SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
JANS1N4483CUS Microchip Technology JANS1N4483CUS 283.8300
запросить цену
ECAD 3789 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, А 1,5 Вт Д-5А - REACH не касается 150-JANS1N4483CUS EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 250 нА при 44,8 В 56 В 70 Ом
BZT52C5V1LP-7 Diodes Incorporated БЗТ52С5В1ЛП-7 0,4500
запросить цену
ECAD 23 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный ±6% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж 0402 (1006 Метрическая единица) БЗТ52 250 мВт X1-DFN1006-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
KBPC3510W Solid State Inc. KBPC3510W 1,4900
запросить цену
ECAD 260 0,00000000 Solid State Inc. КБПК35 Масса Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, КБПК-З Стандартный КБПЦ-В скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-KBPC3510W EAR99 8541.10.0080 10 1,2 В @ 17,5 А 10 мкА при 1000 В 35 А Однофазный 1 кВ
SMBG5388B/TR13 Microchip Technology СМБГ5388Б/ТР13 2.2500
запросить цену
ECAD 3228 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» СМБГ5388 5 Вт СМБГ (ДО-215АА) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 1 А 500 нА при 144 В 200 В 480 Ом
JANTXV1N4104UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4104UR-1/TR 11.7306
запросить цену
ECAD 7084 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N4104UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 7,6 В 10 В 200 Ом
V3FM12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division В3ФМ12ХМ3/И 0,0891
запросить цену
ECAD 4393 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-219АБ В3ФМ12 Шоттки ДО-219АБ (СМФ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.10.0080 10 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 120 В 940 мВ при 3 А 100 мкА при 120 В -40°С ~ 175°С 220пФ @ 4В, 1МГц
G5SBA20L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA20L-E3/45 -
запросить цену
ECAD 6008 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ G5SBA20 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 20 1,05 В при 3 А 5 мкА при 200 В 2,8 А Однофазный 200 В
BZX84B36-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B36-HE3_A-18 -
запросить цену
ECAD 6444 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX84 Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 300 мВт СОТ-23-3 скачать 112-BZX84B36-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 1 50 нА при 25,2 В 36 В 90 Ом
UZ8120 Microchip Technology УЗ8120 22.4400
запросить цену
ECAD 8049 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие А, Осевой 1 Вт А, Осевой - REACH не касается 150-УЗ8120 EAR99 8541.10.0050 1 500 нА при 152 В 200 В 1500 Ом
CD5243D Microchip Technology CD5243D -
запросить цену
ECAD 3367 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж Править 500 мВт Править - REACH не касается 150-CD5243D EAR99 8541.10.0050 233 1,5 В при 200 мА 500 нА при 9,9 В 13 В 13 Ом
UZ8718 Microchip Technology УЗ8718 22.4400
запросить цену
ECAD 6935 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие А, Осевой 1 Вт А, Осевой - REACH не касается 150-УЗ8718 EAR99 8541.10.0050 1 500 нА при 13,7 В 18 В 20 Ом
ES3J Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ES3J 0,4700
запросить цену
ECAD 6089 0,00000000 Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК Стандартный ДО-214АБ (СМК) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,7 В при 3 А 35 нс 5 мкА при 600 В -55°С ~ 150°С 29пФ @ 4В, 1МГц
BZG05B7V5-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B7V5-HE3-TR -
запросить цену
ECAD 7700 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZG05B Лента и катушка (TR) Устаревший ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА БЗГ05 1,25 Вт ДО-214АС - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0050 6000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 4,5 В 7,5 В 3 Ом
CD6640 Microchip Technology CD6640 0,9310
запросить цену
ECAD 5235 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CD6640 1
MM3Z2V4T1GX Nexperia USA Inc. ММ3Z2V4T1GX 0,2200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Нексперия США Инк. ММ3Z Лента и катушка (TR) Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 300 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,1 В @ 100 мА 50 мкА при 1 В 2,4 В 100 Ом
1SMA4738 M2G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4738 М2Г -
запросить цену
ECAD 2296 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА 1SMA4738 1,25 Вт ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 7500 5 мкА при 6 В 8,2 В 4,5 Ом
RKD706KV#P6 Renesas Electronics America Inc РКД706КВ#П6 0,1100
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный РКД706 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000
1PGSMA4761 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4761 Р3Г 0,4200
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА 1PGSMA4761 1,25 Вт ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1800 г. 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 56 В 75 В 175 Ом
FERD20H60CTS STMicroelectronics ФЕРД20H60CTS 1,0000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 СТМикроэлектроника - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ФЕРД20 FERD (полевой выпрямительный диод) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 60 В 10А 575 мВ при 10 А 200 мкА при 60 В 175°С (макс.)
DBL157GH Taiwan Semiconductor Corporation Двухместный номер 157GH 0,2874
запросить цену
ECAD 1026 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) Двухместный номер 157 Стандартный двухместный номер скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В при 1,5 А 2 мкА при 1000 В 1,5 А Однофазный 1 кВ
P2000K-CT Diotec Semiconductor P2000K-CT 3.1130
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Диотек Полупроводник - Полоска Активный Сквозное отверстие P600, Осевой П2000К Стандартный Р600 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2721-П2000К-КТ 8541.10.0000 12 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 800 В 1,1 В при 20 А 1,5 мкс 10 мкА при 800 В -50°С ~ 150°С 20А -
GBPC2508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508W 3.1618
запросить цену
ECAD 9061 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация GBPC25 Поднос Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, ГБПК-З GBPC2508 Стандартный GBPC-W скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-GBPC2508W EAR99 8541.10.0080 200 1,1 В @ 12,5 А 5 мкА при 800 В 25 А Однофазный 800 В
TS10K80 Taiwan Semiconductor Corporation ТС10К80 1,4500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЛ ТС10К80 Стандартный ТС4К скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 20 1 В @ 2 А 10 мкА при 800 В 10 А Однофазный 800 В
1N4744CP/TR12 Microchip Technology 1N4744CP/TR12 2.2800
запросить цену
ECAD 2251 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4744 1 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 11,4 В 15 В 14 Ом
JAN1N5539C-1/TR Microchip Technology JAN1N5539C-1/ТР 9.9351
запросить цену
ECAD 4086 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/437 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯН1Н5539С-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 17,1 В 19 В 100 Ом
JANTX1N980CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N980CUR-1/ТР 13.9384
запросить цену
ECAD 3030 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N980 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N980CUR-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 47 В 62 В 185 Ом
ER2J_R1_00001 Panjit International Inc. ER2J_R1_00001 0,3800
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ ER2J Стандартный СМБ (ДО-214АА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-ER2J_R1_00001TR EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,7 В при 2 А 35 нс 1 мкА при 600 В -55°С ~ 150°С 25пФ @ 4В, 1МГц
V3PM6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division В3ПМ6-М3/Ч 0,3700
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов эСМП®, ТМБС® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-220АА В3ПМ6 Шоттки ДО-220АА (СМП) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 60 В 500 мВ при 1,5 А 200 мкА при 60 В -40°С ~ 175°С 2,4А 400пФ @ 4В, 1МГц
S36130 Microchip Technology S36130 61.1550
запросить цену
ECAD 2627 0,00000000 Микрочиповая технология * Масса Активный - REACH не касается 150-С36130 1
DB151S SMC Diode Solutions ДБ151С 0,1098
запросить цену
ECAD 7103 0,00000000 Диодные решения SMC - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБ151 Стандартный ДБ-С скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В при 1,5 А 5 мкА при 50 В 1,5 А Однофазный 50 В
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе