Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Ток – средний выпрямленный (Io) | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMMSZ5260BT1G | - | ![]() | 4784 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | СММСЗ5260 | 500 мВт | СОД-123 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 33 В | 43 В | 93 Ом | ||||||
![]() | JANTXV1N4979DUS/TR | 51.2700 | ![]() | 5902 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, E | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANTXV1N4979DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 56 В | 75 В | 55 Ом | |||||||||
| 1N5248B-1E3 | 2,4450 | ![]() | 5215 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-1Н5248Б-1Е3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 14 В | 18 В | 21 Ом | |||||||||
![]() | JANS1N4955CUS/TR | 462.1650 | ![]() | 9273 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANS1N4955CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 В при 1 А | 100 мкА при 5,7 В | 7,5 В | 1,5 Ом | |||||||||
![]() | SMAJ5935BE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 3599 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | SMAJ5935 | 3 Вт | ДО-214АС (СМАДЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 7500 | 1,2 В при 200 мА | 1 мкА при 20,6 В | 27 В | 23 Ом | ||||||
![]() | ЯН1Н3821АУР-1 | 13,8750 | ![]() | 2860 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) | 1N3821 | 1 Вт | ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 100 мкА при 1 В | 3,3 В | 10 Ом | ||||||
![]() | 1N3985 | 53,5950 | ![]() | 6958 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | - | Крепление шпильки | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | 10 Вт | ДО-203АА (ДО-4) | - | REACH не касается | 150-1Н3985 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 6 В | 0,7 Ом | ||||||||||
![]() | БЗТ55Б15 Л1Г | - | ![]() | 3872 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | БЗТ55 | 500 мВт | Мини МЕЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 2500 | 1 В при 10 мА | 100 нА при 11 В | 15 В | 30 Ом | ||||||
![]() | GBU8J-001M3/51 | - | ![]() | 9241 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ8 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 8 А | 5 мкА при 600 В | 3,9 А | Однофазный | 600 В | |||||||
![]() | CDLL5256D | 8.4150 | ![]() | 6786 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 10 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL5256D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 100 нА при 23 В | 30 В | 49 Ом | ||||||||
![]() | GBU6JL-7001E3/45 | - | ![]() | 5589 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ6 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 6 А | 5 мкА при 600 В | 3,8 А | Однофазный | 600 В | |||||||
![]() | МБ14М-БП | - | ![]() | 3207 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-DIP (0,200 дюйма, 5,08 мм) | МБ14 | Шоттки | МБ-1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | 500 мВ при 1 А | 500 мкА при 40 В | 1 А | Однофазный | 40 В | |||||||
![]() | CD5268B | 1,4497 | ![]() | 9821 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | Править | 500 мВт | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CD5268B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 62 В | 82 В | 330 Ом | |||||||
![]() | JANTX1N4956DUS/TR | 32.4000 | ![]() | 6239 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANTX1N4956DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 50 мкА при 6,2 В | 8,2 В | 1,5 Ом | |||||||||
![]() | КБП104Г C2G | - | ![]() | 6646 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБП | Стандартный | КБП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | 1 В @ 1 А | 10 мкА при 400 В | 1 А | Однофазный | 400 В | |||||||
![]() | KBPC3504 | 1,4930 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | КБПК35 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-Квадрат, КБ ПК | Стандартный | КБПК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-KBPC3504 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,2 В @ 17,5 А | 10 мкА при 400 В | 35 А | Однофазный | 400 В | ||||||
![]() | SMZJ3801BHE3_A/Ч | 0,1597 | ![]() | 5448 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗДЖ3801 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 мкА при 25,1 В | 33 В | 33 Ом | |||||||
![]() | СЗММ3З75ВТ1ГХ | 0,2700 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | 300 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,1 В @ 100 мА | 50 нА при 52,5 В | 75 В | 255 Ом | |||||||
![]() | JANTXV1N978CUR-1/ТР | 17.3166 | ![]() | 8613 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N978CUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 39 В | 51 В | 125 Ом | |||||||
![]() | KBP4M_T0_00101 | 0,5400 | ![]() | 627 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-ЭСИП, КБП | ККП4М | Стандартный | КБП | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | 3757-KBP4M_T0_00101 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 В при 4 А | 5 мкА при 1000 В | 4 А | Однофазный | 1 кВ | |||||
![]() | Г3СБА60-5410М3/51 | - | ![]() | 3679 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G3SBA60 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 2 А | 5 мкА при 600 В | 2,3 А | Однофазный | 600 В | |||||||
![]() | ТЗМК7В5-GS08 | 0,2300 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TZM | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | ТЗМК7В5 | 500 мВт | СОД-80 МиниМЭЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 2500 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 5 В | 7,5 В | 7 Ом | ||||||
![]() | SMBJ5380BE3/TR13 | 0,8250 | ![]() | 5252 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | SMBJ5380 | 5 Вт | СМБЖ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В @ 1 А | 500 нА при 86,4 В | 120 В | 170 Ом | ||||||
![]() | CD3024A | 4.0650 | ![]() | 8767 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±10% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | Править | 1 Вт | Править | - | REACH не касается | 150-CD3024A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 11,4 В | 15 В | 14 Ом | ||||||||
| ЯНС1Н6348Д | 350,3400 | ![]() | 7588 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-JANS1N6348D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 50 нА при 76 В | 100 В | 340 Ом | |||||||||
![]() | ММ3Z18B | 0,0317 | ![]() | 5812 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | 300 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2796-ММ3З18БТР | 8541.10.0000 | 3000 | 100 нА при 13 В | 18 В | 45 Ом | |||||||||
![]() | 1N4736AP/TR12 | 1,8900 | ![]() | 4023 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4736 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 4 В | 6,8 В | 3,5 Ом | ||||||
| BZD27C51PHMTG | - | ![]() | 3224 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5,88% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | БЖД27 | 1 Вт | Суб-SMA | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 7500 | 1,2 В при 200 мА | 1 мкА при 39 В | 51 В | 60 Ом | |||||||
| ЯН1Н4622Д-1 | 12.0000 | ![]() | 9780 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4622 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 2,5 мкА при 2 В | 3,9 В | 1650 Ом | |||||||
![]() | JANTX1N4575AUR-1/ТР | 6.1200 | ![]() | 7528 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/452 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4575AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 мкА при 3 В | 3 В | 50 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)