SIC
close

Диоды(166326)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
DZB18C onsemi ДЗБ18С 0,1800
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 онсеми * Масса Активный скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0050 1
HZ18-3TA-E Renesas Electronics America Inc ХЗ18-3ТА-Е 0,1000
запросить цену
 ECAD 50 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1
BZX85C11-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C11-ТР 0,3800
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX85 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой BZX85C11 1,3 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 500 нА при 7,5 В 11 В 8 Ом
JANTX1N6490/TR Microchip Technology JANTX1N6490/ТР -
запросить цену
 ECAD 7569 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие SQ-MELF, А 1,5 Вт Д-5А - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N6490/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 1 мкА при 1 В 5,1 В 7 Ом
MSCDC200H170AG Microchip Technology MSCDC200H170AG 925,6200
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 175°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль MSCDC200 Карбид кремния Шоттки СП6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 150-MSCDC200H170AG EAR99 8541.10.0080 1 1,8 В при 200 А 800 мкА при 1700 В 200 А Однофазный 1,7 кВ
JANTX1N937BUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N937BUR-1/ТР -
запросить цену
 ECAD 1210 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/156 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N937BUR-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 10 мкА при 6 В 9 В 20 Ом
B380S15A Diotec Semiconductor Б380С15А 0,1203
запросить цену
 ECAD 36 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-269АА, 4-БЕСОП Стандартный 4-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-Б380С15АТР 8541.10.0000 1500 1,1 В @ 1 А 5 мкА при 800 В 1,5 А Однофазный 800 В
B250C1500B Diotec Semiconductor Б250С1500Б 3.2110
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Диотек Полупроводник - Коробка Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-SIP Стандартный 4-SIP скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 2721-Б250С1500Б 8541.10.0000 500 1,1 В при 2 А 5 мкА при 600 В 1,8 А Однофазный 600 В
JANTXV1N4479US/TR Microchip Technology JANTXV1N4479US/TR 18.2250
запросить цену
 ECAD 8074 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, А 1,5 Вт Д-5А - REACH не касается 150-JANTXV1N4479US/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,5 В при 1 А 50 нА при 31,2 В 39 В 30 Ом
BZD27C62P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C62P-E3-08 0,4400
запросить цену
 ECAD 27 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов БЗД27С Лента и катушка (TR) Активный - -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЗД27С62 800 мВт ДО-219АБ (СМФ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 47 В 62 В 80 Ом
TFZGTR5.1B Rohm Semiconductor ТФЗГТР5.1Б 0,0886
запросить цену
 ECAD 5337 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов - -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж 2-СМД, плоский вывод ТФЗГТР5.1 500 мВт ТУМД2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 5 мкА при 1,5 В 5,1 В 20 Ом
2EZ30D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ30D2E3/TR8 -
запросить цену
 ECAD 9542 0,00000000 Корпорация Микросеми - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 2ЭЗ30 2 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1500 1,2 В при 200 мА 500 нА при 22,5 В 30 В 20 Ом
BAS19/ZL215 NXP USA Inc. БАС19/ЗЛ215 0,0200
запросить цену
 ECAD 7841 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0070 3000
BZT52C5V6GW Diotec Semiconductor БЗТ52К5В6ГВ 0,0600
запросить цену
 ECAD 5153 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -50°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123 350 мВт СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 Непригодный Информация REACH предоставляется по запросу. 2721-БЗТ52К5В6ГВТР 8541.10.0000 30 1 мкА при 2 В 5,32 В 40 Ом
JANTX1N4961US Microchip Technology JANTX1N4961US -
запросить цену
 ECAD 5104 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Масса Снято с производства в НИЦ ±5% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж SQ-MELF, E 5 Вт Д-5Б скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 10 мкА при 9,9 В 13 В 3 Ом
MBRBL3060CT Yangjie Technology МБРБЛ3060CT 0,4960
запросить цену
 ECAD 100 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Шоттки Д2ПАК - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-MBRBL3060CTTR EAR99 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 60 В 30А 630 мВ при 15 А 100 мкА при 60 В -55°С ~ 150°С
BZX84-A27,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A27,215 0,5200
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±1% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84-A27 250 мВт ТО-236АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 50 нА при 18,9 В 27 В 80 Ом
1N4964 Solid State Inc. 1N4964 5.0000
запросить цену
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Масса Активный - -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие СОД-57, Осевой 5 Вт СОД-57 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-1Н4964 EAR99 8541.10.0080 10 5 мкА при 13,7 В 18 В 4 Ом
MBR1560CT Taiwan Semiconductor Corporation МБР1560CT -
запросить цену
 ECAD 1291 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Снято с производства в НИЦ Сквозное отверстие ТО-220-3 МБР1560 Шоттки ТО-220АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 60 В 15А 750 мВ при 7,5 А 300 мкА при 60 В -55°С ~ 150°С
DZ23C7V5-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ДЗ23К7В5-Г3-18 0,0483
запросить цену
 ECAD 1904 год 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов ДЗ23-Г Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ДЗ23 300 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1 пара с общим катодом 100 нА при 5 В 7,5 В 7 Ом
RS2JAL Taiwan Semiconductor Corporation RS2JAL 0,4200
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж DO-221AC, плоские выводы SMA RS2J Стандартный Тонкая СМА - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 14 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,3 В при 2 А 250 нс 1 мкА при 600 В -55°С ~ 150°С 2А 11пФ @ 4В, 1МГц
CZRNC55C4V3-G Comchip Technology CZRNC55C4V3-G -
запросить цену
 ECAD 3155 0,00000000 Комчип Технология - Лента и катушка (TR) Устаревший ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж 2-СМД, без свинца 500 мВт 1206 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0050 5000 1,5 В при 200 мА 1 мкА при 1 В 4,3 В 80 Ом
BZT52HC22WF-7 Diodes Incorporated БЗТ52HC22WF-7 0,0439
запросить цену
 ECAD 2779 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5,68% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 50 нА при 15,4 В 22 В 25 Ом
JAN1N4959DUS/TR Microchip Technology JAN1N4959DUS/TR 28.3650
запросить цену
 ECAD 3907 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±1% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 5 Вт Э-МЕЛФ - 150-JAN1N4959DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,5 В при 1 А 10 мкА при 8,4 В 11 В 2,5 Ом
JANS1N4105-1 Microchip Technology ЯНС1Н4105-1 33,7800
запросить цену
 ECAD 4797 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - не соответствует RoHS REACH не касается 2266-ЯНС1Н4105-1 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 50 нА при 8,5 В 11 В 200 Ом
1N5937PE3/TR12 Microchip Technology 1N5937PE3/TR12 0,9150
запросить цену
 ECAD 8773 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N5937 1,5 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 25,1 В 33 В 33 Ом
1PMT5942/TR13 Microchip Technology 1PMT5942/TR13 2.2200
запросить цену
 ECAD 3717 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±20% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-216АА 1PMT5942 3 Вт ДО-216АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 12 000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 38,8 В 51 В 70 Ом
JANTX1N2992RB Microchip Technology JANTX1N2992RB -
запросить цену
 ECAD 9336 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/124 Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Крепление шпильки ДО-203АА, ДО-4, Шпилька 10 Вт ДО-213АА (ДО-4) - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В @ 2 А 10 мкА при 29,7 В 39 В 11 Ом
3N248-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3Н248-Е4/72 -
запросить цену
 ECAD 2735 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Коробка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБПМ 3Н248 Стандартный КБПМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 200 1,3 В при 1,57 А 5 мкА при 200 В 1,5 А Однофазный 200 В
1N4249US/TR Microchip Technology 1N4249США/ТР 7.5200
запросить цену
 ECAD 1188 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный - 129
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.