Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HZ11CP91TK | 0,3600 | ![]() | 612 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5543/ТР | 5.9052 | ![]() | 3816 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±20% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | 500 мВт | ДО-213АБ | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CDLL5543/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 21 В | 25 В | 100 Ом | ||||||||||||||
![]() | БАТ54-АК | 0,0347 | ![]() | 7746 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БАТ54 | Шоттки | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2796-BAT54-AQTR | 8541.10.0000 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 30 В | 1 В при 100 мА | 5 нс | 2 мкА при 25 В | -55°С ~ 150°С | 200 мА | 10 пФ @ 0 В, 1 МГц | ||||||||||||
![]() | JANTXV1N5618 | 7,8750 | ![]() | 8759 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/427 | Масса | Активный | Сквозное отверстие | А, Осевой | 1N5618 | Стандартный | А, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600 В | 1,3 В при 3 А | 2 мкс | 500 нА при 600 В | -65°С ~ 200°С | 1А | - | |||||||||||
![]() | ЯН1Н3337Б | - | ![]() | 5330 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 | - | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 10 А | 10 мкА при 56 В | 75 В | 9 Ом | ||||||||||||||||
| 1N5537 | 1,8150 | ![]() | 3587 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±20% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-1Н5537 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 14 В | 17 В | |||||||||||||||||
![]() | SMBG5374C/TR13 | 2,8650 | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | СМБГ5374 | 5 Вт | СМБГ (ДО-215АА) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В @ 1 А | 500 нА при 54 В | 75 В | 45 Ом | |||||||||||||
![]() | МАЗ8270ГМЛ | - | ![]() | 5420 | 0,00000000 | Электронные компоненты Panasonic | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±7% | - | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | МАЗ827 | 150 мВт | SMini2-F3 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 В при 10 мА | 50 нА при 21 В | 27 В | 120 Ом | |||||||||||||||
![]() | МУР320С В7Г | - | ![]() | 9666 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | МУР320 | Стандартный | ДО-214АБ (СМК) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 В | 875 мВ при 3 А | 25 нс | 5 мкА при 200 В | -55°С ~ 175°С | 3А | - | |||||||||||
| JANKCA1N5528B | - | ![]() | 9502 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/437 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANKCA1N5528B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 7,5 В | 8,2 В | 40 Ом | |||||||||||||||
![]() | БЗД27Б4В7П-НЕ3-18 | 0,1238 | ![]() | 7181 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZD27B | Лента и катушка (TR) | Активный | - | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | БЗД27Б4В7 | 800 мВт | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 000 | 1,2 В @ 200 мА | 10 мкА при 1 В | 4,7 В | 7 Ом | |||||||||||||
![]() | SBLF2040CT-E3/45 | - | ![]() | 1479 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | СБЛФ2040 | Шоттки | ИТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 40 В | 10А | 600 мВ при 10 А | 1 при мА 40 В | -55°С ~ 150°С | ||||||||||||
| УТ262 | 9.2550 | ![]() | 8412 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | А, Осевой | Стандартный | А, Осевой | - | REACH не касается | 150-УТ262 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1 В при 900 мА | 2 мкА при 200 В | -65°С ~ 175°С | 2А | - | |||||||||||||||
| JANTX1N4490 | 13.3350 | ![]() | 7717 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/406 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4490 | 1,5 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 250 нА при 88 В | 110 В | 300 Ом | ||||||||||||||
| ЯН1Н4126-1 | - | ![]() | 2252 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Снято с производства в НИЦ | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 38,8 В | 51 В | 300 Ом | ||||||||||||||||
![]() | ЦБР1Ф-Д100 | - | ![]() | 1052 | 0,00000000 | Центральная полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Устаревший | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-ЭДИП (0,300", 7,62 мм) | Стандартный | 4-ДИП | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,3 В при 1 А | 10 мкА при 1000 В | 1 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||||||||||||
| ЯН1N4964C | 15.3750 | ![]() | 1455 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/356 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | Е, Осевой | 1N4964 | 5 Вт | Е, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 5 мкА при 13,7 В | 18 В | 4 Ом | ||||||||||||||
| CDLL755 | 2,8650 | ![]() | 7707 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±10% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ | CDLL755 | 500 мВт | ДО-213АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 2 мкА при 5 В | 7,5 В | 6 Ом | ||||||||||||||
![]() | BZX55A24-TAP | - | ![]() | 4957 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±1% | 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | BZX55 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 18 В | 24 В | 80 Ом | |||||||||||||
![]() | SET050323 | - | ![]() | 6585 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | Крепление на шасси | Модуль | НАБОР 05 | - | - | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | - | 500 В | 20А | 1,6 В при 36 А | 50 нс | 40 мкА при 500 В | -55°С ~ 150°С | ||||||||||||
![]() | БАТ46В | 0,1500 | ![]() | 2035 год | 0,00000000 | Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-123 | Шоттки | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 100 В | 450 мВ при 10 мА | 2 мкА при 75 В | 125°С | 150 мА | 20пФ @ 0В, 1МГц | |||||||||||||
![]() | JAN1N3038CUR-1/TR | 29.0339 | ![]() | 7600 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) | 1 Вт | ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JAN1N3038CUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 10 мкА при 42,6 В | 56 В | 110 Ом | ||||||||||||||
| JANTX1N983C-1/ТР | 6.3707 | ![]() | 3758 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N983 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N983C-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 62 В | 82 В | 330 Ом | ||||||||||||||
| 1N5262A | 2.1000 | ![]() | 3752 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±10% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N5262 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 39 В | 51 В | 125 Ом | |||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3316B | - | ![]() | 9393 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N3316B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 10 А | 10 мкА при 13 В | 17 В | 1,8 Ом | ||||||||||||||
![]() | 1N4746A Г | - | ![]() | 3367 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4746 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 5 мкА при 13,7 В | 18 В | 20 Ом | |||||||||||||
![]() | BZT52H-C30,115 | 0,3200 | ![]() | 386 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С (ТА) | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | БЗТ52 | 375 мВт | СОД-123Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 50 нА при 21 В | 30 В | 40 Ом | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N3821C-1 | 25.4250 | ![]() | 7685 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО041, осевой | 1 Вт | ДО-41 | - | REACH не касается | 150-JANTXV1N3821C-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В @ 200 мА | 100 мкА при 1 В | 3,3 В | 10 Ом | |||||||||||||||
![]() | СС35 Р6Г | - | ![]() | 7658 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | Шоттки | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-SS35R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 750 мВ при 3 А | 500 мкА при 50 В | -55°С ~ 150°С | 3А | - | ||||||||||||
![]() | G3S12040B | - | ![]() | 8295 | 0,00000000 | Компания Global Power Technology Co. Ltd. | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-247АБ | - | Поставщик не определен | 4436-Г3С12040Б | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1 пара с общим катодом | 1200 В | 64,5 А (постоянный ток) | 1,7 В @ 15 А | 0 нс | 50 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)