Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Ток – средний выпрямленный (Io) | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 469-04 | - | ![]() | 6634 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-квадратный | 469-04 | Стандартный | доктор медицинских наук | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,35 В @ 15,7 А | 2 мкА при 880 В | 10 А | Однофазный | 800 В | |||||||
![]() | 483-01 | 478.0950 | ![]() | 2440 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление на шасси | МНЕ | 483-01 | Стандартный | МНЕ | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,3 В при 39 А | 1 мкА при 200 В | 25 А | Трехфазный | 200 В | |||||||
![]() | 678-6 | 401.7300 | ![]() | 7222 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Северная Каролина | 678-6 | Стандартный | Северная Каролина | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2266-678-6 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В при 10 А | 10 мкА при 600 В | 25 А | Трехфазный | 600 В | ||||||
![]() | 680-3 | 216.7050 | ![]() | 2440 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-Квадрат, Северная Каролина | 680-3 | Стандартный | NA | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В @ 2 А | 2 мкА при 300 В | 10 А | Однофазный | 300 В | |||||||
![]() | 683-3 | 391,7400 | ![]() | 1671 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-Квадрат, Н.Б. | 683-3 | Стандартный | Примечание: | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В @ 5 А | 10 мкА при 300 В | 20 А | Однофазный | 300 В | |||||||
![]() | 684-6 | 312,7800 | ![]() | 8762 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-Квадрат, Северная Каролина | 684-6 | Стандартный | NA | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В @ 2 А | 5 мкА при 600 В | 10 А | Однофазный | 600 В | |||||||
![]() | 695-6 | 452,7000 | ![]() | 6484 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Северная Каролина | 695-6 | Стандартный | Северная Каролина | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В @ 2 А | 5 мкА при 600 В | 15 А | Трехфазный | 600 В | |||||||
![]() | 696-3 | 452,7000 | ![]() | 8139 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Северная Каролина | 696-3 | Стандартный | Северная Каролина | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В @ 2 А | 5 мкА при 300 В | 15 А | Трехфазный | 300 В | |||||||
![]() | 800-4 | 523.2150 | ![]() | 4315 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | МНЕ | 800-4 | Стандартный | МНЕ | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 мВ при 10 А | 20 мкА при 150 В | 40 А | Трехфазный | 150 В | |||||||
![]() | 1N4436FS | 204,6750 | ![]() | 8722 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | скачать | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 684-1 | 312,7800 | ![]() | 2416 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С | Крепление на шасси | 4-Квадрат, Н.Б. | Стандартный | Примечание: | - | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В @ 2 А | 5 мкА при 100 В | 10 А | Однофазный | 100 В | |||||||||
![]() | ВС-130МТ160С | 87.4500 | ![]() | 4034 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТС | 130МТ160 | Стандартный | МТС | скачать | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 2,05 В при 300 А | 130 А | Трехфазный | 1,6 кВ | |||||||||
![]() | КБЖЛ404Г-БП | - | ![]() | 3175 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБЖЛ | КБЖЛ404 | Стандартный | КБЖЛ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2400 | 1 В @ 2 А | 10 мкА при 400 В | 4 А | Однофазный | 400 В | |||||||
![]() | KBJL8005G-BP | - | ![]() | 9006 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБЖЛ | КБЖЛ8005 | Стандартный | КБЖЛ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2400 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 50 В | 8 А | Однофазный | 50 В | |||||||
![]() | 3Н256-Е4/45 | - | ![]() | 3995 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 165°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБПМ | 3Н256 | Стандартный | КБПМ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 В при 3,14 А | 5 мкА при 400 В | 2 А | Однофазный | 400 В | ||||||
| JANTXV1N6329US | - | ![]() | 1921 год | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Снято с производства в НИЦ | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 500 мВт | Б, SQ-MELF | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 50 нА при 12 В | 16 В | 12 Ом | ||||||||
![]() | МТ5012А | 5.7350 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 5-Квадрат, МТ-35А | Стандартный | МТ-35А | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-МТ5012А | EAR99 | 50 | 1,2 В при 25 А | 10 мкА при 1200 В | 50 А | Трехфазный | 1,2 кВ | ||||||||
![]() | 1SMB5934 | 0,1453 | ![]() | 2319 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | 1SMB5934 | 3 Вт | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 мкА при 18,2 В | 24 В | 19 Ом | |||||||
| ЯН1Н3045С-1 | 17.3250 | ![]() | 8810 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Масса | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N3045 | 1 Вт | ДО-41 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 83,6 В | 110 В | 450 Ом | |||||||
![]() | MMSZ5246B-HE3_A-18 | 0,0549 | ![]() | 2430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | 112-MMSZ5246B-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 12 В | 16 В | 17 Ом | |||||||||
| 1N965B | 2.0800 | ![]() | 732 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АА, ДО-7, Осевой | 1N965 | 500 мВт | ДО-7 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1Н965БМС | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 5 мкА при 11,4 В | 15 В | 16 Ом | ||||||
![]() | ГБУ1505 | 1,2978 | ![]() | 4446 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-ЭСИП, ГБУ | ГБУ1505 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-ГБУ1505 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | 1,1 В @ 15 А | 5 мкА при 600 В | 15 А | Однофазный | 600 В | ||||||
| JANS1N4478CUS | 283.8300 | ![]() | 5545 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/406 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, А | 1,5 Вт | Д-5А | - | REACH не касается | 150-JANS1N4478CUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 50 нА при 28,8 В | 36 В | 27 Ом | |||||||||
![]() | SMAJ4749CE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 8513 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | SMAJ4749 | 2 Вт | ДО-214АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 7500 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 18,2 В | 24 В | 25 Ом | ||||||
![]() | ЯН1Н3345Б | - | ![]() | 8975 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯН1Н3345Б | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 10 А | 10 мкА при 114 В | 140 В | 60 Ом | |||||||
![]() | BZX84J-B16,115 | 0,0300 | ![]() | 16 | 0,00000000 | НХП Полупроводники | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Масса | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | 550 мВт | СОД-323Ф | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10 051 | 1,1 В при 100 мА | 50 нА при 11,2 В | 16 В | 20 Ом | |||||||||
![]() | JANTX1N4574AUR-1/ТР | 35,7000 | ![]() | 7917 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/452 | Лента и катушка (TR) | Активный | - | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4574AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 мкА при 3 В | 100 Ом | |||||||||
![]() | 1N5376B | 0,2073 | ![]() | 4129 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 5 Вт | ДО-201 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | 2796-1Н5376БТР | 8541.10.0000 | 1700 | 500 нА при 66 В | 87 В | 75 Ом | ||||||||
![]() | CDLL5271C/ТР | 6.9150 | ![]() | 8448 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 10 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL5271C/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1,1 В при 200 мА | 100 нА при 76 В | 100 В | 500 Ом | ||||||||
![]() | 1PGSMC5369H | 0,3477 | ![]() | 4932 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | 1PGSMC | 5 Вт | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 500 нА при 38,8 В | 51 В | 27 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)