- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Диоды(166326)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Ток – средний выпрямленный (Io) | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DF04S | - |  | 4355 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | DF04 | Стандартный | ДФС | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | DF04SIR | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 В @ 1 А | 5 мкА при 400 В | 1 А | Однофазный | 400 В | |
 | ВС-1КАБ20Э | 1,9500 | | 5754 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадрат, Д-38 | 1КАБ20 | Стандартный | Д-38 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 В при 1,2 А | 10 мкА при 200 В | 1,2 А | Однофазный | 200 В | ||
 | 91МТ120КБ | - | | 6644 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТК | 91МТ120 | Стандартный | МТК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *91MT120КБ | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 А | Трехфазный | 1,2 кВ | |||
 | ВС-GBPC2512A | 7.3200 | | 1258 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | ВС-ГБПК | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-Квадратный, ГБПК-А | GBPC2512 | Стандартный | ГБПК-А | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 при мА 1,2 В | 25 А | Однофазный | 1,2 кВ | |||
| 92МТ140КБ | - | | 4737 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТК | 92МТ140 | Стандартный | МТК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *92MT140КБ | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 А | Трехфазный | 1,4 кВ | |||
 | ВС-26МБ120А | 11.0100 | | 5777 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-Квадрат, Д-34 | 26МБ120 | Стандартный | Д-34 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 мкА при 1200 В | 25 А | Однофазный | 1,2 кВ | |||
 | MB3510W-BP | - | | 2881 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-квадратный, МБ-35Вт | МБ3510 | Стандартный | МБ-35Вт | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,2 В @ 17,5 А | 10 мкА при 1000 В | 35 А | Однофазный | 1 кВ | ||
| ВС-2КББ05 | 0,9458 | | 6890 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | * | Трубка | Активный | 2KBB05 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | ||||||||||||
 | ГБПК1210-Е4/51 | 5.3000 | | 91 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Коробка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-Квадратный, ГБПК | GBPC1210 | Стандартный | ГБПК | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 В при 6 А | 5 мкА при 1000 В | 12 А | Однофазный | 1 кВ | ||
| 113МТ120КБ | - | | 3955 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТК | 113МТ120 | Стандартный | МТК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *113MT120КБ | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 при мА 1200 В | 110 А | Трехфазный | 1,2 кВ | ||
| 111МТ160КБ | - | | 5117 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТК | 111МТ160 | Стандартный | МТК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 при мА 1600 В | 110 А | Трехфазный | 1,6 кВ | |||
 | MP501W | - | | 7602 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Устаревший | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-квадратный, МП-50Вт | МП501 | Стандартный | МП-50Вт | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | МП501WMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 В при 25 А | 10 мкА при 100 В | 50 А | Однофазный | 100 В | |
 | ВС-2КББ60Р | 1,7100 | | 465 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, 2КББ | 2КББ60 | Стандартный | 2КББ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 В @ 1,9 А | 10 мкА при 600 В | 1,9 А | Однофазный | 600 В | ||
 | ВС-26МТ60 | 16.3900 | | 8211 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 5-Квадрат, Д-63 | 26МТ60 | Стандартный | Д-63 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 100 мкА при 600 В | 25 А | Трехфазный | 600 В | |||
| ВС-KBPC601 | 4.2200 | | 1787 г. | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | ВС-КБПК6 | Масса | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадрат, Д-72 | КБПК601 | Стандартный | Д-72 | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 В @ 3 А | 10 мкА при 100 В | 6 А | Однофазный | 100 В | ||
| 94МТ80КБ | - | | 8627 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТК | 94МТ80 | Стандартный | МТК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *94MT80КБ | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 А | Трехфазный | 800 В | |||
 | ГБУ6Г | 1,7000 | | 895 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ6 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 В @ 6 А | 5 мкА при 400 В | 6 А | Однофазный | 400 В | ||
| 92МТ160КБ | - | | 3854 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | МТК | 92МТ160 | Стандартный | МТК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 А | Трехфазный | 1,6 кВ | ||||
| ВС-1КАБ40Э | 2.3000 | | 9155 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадрат, Д-38 | 1КАБ40 | Стандартный | Д-38 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 В при 1,2 А | 10 мкА при 400 В | 1,2 А | Однофазный | 400 В | ||
| GBU8JL-5700M3/51 | - | | 1537 г. | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ8 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 8 А | 5 мкА при 600 В | 3,9 А | Однофазный | 600 В | |||
 | АПТ60DF60HJ | 20.7700 | | 72 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление на шасси | СОТ-227-4, миниБЛОК | АПТ60DF60 | Стандартный | СОТ-227 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 2,3 В при 60 А | 25 мкА при 600 В | 90 А | Однофазный | 600 В | ||
| GBU4JL-5303M3/45 | - | | 5614 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ4 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 600 В | 3 А | Однофазный | 600 В | |||
| GBU6JL-7002M3/45 | - | | 8373 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ6 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 6 А | 5 мкА при 600 В | 3,8 А | Однофазный | 600 В | |||
 | GBLA08H | - | | 9334 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | GBLA08 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 800 В | 4 А | Однофазный | 800 В | ||
| ГБЛ08Л-5701Е3/51 | - | | 4223 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ08 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 800 В | 3 А | Однофазный | 800 В | |||
 | GBU10005 | 1,3635 | | 4920 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | GBU10005 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 В @ 5 А | 5 мкА при 50 В | 10 А | Однофазный | 50 В | ||
 | ГБУ4Б-Е3/45 | 1,0296 | | 4502 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ4 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 100 В | 3 А | Однофазный | 100 В | ||
| DF04SA-E3/45 | 0,2751 | | 3511 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | DF04 | Стандартный | ДФС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | 1,1 В @ 1 А | 5 мкА при 400 В | 1 А | Однофазный | 400 В | ||
 | ГБПК1510Т | 2,4180 | | 2180 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадратный, ГБПК | ГБПК1510 | Стандартный | ГБПК | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 В при 7,5 А | 5 мкА при 1000 В | 15 А | Однофазный | 1 кВ | |||
 | KBPC5010T | 4.2700 | | 331 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-Квадратный, КБ ПК-Т | KBPC5010 | Стандартный | КБПК-Т | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 В при 25 А | 5 мкА при 1000 В | 50 А | Однофазный | 1 кВ |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)