SIC
close

Диоды(166326)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
DF01S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01S-E3/77 0,8000
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки DF01 Стандартный ДФС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В @ 1 А 5 мкА при 100 В 1 А Однофазный 100 В
JAN1N4976C Microchip Technology ЯН1N4976C 14.1000
запросить цену
 ECAD 3009 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие Е, Осевой 1N4976 5 Вт Е, Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 2 мкА при 42,6 В 56 В 35 Ом
JAN1N3048B-1 Microchip Technology ЯН1Н3048Б-1 -
запросить цену
 ECAD 4955 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/115N Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-13 1 Вт ДО-13 (ДО-202АА) - REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 200 мА 10 мкА при 114 В 150 В 1000 Ом
ZPY24 Diotec Semiconductor ZPY24 0,0986
запросить цену
 ECAD 5423 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АС, ДО-41, осевой 1,3 Вт ДО-41/ДО-204АС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 2796-ZPY24TR 8541.10.0000 5000 1 мкА при 12 В 24 В 7 Ом
JANS1N4480US/TR Microchip Technology JANS1N4480US/TR 86.7300
запросить цену
 ECAD 8703 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, А 1,5 Вт А, SQ-MELF - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANS1N4480US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 50 нА при 34,4 В 43 В 40 Ом
RD15ES-T1-AZ Renesas Electronics America Inc РД15ЭС-Т1-АЗ 0,0600
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0050 1
JAN1N4975DUS/TR Microchip Technology JAN1N4975DUS/TR 29.6100
запросить цену
 ECAD 2709 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±1% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 5 Вт Э-МЕЛФ - 150-JAN1N4975DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,5 В при 1 А 2 мкА при 38,8 В 51 В 27 Ом
JANTXV1N4133UR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4133UR-1/TR 10.1080
запросить цену
 ECAD 7802 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N4133UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 66,2 В 87 В 1000 Ом
SZMMBZ5245BLT3G onsemi СЗММБЗ5245БЛТ3Г 0,0254
запросить цену
 ECAD 7346 0,00000000 онсеми Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 СЗММБЗ5245 225 мВт СОТ-23-3 (ТО-236) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 11 В 15 В 16 Ом
NTE5177A NTE Electronics, Inc NTE5177A 35.0000
запросить цену
 ECAD 51 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный ±5% -65°С ~ 175°С Шасси, Крепление на шпильке ДО-203АА, ДО-4, Шпилька 10 Вт ДО-4 скачать Соответствует ROHS3 2368-НТЭ5177А EAR99 8541.10.0050 1 5,1 В 1,1 Ом
1N6543/TR Microchip Technology 1N6543/ТР 11.7300
запросить цену
 ECAD 2953 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-1Н6543/ТР EAR99 8541.10.0080 1
JANS1N4964D Microchip Technology ЯНС1Н4964Д 374.1920
запросить цену
 ECAD 9171 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANS1N4964D EAR99 8541.10.0050 1
SMZJ3791B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division СМЗДЖ3791Б-М3/52 0,1304
запросить цену
 ECAD 4469 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ СМЗЖ3791 1,5 Вт ДО-214АА (СМБЖ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 750 5 мкА при 9,1 В 12 В 7 Ом
TSZL52C3V0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V0 РРГ -
запросить цену
 ECAD 2796 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Устаревший ±5% -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 1005 (2512 Метрическая единица) ТСЗЛ52 200 мВт 1005 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
GBU4JL-5708M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4JL-5708M3/51 -
запросить цену
 ECAD 4223 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ ГБУ4 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 4 А 5 мкА при 600 В 3 А Однофазный 600 В
1N5344B onsemi 1N5344B -
запросить цену
 ECAD 7659 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие Т-18, Осевой 1N5344 5 Вт Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается 1N5344БОС EAR99 8541.10.0050 1000 1,2 В @ 1 А 10 мкА при 6,2 В 8,2 В 1,5 Ом
1N4551R Solid State Inc. 1N4551R 15.5000
запросить цену
 ECAD 20 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Активный ±20% -65°С ~ 175°С (ТДж) Крепление шпильки ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 50 Вт ДО-5 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-1Н4551Р EAR99 8541.10.0080 10 1,5 В при 10 А 4,7 В 0,12 Ом
G3SBA60L-6841E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-6841E3/51 -
запросить цену
 ECAD 2792 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ G3SBA60 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 2 А 5 мкА при 600 В 2,3 А Однофазный 600 В
B240AQ-13-F Diodes Incorporated Б240АQ-13-Ф 0,3900
запросить цену
 ECAD 14 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА Б240 Шоттки СМА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 5000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 500 мВ при 2 А 500 мкА при 40 В -65°С ~ 150°С 2А 200пФ @ 40В, 1МГц
G3SBA80L-6000M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Г3СБА80Л-6000М3/51 -
запросить цену
 ECAD 2631 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ G3SBA80 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 2 А 5 мкА при 800 В 2,3 А Однофазный 800 В
JANTX1N5531CUR-1 Microchip Technology JANTX1N5531CUR-1 37,7850
запросить цену
 ECAD 7077 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/437 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 1N5531 500 мВт ДО-213АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 50 нА при 9,9 В 11 В 80 Ом
JANTX1N757CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N757CUR-1/ТР 9.8021
запросить цену
 ECAD 7681 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/127 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N757CUR-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 1 мкА при 7 В 9,1 В 10 Ом
GBL06L-6870E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL06L-6870E3/51 -
запросить цену
 ECAD 5070 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЛ ГБЛ06 Стандартный ГБЛ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 4 А 5 мкА при 600 В 3 А Однофазный 600 В
STPS3170AF STMicroelectronics STPS3170AF 0,5800
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 СТМикроэлектроника ЭКОПАК® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж DO-214AC, плоские выводы SMA СТПС3170 Шоттки СМАквартира скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 497-15318-2 EAR99 8541.10.0080 10 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 170 В 820 мВ при 3 А 4 мкА при 170 В -40°С ~ 175°С 3А -
SBT1045-3G Diotec Semiconductor СБТ1045-3Г 0,6127
запросить цену
 ECAD 6782 0,00000000 Диотек Полупроводник - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Шоттки ТО-220АС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 2796-SBT1045-3G 8541.10.0000 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 45 В 500 мВ при 10 А 120 мкА при 45 В -55°С ~ 150°С 10А -
BZX79-C2V7,133 NXP USA Inc. BZX79-C2V7,133 0,0200
запросить цену
 ECAD 209 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный БЗХ79 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000
1N5927B onsemi 1N5927B -
запросить цену
 ECAD 4365 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N5927 3 Вт Осевой скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 2000 г. 1,5 В при 200 мА 1 мкА при 9,1 В 12 В 6,5 Ом
SMBJ4743E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4743E3/TR13 0,4350
запросить цену
 ECAD 7065 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ SMBJ4743 2 Вт СМБЖ (ДО-214АА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 9,9 В 13 В 10 Ом
CD4627C Microchip Technology CD4627C -
запросить цену
 ECAD 6937 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж Править 500 мВт Править - REACH не касается 150-CD4627C EAR99 8541.10.0050 228 1,5 В при 200 мА 10 мкА при 5 В 6,2 В 1200 Ом
BAT74V115 NXP USA Inc. БАТ74В115 0,0600
запросить цену
 ECAD 5612 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0070 3400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.