Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DF01S-E3/77 | 0,8000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | DF01 | Стандартный | ДФС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1500 | 1,1 В @ 1 А | 5 мкА при 100 В | 1 А | Однофазный | 100 В | ||||||||||
| ЯН1N4976C | 14.1000 | ![]() | 3009 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/356 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | Е, Осевой | 1N4976 | 5 Вт | Е, Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 42,6 В | 56 В | 35 Ом | |||||||||||
![]() | ЯН1Н3048Б-1 | - | ![]() | 4955 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115N | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-13 | 1 Вт | ДО-13 (ДО-202АА) | - | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 10 мкА при 114 В | 150 В | 1000 Ом | |||||||||||||
![]() | ZPY24 | 0,0986 | ![]() | 5423 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-41, осевой | 1,3 Вт | ДО-41/ДО-204АС | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | 2796-ZPY24TR | 8541.10.0000 | 5000 | 1 мкА при 12 В | 24 В | 7 Ом | |||||||||||||
| JANS1N4480US/TR | 86.7300 | ![]() | 8703 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/406 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, А | 1,5 Вт | А, SQ-MELF | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANS1N4480US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 50 нА при 34,4 В | 43 В | 40 Ом | ||||||||||||
![]() | РД15ЭС-Т1-АЗ | 0,0600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N4975DUS/TR | 29.6100 | ![]() | 2709 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JAN1N4975DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 38,8 В | 51 В | 27 Ом | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N4133UR-1/TR | 10.1080 | ![]() | 7802 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N4133UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 66,2 В | 87 В | 1000 Ом | |||||||||||
![]() | СЗММБЗ5245БЛТ3Г | 0,0254 | ![]() | 7346 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СЗММБЗ5245 | 225 мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 11 В | 15 В | 16 Ом | ||||||||||
![]() | NTE5177A | 35.0000 | ![]() | 51 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Шасси, Крепление на шпильке | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | 10 Вт | ДО-4 | скачать | Соответствует ROHS3 | 2368-НТЭ5177А | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5,1 В | 1,1 Ом | ||||||||||||||
![]() | 1N6543/ТР | 11.7300 | ![]() | 2953 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-1Н6543/ТР | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | ЯНС1Н4964Д | 374.1920 | ![]() | 9171 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANS1N4964D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | СМЗДЖ3791Б-М3/52 | 0,1304 | ![]() | 4469 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗЖ3791 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 мкА при 9,1 В | 12 В | 7 Ом | |||||||||||
![]() | TSZL52C3V0 РРГ | - | ![]() | 2796 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 125°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 1005 (2512 Метрическая единица) | ТСЗЛ52 | 200 мВт | 1005 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 900 мВ при 10 мА | 50 мкА при 1 В | 3 В | 95 Ом | ||||||||||
![]() | GBU4JL-5708M3/51 | - | ![]() | 4223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ4 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 600 В | 3 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||
![]() | 1N5344B | - | ![]() | 7659 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | ±5% | -65°С ~ 200°С | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | 1N5344 | 5 Вт | Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1N5344БОС | EAR99 | 8541.10.0050 | 1000 | 1,2 В @ 1 А | 10 мкА при 6,2 В | 8,2 В | 1,5 Ом | |||||||||
![]() | 1N4551R | 15.5000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Коробка | Активный | ±20% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-1Н4551Р | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 В при 10 А | 4,7 В | 0,12 Ом | |||||||||||
![]() | G3SBA60L-6841E3/51 | - | ![]() | 2792 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G3SBA60 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 2 А | 5 мкА при 600 В | 2,3 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||
![]() | Б240АQ-13-Ф | 0,3900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | Б240 | Шоттки | СМА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 500 мВ при 2 А | 500 мкА при 40 В | -65°С ~ 150°С | 2А | 200пФ @ 40В, 1МГц | |||||||||
![]() | Г3СБА80Л-6000М3/51 | - | ![]() | 2631 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G3SBA80 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 2 А | 5 мкА при 800 В | 2,3 А | Однофазный | 800 В | |||||||||||
![]() | JANTX1N5531CUR-1 | 37,7850 | ![]() | 7077 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/437 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 1N5531 | 500 мВт | ДО-213АА | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 50 нА при 9,9 В | 11 В | 80 Ом | ||||||||||
![]() | JANTX1N757CUR-1/ТР | 9.8021 | ![]() | 7681 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N757CUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 1 мкА при 7 В | 9,1 В | 10 Ом | |||||||||||
![]() | GBL06L-6870E3/51 | - | ![]() | 5070 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ06 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 600 В | 3 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||
![]() | STPS3170AF | 0,5800 | ![]() | 15 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | ЭКОПАК® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | DO-214AC, плоские выводы SMA | СТПС3170 | Шоттки | СМАквартира | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 497-15318-2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 170 В | 820 мВ при 3 А | 4 мкА при 170 В | -40°С ~ 175°С | 3А | - | ||||||||
![]() | СБТ1045-3Г | 0,6127 | ![]() | 6782 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | Шоттки | ТО-220АС | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | 2796-SBT1045-3G | 8541.10.0000 | 50 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45 В | 500 мВ при 10 А | 120 мкА при 45 В | -55°С ~ 150°С | 10А | - | |||||||||||
![]() | BZX79-C2V7,133 | 0,0200 | ![]() | 209 | 0,00000000 | NXP США Инк. | * | Масса | Активный | БЗХ79 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5927B | - | ![]() | 4365 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | ±5% | -65°С ~ 200°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N5927 | 3 Вт | Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 2000 г. | 1,5 В при 200 мА | 1 мкА при 9,1 В | 12 В | 6,5 Ом | ||||||||||
![]() | SMBJ4743E3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 7065 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±10% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | SMBJ4743 | 2 Вт | СМБЖ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 9,9 В | 13 В | 10 Ом | ||||||||||
![]() | CD4627C | - | ![]() | 6937 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | Править | 500 мВт | Править | - | REACH не касается | 150-CD4627C | EAR99 | 8541.10.0050 | 228 | 1,5 В при 200 мА | 10 мкА при 5 В | 6,2 В | 1200 Ом | ||||||||||||
![]() | БАТ74В115 | 0,0600 | ![]() | 5612 | 0,00000000 | NXP США Инк. | * | Масса | Активный | скачать | EAR99 | 8541.10.0070 | 3400 |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)