SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
HZ11CP91TK Renesas Electronics America Inc HZ11CP91TK 0,3600
запросить цену
ECAD 612 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0050 1
CDLL5543/TR Microchip Technology CDLL5543/ТР 5.9052
запросить цену
ECAD 3816 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ 500 мВт ДО-213АБ - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CDLL5543/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 21 В 25 В 100 Ом
BAT54-AQ Diotec Semiconductor БАТ54-АК 0,0347
запросить цену
ECAD 7746 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БАТ54 Шоттки СОТ-23-3 (ТО-236) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-BAT54-AQTR 8541.10.0000 3000 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 30 В 1 В при 100 мА 5 нс 2 мкА при 25 В -55°С ~ 150°С 200 мА 10 пФ @ 0 В, 1 МГц
JANTXV1N5618 Microchip Technology JANTXV1N5618 7,8750
запросить цену
ECAD 8759 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/427 Масса Активный Сквозное отверстие А, Осевой 1N5618 Стандартный А, Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 1,3 В при 3 А 2 мкс 500 нА при 600 В -65°С ~ 200°С -
JAN1N3337B Microchip Technology ЯН1Н3337Б -
запросить цену
ECAD 5330 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/358 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Крепление шпильки ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 50 Вт ДО-5 - REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 10 А 10 мкА при 56 В 75 В 9 Ом
1N5537 Microchip Technology 1N5537 1,8150
запросить цену
ECAD 3587 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±20% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - REACH не касается 150-1Н5537 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 14 В 17 В
SMBG5374C/TR13 Microchip Technology SMBG5374C/TR13 2,8650
запросить цену
ECAD 7051 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» СМБГ5374 5 Вт СМБГ (ДО-215АА) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 1 А 500 нА при 54 В 75 В 45 Ом
MAZ8270GML Panasonic Electronic Components МАЗ8270ГМЛ -
запросить цену
ECAD 5420 0,00000000 Электронные компоненты Panasonic - Лента и катушка (TR) Устаревший ±7% - Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф МАЗ827 150 мВт SMini2-F3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0050 3000 1 В при 10 мА 50 нА при 21 В 27 В 120 Ом
MUR320S V7G Taiwan Semiconductor Corporation МУР320С В7Г -
запросить цену
ECAD 9666 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК МУР320 Стандартный ДО-214АБ (СМК) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 850 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 200 В 875 мВ при 3 А 25 нс 5 мкА при 200 В -55°С ~ 175°С -
JANKCA1N5528B Microchip Technology JANKCA1N5528B -
запросить цену
ECAD 9502 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/437 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANKCA1N5528B EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 7,5 В 8,2 В 40 Ом
BZD27B4V7P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division БЗД27Б4В7П-НЕ3-18 0,1238
запросить цену
ECAD 7181 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27B Лента и катушка (TR) Активный - -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЗД27Б4В7 800 мВт ДО-219АБ (СМФ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 50 000 1,2 В @ 200 мА 10 мкА при 1 В 4,7 В 7 Ом
SBLF2040CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLF2040CT-E3/45 -
запросить цену
ECAD 1479 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка СБЛФ2040 Шоттки ИТО-220АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 40 В 10А 600 мВ при 10 А 1 при мА 40 В -55°С ~ 150°С
UT262 Microchip Technology УТ262 9.2550
запросить цену
ECAD 8412 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный Сквозное отверстие А, Осевой Стандартный А, Осевой - REACH не касается 150-УТ262 EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 200 В 1 В при 900 мА 2 мкА при 200 В -65°С ~ 175°С -
JANTX1N4490 Microchip Technology JANTX1N4490 13.3350
запросить цену
ECAD 7717 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4490 1,5 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 250 нА при 88 В 110 В 300 Ом
JAN1N4126-1 Microchip Technology ЯН1Н4126-1 -
запросить цену
ECAD 2252 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Снято с производства в НИЦ ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 38,8 В 51 В 300 Ом
CBR1F-D100 Central Semiconductor Corp ЦБР1Ф-Д100 -
запросить цену
ECAD 1052 0,00000000 Центральная полупроводниковая корпорация - Трубка Устаревший -65°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-ЭДИП (0,300", 7,62 мм) Стандартный 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1,3 В при 1 А 10 мкА при 1000 В 1 А Однофазный 1 кВ
JAN1N4964C Microchip Technology ЯН1N4964C 15.3750
запросить цену
ECAD 1455 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие Е, Осевой 1N4964 5 Вт Е, Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 5 мкА при 13,7 В 18 В 4 Ом
CDLL755 Microchip Technology CDLL755 2,8650
запросить цену
ECAD 7707 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±10% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ CDLL755 500 мВт ДО-213АБ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 2 мкА при 5 В 7,5 В 6 Ом
BZX55A24-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55A24-TAP -
запросить цену
ECAD 4957 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Устаревший ±1% 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX55 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 В при 200 мА 100 нА при 18 В 24 В 80 Ом
SET050323 Semtech Corporation SET050323 -
запросить цену
ECAD 6585 0,00000000 Корпорация Семтек - Масса Снято с производства в НИЦ Крепление на шасси Модуль НАБОР 05 - - скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) - 500 В 20А 1,6 В при 36 А 50 нс 40 мкА при 500 В -55°С ~ 150°С
BAT46W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd БАТ46В 0,1500
запросить цену
ECAD 2035 год 0,00000000 Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОД-123 Шоттки СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 100 В 450 мВ при 10 мА 2 мкА при 75 В 125°С 150 мА 20пФ @ 0В, 1МГц
JAN1N3038CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N3038CUR-1/TR 29.0339
запросить цену
ECAD 7600 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/115 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) 1 Вт ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JAN1N3038CUR-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В @ 200 мА 10 мкА при 42,6 В 56 В 110 Ом
JANTX1N983C-1/TR Microchip Technology JANTX1N983C-1/ТР 6.3707
запросить цену
ECAD 3758 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N983 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N983C-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 62 В 82 В 330 Ом
1N5262A Microchip Technology 1N5262A 2.1000
запросить цену
ECAD 3752 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±10% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N5262 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 200 мА 100 нА при 39 В 51 В 125 Ом
JANTXV1N3316B Microchip Technology JANTXV1N3316B -
запросить цену
ECAD 9393 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/358 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Крепление шпильки ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 50 Вт ДО-5 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N3316B EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 10 А 10 мкА при 13 В 17 В 1,8 Ом
1N4746A G Microsemi Corporation 1N4746A Г -
запросить цену
ECAD 3367 0,00000000 Корпорация Микросеми - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4746 1 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В @ 200 мА 5 мкА при 13,7 В 18 В 20 Ом
BZT52H-C30,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C30,115 0,3200
запросить цену
ECAD 386 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 50 нА при 21 В 30 В 40 Ом
JANTXV1N3821C-1 Microchip Technology JANTXV1N3821C-1 25.4250
запросить цену
ECAD 7685 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/115 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО041, осевой 1 Вт ДО-41 - REACH не касается 150-JANTXV1N3821C-1 EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В @ 200 мА 100 мкА при 1 В 3,3 В 10 Ом
SS35 R6G Taiwan Semiconductor Corporation СС35 Р6Г -
запросить цену
ECAD 7658 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК Шоттки ДО-214АБ (СМК) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-SS35R6GTR EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 50 В 750 мВ при 3 А 500 мкА при 50 В -55°С ~ 150°С -
G3S12040B Global Power Technology Co. Ltd G3S12040B -
запросить цену
ECAD 8295 0,00000000 Компания Global Power Technology Co. Ltd. - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247АБ - Поставщик не определен 4436-Г3С12040Б 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 64,5 А (постоянный ток) 1,7 В @ 15 А 0 нс 50 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе