Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Ток – средний выпрямленный (Io) | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N4574AUR-1/ТР | 35,7000 | ![]() | 7917 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/452 | Лента и катушка (TR) | Активный | - | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4574AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 мкА при 3 В | 100 Ом | |||||||||
![]() | ЗПД15 | 0,0211 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | 2796-ЗПД15ТР | 8541.10.0000 | 10 000 | 100 нА при 11 В | 15 В | 11 Ом | |||||||||
![]() | BZX84J-B16,115 | 0,0300 | ![]() | 16 | 0,00000000 | НХП Полупроводники | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Масса | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | 550 мВт | СОД-323Ф | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10 051 | 1,1 В при 100 мА | 50 нА при 11,2 В | 16 В | 20 Ом | |||||||||
![]() | ZPY110 | 0,0986 | ![]() | 8855 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-41, осевой | 1,3 Вт | ДО-41/ДО-204АС | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | 2796-ЗПЫ110ТР | 8541.10.0000 | 5000 | 1 мкА при 50 В | 110 В | 80 Ом | |||||||||
![]() | ГБУ1505 | 1,2978 | ![]() | 4446 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-ЭСИП, ГБУ | ГБУ1505 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-ГБУ1505 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | 1,1 В @ 15 А | 5 мкА при 600 В | 15 А | Однофазный | 600 В | ||||||
![]() | SMAJ4749CE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 8513 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | SMAJ4749 | 2 Вт | ДО-214АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 7500 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 18,2 В | 24 В | 25 Ом | ||||||
| 1N965B | 2.0800 | ![]() | 732 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АА, ДО-7, Осевой | 1N965 | 500 мВт | ДО-7 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1Н965БМС | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 5 мкА при 11,4 В | 15 В | 16 Ом | ||||||
![]() | МТ5012А | 5.7350 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 5-Квадрат, МТ-35А | Стандартный | МТ-35А | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-МТ5012А | EAR99 | 50 | 1,2 В при 25 А | 10 мкА при 1200 В | 50 А | Трехфазный | 1,2 кВ | ||||||||
![]() | 1SMB5934 | 0,1453 | ![]() | 2319 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | 1SMB5934 | 3 Вт | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 мкА при 18,2 В | 24 В | 19 Ом | |||||||
![]() | 3Н256-Е4/45 | - | ![]() | 3995 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 165°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБПМ | 3Н256 | Стандартный | КБПМ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 В при 3,14 А | 5 мкА при 400 В | 2 А | Однофазный | 400 В | ||||||
| JANTXV1N6329US | - | ![]() | 1921 год | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Снято с производства в НИЦ | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 500 мВт | Б, SQ-MELF | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 50 нА при 12 В | 16 В | 12 Ом | ||||||||
| ЯН1Н3045С-1 | 17.3250 | ![]() | 8810 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Масса | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N3045 | 1 Вт | ДО-41 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 83,6 В | 110 В | 450 Ом | |||||||
![]() | ЯН1Н3345Б | - | ![]() | 8975 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯН1Н3345Б | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 10 А | 10 мкА при 114 В | 140 В | 60 Ом | |||||||
| JANS1N4478CUS | 283.8300 | ![]() | 5545 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/406 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, А | 1,5 Вт | Д-5А | - | REACH не касается | 150-JANS1N4478CUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 50 нА при 28,8 В | 36 В | 27 Ом | |||||||||
![]() | MMSZ5246B-HE3_A-18 | 0,0549 | ![]() | 2430 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | 112-MMSZ5246B-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 12 В | 16 В | 17 Ом | |||||||||
![]() | ТС50П06Г С2Г | - | ![]() | 7395 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ТС-6П | ТС50П06 | Стандартный | ТС-6П | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 В при 25 А | 10 мкА при 800 В | 50 А | Однофазный | 800 В | ||||||
![]() | BZX584B6V8 | 0,0639 | ![]() | 5059 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-79, СОД-523 | BZX584 | 150 мВт | СОД-523Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-BZX584B6V8TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 104 000 | 2 мкА при 4 В | 6,8 В | 15 Ом | |||||||
![]() | BZX884B30L-HG3-08 | 0,3600 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX884L | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 0402 (1006 Метрическая единица) | BZX884 | 300 мВт | ДФН1006-2А | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 50 нА при 21 В | 30 В | 80 Ом | ||||||
![]() | JANTXV1N978CUR-1/ТР | 17.3166 | ![]() | 8613 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N978CUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 39 В | 51 В | 125 Ом | |||||||
![]() | 1N3985 | 53,5950 | ![]() | 6958 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | - | Крепление шпильки | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | 10 Вт | ДО-203АА (ДО-4) | - | REACH не касается | 150-1Н3985 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 6 В | 0,7 Ом | ||||||||||
![]() | ЯН1Н3821АУР-1 | 13,8750 | ![]() | 2860 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) | 1N3821 | 1 Вт | ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 100 мкА при 1 В | 3,3 В | 10 Ом | ||||||
| ЯНС1Н6348Д | 350,3400 | ![]() | 7588 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/533 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-JANS1N6348D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 В @ 1 А | 50 нА при 76 В | 100 В | 340 Ом | |||||||||
![]() | TBS20G-TP | 0,1055 | ![]() | 7397 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-SMD, плоские выводы | ТБС20 | Стандартный | 4-ТБС | скачать | 353-ТБС20Г-ТП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 В при 2 А | 5 мкА при 400 В | 2 А | Однофазный | 400 В | ||||||||
![]() | GBJ8005-BP | 0,3863 | ![]() | 2604 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЖ | GBJ8005 | Стандартный | ГБЖ | скачать | 353-GBJ8005-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 50 В | 8 А | Однофазный | 50 В | ||||||||
![]() | 3GBJ3510-BP | 3.0000 | ![]() | 5976 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 5-СИП, БСЭ-5 | 3GBJ3510 | Стандартный | БСЭ-5 | скачать | 353-3GBJ3510-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 В @ 17,5 А | 10 мкА при 1000 В | 35 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||||
![]() | ГБПК25005-BP | 1,9610 | ![]() | 3865 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С | Терминал контроля качества | 4-Квадратный, ГБПК | GBPC25005 | Стандартный | ГБПК | скачать | 353-GBPC25005-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 В @ 12,5 А | 5 мкА при 50 В | 25 А | Однофазный | 50 В | ||||||||
![]() | MT5006A-BP | 7.2080 | ![]() | 4224 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Последняя покупка | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 5-Квадрат, МТ-35А | МТ5006 | Стандартный | МТ-35А | скачать | 353-MT5006A-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В при 25 А | 10 мкА при 600 В | 50 А | Трехфазный | 600 В | ||||||||
![]() | МБ352-БП | 2,0776 | ![]() | 2963 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С | Терминал контроля качества | 4-Квадрат, МБ-35 | МБ352 | Стандартный | МБ-35 | скачать | 353-МБ352-БП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 В @ 17,5 А | 10 мкА при 200 В | 35 А | Однофазный | 200 В | ||||||||
![]() | SDB105L-TP | 0,1145 | ![]() | 1778 г. | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | СДБ105 | Стандартный | СДБЛ-1 | скачать | 353-СДБ105Л-ТП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 В @ 1 А | 10 мкА при 600 В | 1 А | Однофазный | 600 В | ||||||||
![]() | МД200С18М5-БП | 52.1467 | ![]() | 9193 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Модуль | МД200 | Стандартный | М5 | скачать | 353-МД200С18М5-БП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,7 В при 300 А | 500 мкА при 1800 В | 200 А | Трехфазный | 1,8 кВ |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)