1N3154 500 мВт ДО-7 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-1Н3154-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В @ 2 А 10 мкА при 5,5 В 8,8 В 15 Ом
BZG03C200-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C200-M3-18 0,5000
запросить цену
ECAD 8387 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов БЗГ03С-М Лента и катушка (TR) Активный ±6% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА БЗГ03С200 1,25 Вт ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 6000 1,2 В при 500 мА 1 мкА при 150 В 200 В 500 Ом
CZRT5253B-HF Comchip Technology CZRT5253B-HF 0,0620
запросить цену
ECAD 3184 0,00000000 Комчип Технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 CZRT5253 300 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 641-CZRT5253B-HFTR EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 19 В 25 В 35 Ом
BZY55C7V5 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C7V5 РЫГ 0,0350
запросить цену
ECAD 6307 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 0805 (метрика 2012 г.) БЗЫ55 500 мВт 0805 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 1,5 В @ 10 мА 100 нА при 5 В 7,5 В 7 Ом
GC4490-150B/TR Microchip Technology GC4490-150B/ТР -
запросить цену
ECAD 4488 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С Править GC4490 Чип - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 150-GC4490-150Б/ТР EAR99 8541.10.0040 1 0,1 пФ при 50 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 750В 1,5 Ом при 100 мА, 100 МГц
KBU1003G Taiwan Semiconductor Corporation КБУ1003Г 1,9362
запросить цену
ECAD 1022 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Поднос Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБУ Стандартный КБУ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-КБУ1003Г EAR99 8541.10.0080 500 1,1 В при 10 А 5 мкА при 200 В 10 А Однофазный 200 В
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S01FSTPL3 -
запросить цену
ECAD 7312 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 125°С (ТДж) 2-СМД, плоский вывод JDH2S01 ФСК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0070 10 000 25 мА 0,6 пФ @ 0,2 В, 1 МГц Шоттки - Single -
1PMT5954E3/TR13 Microchip Technology 1PMT5954E3/TR13 0,7350
запросить цену
ECAD 9368 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-216АА 1PMT5954 3 Вт ДО-216АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 12 000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 121,6 В 160 В 700 Ом
GC4531-00 Microchip Technology GC4531-00 -
запросить цену
ECAD 4976 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -55°С ~ 150°С Править Чип - REACH не касается 150-GC4531-00 EAR99 8541.10.0040 1 0,25 пФ при 50 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 300В 1,2 Ом при 100 мА, 100 МГц
MMSZ5248C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5248C-HE3_A-08 0,0566
запросить цену
ECAD 5472 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123 500 мВт СОД-123 скачать 112-MMSZ5248C-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15 000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 14 В 18 В 21 Ом
BA479G-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA479G-TR 0,4100
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) ДО-204АХ, ДО-35, осевой ВА479 ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 10 000 50 мА 0,5 пФ при 0 В, 100 МГц PIN-код – одиночный 30В 50 Ом при 1,5 мА, 100 МГц
BAT1504WH6327XTSA1 Infineon Technologies БАТ1504WH6327XTSA1 0,6700
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) СК-70, СОТ-323 БАТ1504 PG-SOT323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 110 мА 100 мВт 0,35 пФ при 0 В, 1 МГц Шоттки — 1 пара последовательного соединения -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе