Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N4575AUR-1/ТР | 6.1200 | ![]() | 7528 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/452 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4575AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 мкА при 3 В | 3 В | 50 Ом | |||||||||||||
![]() | SMBJ5956B/TR13 | 1,5600 | ![]() | 5253 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | SMBJ5956 | 2 Вт | СМБЖ (ДО-214АА) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 200 мА | 1 мкА при 152 В | 200 В | 1200 Ом | |||||||||||
![]() | 1SMB5940BT3G | 0,3800 | ![]() | 9986 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | 1SMB5940 | 3 Вт | СМБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 2500 | 1,5 В при 200 мА | 1 мкА при 32,7 В | 43 В | 53 Ом | |||||||||||
| MMBZ5236B-G3-18 | - | ![]() | 4620 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБЗ5236 | 225 мВт | СОТ-23-3 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 3 мкА при 6 В | 7,5 В | 6 Ом | |||||||||||||
| JANTX1N4621D-1/ТР | 13.9384 | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4621D-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3,5 мкА при 2 В | 3,6 В | 1700 Ом | ||||||||||||||
![]() | BZX384C12-HE3-08 | 0,2600 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX384 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | BZX384C12 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 100 нА при 8 В | 12 В | 25 Ом | ||||||||||||
![]() | CDLL756C | 5.7300 | ![]() | 6368 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL756C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 1 мкА при 6 В | 8,2 В | 8 Ом | |||||||||||||
![]() | CD-DF406S | 0,7700 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Борнс Инк. | CD-DF4xxS | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | Чип, Вогнутые клеммы | CD-DF | Стандартный | - | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | 950 мВ при 2 А | 5 мкА при 600 В | 4 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||
| MMBZ5229C-G3-18 | - | ![]() | 1058 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБЗ5229 | 225 мВт | СОТ-23-3 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 5 мкА при 1 В | 4,3 В | 22 Ом | |||||||||||||
![]() | JANTXV1N2984RB | - | ![]() | 8537 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/124 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | 10 Вт | ДО-213АА (ДО-4) | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В @ 2 А | 10 мкА при 15,2 В | 20 В | 4 Ом | |||||||||||||
![]() | ABS15JHREG | - | ![]() | 4425 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | АБС15 | Стандартный | АБС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | 1 В при 1,5 А | 5 мкА при 600 В | 1,5 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||
![]() | MX1N3332D | 4.0000 | ![]() | 1527 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Масса | Активный | ±20% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 (ДО-203АБ) | - | REACH не касается | 150-MX1N3332D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 10 А | 10 мкА при 38,8 В | 51 В | 5,2 Ом | |||||||||||||
![]() | 1N3306B | 8.5000 | ![]() | 190 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Коробка | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1N3306 | 50 Вт | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-1Н3306Б | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 В при 10 А | 75 мкА при 5 В | 7,5 В | 0,3 Ом | ||||||||||
![]() | БЗТ52-Б13ДЖ | 0,2400 | ![]() | 46 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2,31% | -55°С ~ 150°С (ТА) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | БЗТ52 | 590 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 8 В | 13 В | 10 Ом | |||||||||||
![]() | Ф5К120 | 1,0976 | ![]() | 5011 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | Стандартный | ДО-201 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | Информация REACH предоставляется по запросу. | 2721-Ф5К120ТР | 8541.10.0000 | 425 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 120 В | 990 мВ при 5 А | 350 нс | 5 мкА при 120 В | -50°С ~ 175°С | 5А | - | ||||||||||
![]() | 1N4762CPE3/TR12 | - | ![]() | 5114 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±2% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4762 | 1 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 62,2 В | 82 В | 200 Ом | ||||||||||||
![]() | КБП151Г С2 | - | ![]() | 6948 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБП | Стандартный | КБП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | 1,1 В при 1,5 А | 10 мкА при 50 В | 1,5 А | Однофазный | 50 В | ||||||||||||
![]() | JANTX1N4371AUR-1/ТР | 5,4929 | ![]() | 5393 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4371AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 60 мкА при 1 В | 2,7 В | 30 Ом | ||||||||||||
![]() | GBJ25MI_T0_00101 | 1,2700 | ![]() | 739 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЖ | GBJ25MI | Стандартный | ГБД-1 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | 3757-GBJ25MI_T0_00101 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 В при 12,5 А | 5 мкА при 1000 В | 25 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||||||
![]() | JANTXV1N3025D-1/ТР | 33,8618 | ![]() | 9290 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1 Вт | ДО-41 | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N3025D-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 12,2 В | 16 В | 16 Ом | ||||||||||||
![]() | CDLL4496/ТР | 14.2310 | ![]() | 3421 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТА) | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) | 1,5 Вт | ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CDLL4496/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 В при 200 мА | 250 нА при 160 В | 200 В | 1500 Ом | ||||||||||||
![]() | JAN1N4110UR-1/TR | 5.1870 | ![]() | 7829 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ЯН1Н4110УР-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 50 нА при 12,2 В | 16 В | 100 Ом | |||||||||||||
![]() | GBPC1510W | 3.1618 | ![]() | 7877 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | GBPC15 | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадратный, ГБПК-З | ГБПК1510 | Стандартный | GBPC-W | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-GBPC1510W | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 В при 7,5 А | 5 мкА при 1000 В | 15 А | Однофазный | 1 кВ | |||||||||||
![]() | GBU8JL-6088E3/51 | - | ![]() | 1388 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ8 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 8 А | 5 мкА при 600 В | 3,9 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||
![]() | SMBG5362BE3/TR13 | 1.1400 | ![]() | 3207 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | СМБГ5362 | 5 Вт | СМБГ (ДО-215АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В @ 1 А | 500 нА при 20,1 В | 28 В | 6 Ом | |||||||||||
![]() | BZG05C43-E3-TR | - | ![]() | 4146 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | BZG05C | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АС, СМА | БЗГ05 | 1,25 Вт | ДО-214АС (СМА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 6000 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 33 В | 43 В | 50 Ом | |||||||||||
| ММСЗ5В1ЕТ1Г | 1,0000 | ![]() | 4051 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 2 мкА при 2 В | 5,1 В | 60 Ом | |||||||||||||
![]() | BZX384C20-HE3-18 | 0,0341 | ![]() | 3573 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX384 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | BZX384C20 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 50 нА при 14 В | 20 В | 55 Ом | ||||||||||||
![]() | АБС10 | 0,4800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | АБС10 | Стандартный | АБС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | 950 мВ при 400 мА | 10 мкА при 1000 В | 1 А | Однофазный | 1 кВ | |||||||||||
| ДЖАНТХ1Н750Д-1 | 7.2600 | ![]() | 9057 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1Н750 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 5 мкА при 1,5 В | 4,7 В | 19 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)