SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
JAN1N5539D-1 Microchip Technology ЯН1Н5539Д-1 13.8000
запросить цену
ECAD 5564 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/437 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N5539 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 17,1 В 19 В 100 Ом
1N5250A Microchip Technology 1N5250A 2,7750
запросить цену
ECAD 1612 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±10% -65°С ~ 175°С (ТА) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 200 мА 100 нА при 14,3 В 20 В 25 Ом
1N4736AP/TR12 Microchip Technology 1N4736AP/TR12 1,8900
запросить цену
ECAD 4023 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4736 1 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 1,2 В при 200 мА 10 мкА при 4 В 6,8 В 3,5 Ом
BZX384C11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C11-E3-08 0,2400
запросить цену
ECAD 9292 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов БЗХ384 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 BZX384C11 200 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 100 нА при 8 В 11 В 20 Ом
JAN1N976C-1/TR Microchip Technology JAN1N976C-1/TR 4.0432
запросить цену
ECAD 9081 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯН1Н976С-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 33 В 43 В 93 Ом
BZT52-B4V3-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. БЗТ52-Б4В3-АУ_Р1_000А1 0,0243
запросить цену
ECAD 6206 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±2,09% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123 БЗТ52 410 мВт СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3 252 000 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 4,3 В 95 Ом
MMSZ5265C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5265C-HE3_A-08 0,0566
запросить цену
ECAD 3641 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123 500 мВт СОД-123 скачать 112-MMSZ5265C-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15 000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 47 В 62 В 185 Ом
MM3Z18B Diotec Semiconductor ММ3Z18B 0,0317
запросить цену
ECAD 5812 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -50°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 300 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-ММ3З18БТР 8541.10.0000 3000 100 нА при 13 В 18 В 45 Ом
BZT52C10-13-G Diodes Incorporated БЗТ52С10-13-Г -
запросить цену
ECAD 2303 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед * Лента и катушка (TR) Устаревший БЗТ52 - 1 (без блокировки) REACH не касается BZT52C10-13-ГДИ EAR99 8541.10.0050 10 000
JANS1N6488CUS Microchip Technology JANS1N6488CUS -
запросить цену
ECAD 1748 г. 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/406 Масса Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, А 1,5 Вт А, SQ-MELF - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В при 1 А 5 мкА при 1 В 4,3 В 9 Ом
BZT55B15 L1G Taiwan Semiconductor Corporation БЗТ55Б15 Л1Г -
запросить цену
ECAD 3872 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 БЗТ55 500 мВт Мини МЕЛФ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 2500 1 В при 10 мА 100 нА при 11 В 15 В 30 Ом
1N753A-1E3 Microchip Technology 1Н753А-1Е3 2,0748
запросить цену
ECAD 9247 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-1Н753А-1Е3 EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 5 мкА при 3,5 В 6,2 В 3 Ом
SMAJ5935BE3/TR13 Microchip Technology SMAJ5935BE3/TR13 0,6450
запросить цену
ECAD 3599 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА SMAJ5935 3 Вт ДО-214АС (СМАДЖ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 7500 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 20,6 В 27 В 23 Ом
BZX384C12-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C12-HE3-08 0,2600
запросить цену
ECAD 40 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX384 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 BZX384C12 200 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 100 нА при 8 В 12 В 25 Ом
S2MFSH Taiwan Semiconductor Corporation С2МФШ 0,0683
запросить цену
ECAD 4007 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОД-128 Стандартный СОД-128 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-С2МФШТР EAR99 8541.10.0080 28 000 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1000 В 1,1 В при 2 А 1 мкА при 1000 В -55°С ~ 150°С 12пФ @ 4В, 1МГц
SMZJ3791B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division СМЗДЖ3791Б-М3/52 0,1304
запросить цену
ECAD 4469 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ СМЗЖ3791 1,5 Вт ДО-214АА (СМБЖ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 750 5 мкА при 9,1 В 12 В 7 Ом
BZT55B22-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division БЗТ55Б22-ГС18 0,0433
запросить цену
ECAD 2028 год 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZT55 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж Вариант СОД-80 БЗТ55Б22 500 мВт СОД-80 КвадроМЕЛФ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 В при 200 мА 100 нА при 16 В 22 В 55 Ом
1N3499 Microchip Technology 1N3499 5.4750
запросить цену
ECAD 9942 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный - - Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой ДО-35 (ДО-204АХ) - REACH не касается 150-1Н3499 EAR99 8541.10.0050 1
TSZL52C3V0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V0 РРГ -
запросить цену
ECAD 2796 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Устаревший ±5% -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 1005 (2512 Метрическая единица) ТСЗЛ52 200 мВт 1005 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 900 мВ при 10 мА 50 мкА при 1 В 3 В 95 Ом
JAN1N5539C-1/TR Microchip Technology JAN1N5539C-1/ТР 9.9351
запросить цену
ECAD 4086 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/437 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯН1Н5539С-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 17,1 В 19 В 100 Ом
V3PM6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division В3ПМ6-М3/Ч 0,3700
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов эСМП®, ТМБС® Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-220АА В3ПМ6 Шоттки ДО-220АА (СМП) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 60 В 500 мВ при 1,5 А 200 мкА при 60 В -40°С ~ 175°С 2,4А 400пФ @ 4В, 1МГц
ER2J_R1_00001 Panjit International Inc. ER2J_R1_00001 0,3800
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ ER2J Стандартный СМБ (ДО-214АА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-ER2J_R1_00001TR EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,7 В при 2 А 35 нс 1 мкА при 600 В -55°С ~ 150°С 25пФ @ 4В, 1МГц
1N4744CP/TR12 Microchip Technology 1N4744CP/TR12 2.2800
запросить цену
ECAD 2251 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N4744 1 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 11,4 В 15 В 14 Ом
JANTX1N980CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N980CUR-1/ТР 13.9384
запросить цену
ECAD 3030 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/117 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N980 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N980CUR-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 500 нА при 47 В 62 В 185 Ом
TS10K80 Taiwan Semiconductor Corporation ТС10К80 1,4500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЛ ТС10К80 Стандартный ТС4К скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 20 1 В @ 2 А 10 мкА при 800 В 10 А Однофазный 800 В
GDZ16B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ГДЗ16Б-ХГ3-08 0,0523
запросить цену
ECAD 1485 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101, ГДЗ-Г Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 ГДЗ16 200 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 15 000 100 нА при 12 В 16 В 50 Ом
JANS1N4980CUS/TR Microchip Technology JANS1N4980CUS/TR 368.3100
запросить цену
ECAD 1146 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 5 Вт Э-МЕЛФ - 150-JANS1N4980CUS/TR EAR99 8541.10.0050 50 1,5 В при 1 А 2 мкА при 62,2 В 82 В 80 Ом
SMBZ1093LT1 onsemi СМБЗ1093LT1 0,0600
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 онсеми * Масса Активный - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0050 3000
NRVUS2GA onsemi НРВУС2ГА 0,1218
запросить цену
ECAD 8775 0,00000000 онсеми Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА НРВУС2 Стандартный ДО-214АС (СМА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 7500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 400 В 1,3 В @ 1,5 А 75 нс 5 мкА при 400 В -55°С ~ 150°С 1,5 А 30пФ @ 4В, 1МГц
1N935-1 Microchip Technology 1Н935-1 5.5350
запросить цену
ECAD 2736 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - REACH не касается 150-1Н935-1 EAR99 8541.10.0050 1 9 В 20 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе