Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЯН1Н5539Д-1 | 13.8000 | ![]() | 5564 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/437 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N5539 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 17,1 В | 19 В | 100 Ом | ||||||||||||
| 1N5250A | 2,7750 | ![]() | 1612 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±10% | -65°С ~ 175°С (ТА) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 14,3 В | 20 В | 25 Ом | |||||||||||||||
![]() | 1N4736AP/TR12 | 1,8900 | ![]() | 4023 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4736 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 4 В | 6,8 В | 3,5 Ом | |||||||||||
![]() | BZX384C11-E3-08 | 0,2400 | ![]() | 9292 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | БЗХ384 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | BZX384C11 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 100 нА при 8 В | 11 В | 20 Ом | ||||||||||||
| JAN1N976C-1/TR | 4.0432 | ![]() | 9081 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯН1Н976С-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 33 В | 43 В | 93 Ом | |||||||||||||
![]() | БЗТ52-Б4В3-АУ_Р1_000А1 | 0,0243 | ![]() | 6206 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2,09% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | БЗТ52 | 410 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 252 000 | 900 мВ при 10 мА | 5 мкА при 1 В | 4,3 В | 95 Ом | |||||||||||
![]() | MMSZ5265C-HE3_A-08 | 0,0566 | ![]() | 3641 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | 112-MMSZ5265C-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 47 В | 62 В | 185 Ом | ||||||||||||||
![]() | ММ3Z18B | 0,0317 | ![]() | 5812 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | 300 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2796-ММ3З18БТР | 8541.10.0000 | 3000 | 100 нА при 13 В | 18 В | 45 Ом | ||||||||||||||
![]() | БЗТ52С10-13-Г | - | ![]() | 2303 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | * | Лента и катушка (TR) | Устаревший | БЗТ52 | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | BZT52C10-13-ГДИ | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||
| JANS1N6488CUS | - | ![]() | 1748 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/406 | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, А | 1,5 Вт | А, SQ-MELF | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 5 мкА при 1 В | 4,3 В | 9 Ом | ||||||||||||||
![]() | БЗТ55Б15 Л1Г | - | ![]() | 3872 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | БЗТ55 | 500 мВт | Мини МЕЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 2500 | 1 В при 10 мА | 100 нА при 11 В | 15 В | 30 Ом | |||||||||||
| 1Н753А-1Е3 | 2,0748 | ![]() | 9247 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-1Н753А-1Е3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 5 мкА при 3,5 В | 6,2 В | 3 Ом | |||||||||||||
![]() | SMAJ5935BE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 3599 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | SMAJ5935 | 3 Вт | ДО-214АС (СМАДЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 7500 | 1,2 В при 200 мА | 1 мкА при 20,6 В | 27 В | 23 Ом | |||||||||||
![]() | BZX384C12-HE3-08 | 0,2600 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX384 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | BZX384C12 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 100 нА при 8 В | 12 В | 25 Ом | ||||||||||||
| С2МФШ | 0,0683 | ![]() | 4007 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОД-128 | Стандартный | СОД-128 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-С2МФШТР | EAR99 | 8541.10.0080 | 28 000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000 В | 1,1 В при 2 А | 1 мкА при 1000 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 12пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||
![]() | СМЗДЖ3791Б-М3/52 | 0,1304 | ![]() | 4469 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗЖ3791 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 мкА при 9,1 В | 12 В | 7 Ом | ||||||||||||
![]() | БЗТ55Б22-ГС18 | 0,0433 | ![]() | 2028 год | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZT55 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | Вариант СОД-80 | БЗТ55Б22 | 500 мВт | СОД-80 КвадроМЕЛФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 16 В | 22 В | 55 Ом | |||||||||||
| 1N3499 | 5.4750 | ![]() | 9942 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | - | - | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-1Н3499 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C3V0 РРГ | - | ![]() | 2796 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 125°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 1005 (2512 Метрическая единица) | ТСЗЛ52 | 200 мВт | 1005 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 900 мВ при 10 мА | 50 мкА при 1 В | 3 В | 95 Ом | |||||||||||
| JAN1N5539C-1/ТР | 9.9351 | ![]() | 4086 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/437 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯН1Н5539С-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 17,1 В | 19 В | 100 Ом | |||||||||||||
![]() | В3ПМ6-М3/Ч | 0,3700 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | эСМП®, ТМБС® | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-220АА | В3ПМ6 | Шоттки | ДО-220АА (СМП) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 В | 500 мВ при 1,5 А | 200 мкА при 60 В | -40°С ~ 175°С | 2,4А | 400пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||
![]() | ER2J_R1_00001 | 0,3800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | ER2J | Стандартный | СМБ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3757-ER2J_R1_00001TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600 В | 1,7 В при 2 А | 35 нс | 1 мкА при 600 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 25пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||
![]() | 1N4744CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 2251 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4744 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 11,4 В | 15 В | 14 Ом | |||||||||||
| JANTX1N980CUR-1/ТР | 13.9384 | ![]() | 3030 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/117 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N980 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N980CUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 47 В | 62 В | 185 Ом | ||||||||||||
![]() | ТС10К80 | 1,4500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | ТС10К80 | Стандартный | ТС4К | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 В @ 2 А | 10 мкА при 800 В | 10 А | Однофазный | 800 В | |||||||||||
![]() | ГДЗ16Б-ХГ3-08 | 0,0523 | ![]() | 1485 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, ГДЗ-Г | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | ГДЗ16 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 100 нА при 12 В | 16 В | 50 Ом | ||||||||||||
![]() | JANS1N4980CUS/TR | 368.3100 | ![]() | 1146 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANS1N4980CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 62,2 В | 82 В | 80 Ом | ||||||||||||||
![]() | СМБЗ1093LT1 | 0,0600 | ![]() | 15 | 0,00000000 | онсеми | * | Масса | Активный | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | НРВУС2ГА | 0,1218 | ![]() | 8775 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | НРВУС2 | Стандартный | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 7500 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400 В | 1,3 В @ 1,5 А | 75 нс | 5 мкА при 400 В | -55°С ~ 150°С | 1,5 А | 30пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||
| 1Н935-1 | 5.5350 | ![]() | 2736 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-1Н935-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 В | 20 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)