SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Ток – средний выпрямленный (Io) Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
GBPC1510T GeneSiC Semiconductor ГБПК1510Т 2,4180
запросить цену
ECAD 2180 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, ГБПК ГБПК1510 Стандартный ГБПК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В при 7,5 А 5 мкА при 1000 В 15 А Однофазный 1 кВ
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
запросить цену
ECAD 331 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Терминал контроля качества 4-Квадратный, КБ ПК-Т KBPC5010 Стандартный КБПК-Т скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В при 25 А 5 мкА при 1000 В 50 А Однофазный 1 кВ
60MT120KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60МТ120КБ -
запросить цену
ECAD 1421 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Масса Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси МТК 60МТ120 Стандартный МТК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3 60 А Трехфазный 1,2 кВ
GBU15L06-BP Micro Commercial Co GBU15L06-BP 2.7100
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Микро Коммерческая Компания ГБУ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ ГБУ15 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 2000 г. 920 мВ при 7,5 А 5 мкА при 600 В 15 А Однофазный 600 В
DBLS154G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS154G C1G -
запросить цену
ECAD 1858 г. 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС154 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В при 1,5 А 2 мкА при 400 В 1,5 А Однофазный 400 В
BZX384-C18-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C18-QX 0,0390
запросить цену
ECAD 4751 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 БЗХ384 300 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1727-BZX384-C18-QXTR EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 50 нА при 12,565 В 17,95 В 45 Ом
B6S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Б6С-Е3/80 0,5900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-269АА, 4-БЕСОП Б6С Стандартный ТО-269АА (МБС) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 1 В при 500 мА 5 мкА при 600 В 500 мА Однофазный 600 В
KBP202 GeneSiC Semiconductor КБП202 0,3750
запросить цену
ECAD 2207 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБП Стандартный КБП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) КБП202ГН EAR99 8541.10.0080 2000 г. 1,1 В при 2 А 10 мкА при 100 В 2 А Однофазный 100 В
M3P100A-100 GeneSiC Semiconductor М3П100А-100 -
запросить цену
ECAD 1695 г. 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль Стандартный Модуль - 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 25 1,15 В при 100 А 10 при мА 1000 В 100 А Трехфазный 1 кВ
GBU8K-5410E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ГБУ8К-5410Е3/51 -
запросить цену
ECAD 2419 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ ГБУ8 Стандартный ГБУ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 1 В @ 8 А 5 мкА при 800 В 3,9 А Однофазный 800 В
KBL602G T0 Taiwan Semiconductor Corporation КБЛ602Г Т0 -
запросить цену
ECAD 3627 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Поднос Снято с производства в НИЦ -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБЛ КБЛ602 Стандартный КБЛ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается КБЛ602ГТ0 EAR99 8541.10.0080 500 1,1 В при 6 А 10 мкА при 100 В 6 А Однофазный 100 В
KBU402G T0G Taiwan Semiconductor Corporation КБУ402Г Т0Г -
запросить цену
ECAD 5486 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Поднос Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБУ Стандартный КБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается КБУ402ГТ0Г EAR99 8541.10.0080 500 1,1 В при 4 А 5 мкА при 100 В 4 А Однофазный 100 В
TS25P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G C2G -
запросить цену
ECAD 5554 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Снято с производства в НИЦ -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ТС-6П ТС25П05 Стандартный ТС-6П скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 15 1,1 В при 25 А 10 мкА при 600 В 25 А Однофазный 600 В
DBLS102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G C1G -
запросить цену
ECAD 5804 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС102 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 1,1 В @ 1 А 2 мкА при 100 В 1 А Однофазный 100 В
DBLS203G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS203G C1G -
запросить цену
ECAD 1604 г. 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС203 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 50 1,15 В при 2 А 2 мкА при 200 В 2 А Однофазный 200 В
3N249-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3Н249-Э4/72 -
запросить цену
ECAD 1611 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Коробка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБПМ 3Н249 Стандартный КБПМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 200 1,3 В при 1,57 А 5 мкА при 400 В 1,5 А Однофазный 400 В
3N258-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3Н258-Е4/72 -
запросить цену
ECAD 7294 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Коробка Устаревший -55°С ~ 165°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБПМ 3Н258 Стандартный КБПМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 200 1,1 В при 3,14 А 5 мкА при 800 В 2 А Однофазный 800 В
KBP08ML-6747E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08ML-6747E4/51 -
запросить цену
ECAD 7762 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Поднос Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБПМ КБП08 Стандартный КБПМ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 600 1,3 В при 1,57 А 5 мкА при 800 В 1,5 А Однофазный 800 В
GBU407 Taiwan Semiconductor Corporation ГБУ407 1.1900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ ГБУ407 Стандартный ГБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 20 1 В при 1,5 А 5 мкА при 1000 В 4 А Однофазный 1 кВ
MBS6 Taiwan Semiconductor Corporation МБС6 0,5000
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-БЕСОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) МБС6 Стандартный МБС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3000 1 В @ 2 А 5 мкА при 600 В 800 мА Однофазный 600 В
ABS15M REG Taiwan Semiconductor Corporation АБС15М РЕГ 0,2700
запросить цену
ECAD 6601 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки АБС15 Стандартный АБС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1000 1 В при 1,5 А 5 мкА при 1000 В 1,5 А Однофазный 1 кВ
GBPC3502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3502W T0G -
запросить цену
ECAD 8956 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Поднос Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, ГБПК-З GBPC3502 Стандартный GBPC-W скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 17,5 А 5 мкА при 200 В 35 А Однофазный 200 В
DBLS151GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151GHRDG -
запросить цену
ECAD 2714 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС151 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В при 1,5 А 2 мкА при 50 В 1,5 А Однофазный 50 В
DBLS154G Taiwan Semiconductor Corporation ДБЛС154Г 0,2997
запросить цену
ECAD 2957 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС154 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В при 1,5 А 2 мкА при 400 В 1,5 А Однофазный 400 В
HDBLS102G RDG Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS102G РДГ -
запросить цену
ECAD 1222 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки HDBLS102 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1 В @ 1 А 5 мкА при 100 В 1 А Однофазный 100 В
ABS6 Taiwan Semiconductor Corporation АБС6 0,1599
запросить цену
ECAD 3302 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки АБС6 Стандартный АБС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 5000 950 мВ при 400 мА 10 мкА при 600 В 800 мА Однофазный 600 В
EABS1DH Taiwan Semiconductor Corporation EABS1DH 0,3912
запросить цену
ECAD 3953 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ЕАБС1 Стандартный АБС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 5000 950 мВ при 1,5 А 1 мкА при 200 В 1 А Однофазный 200 В
DBLS102GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102GHRDG -
запросить цену
ECAD 5109 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ДБЛС102 Стандартный ДБЛС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В @ 1 А 2 мкА при 100 В 1 А Однофазный 100 В
ABS10A-13 Diodes Incorporated АБС10А-13 0,4000
запросить цену
ECAD 101 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки АБС10 Стандартный 4-СОПА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0080 5000 1,1 В @ 1 А 5 мкА при 1000 В 1 А Однофазный 1 кВ
469-04 Microchip Technology 469-04 -
запросить цену
ECAD 6634 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 4-квадратный 469-04 Стандартный доктор медицинских наук скачать не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1 1,35 В @ 15,7 А 2 мкА при 880 В 10 А Однофазный 800 В
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе