SIC
close

Диоды(166326)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Ток - Макс. Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
JANTX1N4955/TR Microchip Technology JANTX1N4955/ТР 6,2776
запросить цену
 ECAD 2190 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие Е, Осевой 5 Вт скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N4955/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 100 мкА при 5,7 В 7,5 В 1,5 Ом
SB1540-3G Diotec Semiconductor СБ1540-3Г 0,4870
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Сквозное отверстие Осевой Шоттки Осевой скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 2796-SB1540-3GTR 8541.10.0000 1250 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 550 мВ при 15 А 500 мкА при 40 В -50°С ~ 150°С 15А -
BSDH10G120E2 Bourns Inc. БСДХ10Г120Е2 5.0900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Борнс Инк. - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 118-БСДХ10Г120Е2 EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 1,6 В при 10 А 50 мкА при 1,2 кВ -55°С ~ 175°С 10А 481пФ @ 1В, 1МГц
GC4312-00 Microchip Technology GC4312-00 -
запросить цену
 ECAD 5394 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -55°С ~ 150°С Править Чип - REACH не касается 150-GC4312-00 EAR99 8541.10.0040 1 0,2 пФ @ 10 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 100В 900 мОм при 20 мА, 1 ГГц
DZ9F3V9S92-7 Diodes Incorporated ДЗ9Ф3В9С92-7 0,3500
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-923 ДЗ9Ф3 200 мВт СОД-923 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,9 В 100 Ом
ZPD3B3 Diotec Semiconductor ЗПД3Б3 0,0225
запросить цену
 ECAD 5526 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -50°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Непригодный Непригодный Поставщик не определен 2796-ЗПД3Б3ТР 8541.10.0000 10 000 33 В 80 Ом
1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1СВ271ТПХ3Ф -
запросить цену
 ECAD 8514 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 125°С (ТДж) СК-76, СОД-323 1СВ271 ОСК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 50 мА 0,4 пФ при 50 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 50 В 4,5 Ом при 10 мА, 100 МГц
JANTX1N971B-1/TR Microchip Technology JANTX1N971B-1/ТР 2,3541
запросить цену
 ECAD 7224 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N971B-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 21 В 27 В 41 Ом
DMV1500LFD5 STMicroelectronics ДМВ1500ЛФД5 -
запросить цену
 ECAD 9799 0,00000000 СТМикроэлектроника - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) ТО-220-3 Полный пакет, формованные выводы ДМВ1500 ТО-220ФПАБ Ф5 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 497-4195-5 EAR99 8541.10.0080 810 4 А - Стандарт — 1 пара непрерывного подключения 1500В -
BZY55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C8V2 0,0350
запросить цену
 ECAD 2631 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 0805 (метрика 2012 г.) БЗЫ55 500 мВт 0805 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-BZY55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 В @ 10 мА 100 нА при 6,2 В 8,2 В 7 Ом
ZMV931TA Diodes Incorporated ЗМВ931ТА -
запросить цену
 ECAD 7881 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Устаревший - Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 ЗМВ931 СОД-323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3000 4пФ @ 4В, 50МГц Одинокий 12 В - 300 при 4 В, 50 МГц
JAN1N976D-1 Microchip Technology ЯН1Н976Д-1 5.4900
запросить цену
 ECAD 4855 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N976 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 33 В 43 В 93 Ом
NTE5309 NTE Electronics, Inc НТЕ5309 2,9700
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный -65°С ~ 125°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-ЭСИП Стандартный 4-SIP скачать Соответствует ROHS3 2368-НТЭ5309 EAR99 8541.10.0080 1 1,1 В при 2 А 10 мкА при 200 В 4 А Однофазный 200 В
JAN1N4102-1 Microchip Technology ЯН1Н4102-1 4.1100
запросить цену
 ECAD 5755 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N4102 ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 6,7 В 8,7 В 200 Ом
R6021225HSYA Powerex Inc. R6021225ХСЯ -
запросить цену
 ECAD 7906 0,00000000 Powerex Inc. - Масса Активный Шасси, Крепление на шпильке ДО-205АБ, ДО-9, шпилька Р6021225 Стандартный ДО-205АБ (ДО-9) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1200 В 2 В при 800 А 1 мкс 50 при мА 1200 В -45°С ~ 150°С 250А -
WNSC101200WQ WeEn Semiconductors WNSC101200WQ 5.4441
запросить цену
 ECAD 8880 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК1 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 10 А 0 нс 110 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 10А 510пФ @ 1В, 1МГц
PZU4.7B,115 Nexperia USA Inc. ПЗУ4.7Б,115 0,0616
запросить цену
 ECAD 9354 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф ПЗУ4.7 310 мВт СОД-323Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,1 В @ 100 мА 2 мкА при 1 В 4,7 В 80 Ом
MMBZ5242BT-7-G Diodes Incorporated ММБЗ5242БТ-7-Г -
запросить цену
 ECAD 5375 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед * Лента и катушка (TR) Устаревший - 1 (без блокировки) REACH не касается MMBZ5242BT-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3000
BZT52C20 Diotec Semiconductor БЗТ52С20 -
запросить цену
 ECAD 1341 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -50°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123Ф 500 мВт СОД-123Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-БЗТ52С20ТР 8541.10.0000 3000 100 нА при 15 В 20 В 50 Ом
CBR1-L100M Central Semiconductor Corp ЦБР1-Л100М -
запросить цену
 ECAD 7195 0,00000000 Центральная полупроводниковая корпорация - Масса Устаревший -65°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-SIP ЦБР1-Л100 Стандартный БМ скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается CBR1-L100M PBFREE EAR99 8541.10.0080 35 1 В @ 1 А 10 мкА при 1000 В 1,5 А Однофазный 1 кВ
1N4987 Semtech Corporation 1N4987 -
запросить цену
 ECAD 3470 0,00000000 Корпорация Семтек - Масса Снято с производства в НИЦ ±5% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие Осевой 1N4987 5 Вт Осевой скачать Непригодный 1N4987S EAR99 8541.10.0050 1 2 мкА при 121,6 В 160 В 350 Ом
GDZ3V0LP3-7 Diodes Incorporated ГДЗ3В0ЛП3-7 0,2700
запросить цену
 ECAD 44 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 0201 (0603 Метрическая единица) ГДЗ3В0 250 мВт X3-DFN0603-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 10 мкА при 1 В 3 В
MURS150T3 onsemi МУРС150Т3 0,0500
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 онсеми * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0080 1
HZ11CP91TK Renesas Electronics America Inc HZ11CP91TK 0,3600
запросить цену
 ECAD 612 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0050 1
ABS15K Diotec Semiconductor АБС15К 0,0740
запросить цену
 ECAD 1750 г. 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки Стандартный АБС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-АБС15КТР 8541.10.0000 5000 1,1 В при 2 А 5 мкА при 800 В 2 А Однофазный 800 В
BAT54-AQ Diotec Semiconductor БАТ54-АК 0,0347
запросить цену
 ECAD 7746 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БАТ54 Шоттки СОТ-23-3 (ТО-236) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-BAT54-AQTR 8541.10.0000 3000 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 30 В 1 В при 100 мА 5 нс 2 мкА при 25 В -55°С ~ 150°С 200 мА 10 пФ @ 0 В, 1 МГц
3EZ5.6D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ5.6D10/TR8 -
запросить цену
 ECAD 4218 0,00000000 Корпорация Микросеми - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 3EZ5.6 3 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1500 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 2 В 5,6 В 2,5 Ом
CDLL5543/TR Microchip Technology CDLL5543/ТР 5.9052
запросить цену
 ECAD 3816 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ 500 мВт ДО-213АБ - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CDLL5543/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 21 В 25 В 100 Ом
CDLL988B Microchip Technology CDLL988B 8.1150
запросить цену
 ECAD 4815 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный CDLL988 - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1
JANTXV1N5618 Microchip Technology JANTXV1N5618 7,8750
запросить цену
 ECAD 8759 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/427 Масса Активный Сквозное отверстие А, Осевой 1N5618 Стандартный А, Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 1,3 В при 3 А 2 мкс 500 нА при 600 В -65°С ~ 200°С 1А -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.