SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Коэффициент емкости Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
2EZ130D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ130D5E3/TR8 -
запросить цену
ECAD 6122 0,00000000 Корпорация Микросеми - Лента и катушка (TR) Устаревший ±5% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 2ЭЗ130 2 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1500 1,2 В при 200 мА 500 нА при 98,8 В 130 В 400 Ом
ACZRC5355B-G Comchip Technology ACZRC5355B-G 0,3480
запросить цену
ECAD 3656 0,00000000 Комчип Технология Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК ACZRC5355 5 Вт ДО-214АБ (СМК) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 1 А 500 нА при 13,7 В 18 В 2,5 Ом
BZD27C75PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHR3G -
запросить цену
ECAD 8310 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±6,04% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-219АБ БЖД27 1 Вт Суб-SMA скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1800 г. 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 56 В 74,5 В 100 Ом
BZX84W-B15F Nexperia USA Inc. BZX84W-B15F 0,2200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Нексперия США Инк. BZX84W Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 BZX84W 275 МВт СОТ-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 900 мВ при 10 мА 50 нА при 10,5 В 15 В 30 Ом
1N5341A/TR12 Microchip Technology 1N5341A/TR12 2,6250
запросить цену
ECAD 9468 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие Т-18, Осевой 1N5341 5 Вт Т-18 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 1 А 1 мкА при 3 В 6,2 В 1 Ом
PM1010_R2_00601 Panjit International Inc. PM1010_R2_00601 0,6900
запросить цену
ECAD 8022 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки Стандартный М8 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2000 г. 1,05 В при 5 А 5 мкА при 1000 В 10 А Однофазный 1 кВ
JANTXV1N5537D-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5537D-1/ТР 26.0414
запросить цену
ECAD 3783 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/437 Лента и катушка (TR) Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTXV1N5537D-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 15,3 В 17 В 100 Ом
1N5944CE3/TR13 Microchip Technology 1N5944CE3/TR13 -
запросить цену
ECAD 2036 год 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N5944 1,5 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 47,1 В 62 В 100 Ом
MUR1660-BP Micro Commercial Co МУР1660-БП 0,4939
запросить цену
ECAD 2002 г. 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 МУР1660 Стандартный ТО-220АС скачать 353-МУР1660-БП EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,5 В @ 16 А 50 нс 5 мкА при 600 В -55°С ~ 150°С 16А 65пФ @ 4В, 1МГц
CDLL5919BE3 Microchip Technology CDLL5919BE3 3,6575
запросить цену
ECAD 3815 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) 1,25 Вт ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CDLL5919BE3 EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 3 В 5,6 В 2 Ом
KBU1001-G Comchip Technology КБУ1001-Г 1,2250
запросить цену
ECAD 2012 год 0,00000000 Комчип Технология - Масса Активный -55°С ~ 125°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБУ КБУ1001 Стандартный КБУ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 400 1 В @ 5 А 10 мкА при 100 В 10 А Однофазный 100 В
BZX84C12CC-HF Comchip Technology BZX84C12CC-HF 0,0492
запросить цену
ECAD 7266 0,00000000 Комчип Технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5,42% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84C12 350 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 641-BZX84C12CC-HFTR EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 А 100 нА при 8 В 12 В 25 Ом
1SMA4744-GT3 SMC Diode Solutions 1SMA4744-GT3 0,0710
запросить цену
ECAD 2150 0,00000000 Диодные решения SMC - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА 1 Вт СМА (ДО-214АС) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.10.0050 5000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 11,4 В 15 В 14 Ом
RLZTE-1118C Rohm Semiconductor РЛЗТЭ-1118С -
запросить цену
ECAD 3782 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший ±3% - Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ООО «ЛЛДС» скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 2500 200 нА при 13 В 17,3 В 23 Ом
ZY33 Diotec Semiconductor ЗЫ33 0,0986
запросить цену
ECAD 20 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АС, ДО-41, осевой 2 Вт ДО-41/ДО-204АС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 2796-ZY33TR 8541.10.0000 5000 1 мкА при 17 В 33 В 8 Ом
KBPC3508W-G Comchip Technology KBPC3508W-G 6,8882
запросить цену
ECAD 2557 0,00000000 Комчип Технология - Поднос Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-Квадратный, КБПК-З КБПК3508 Стандартный КБПЦ-В скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 17,5 А 10 мкА при 800 В 35 А Однофазный 800 В
JAN1N4129-1/TR Microchip Technology JAN1N4129-1/TR 3,7772
запросить цену
ECAD 1840 г. 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой ДО-35 (ДО-204АХ) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯН1Н4129-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 47,1 В 62 В 500 Ом
1N5378CE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5378CE3/TR8 -
запросить цену
ECAD 4035 0,00000000 Корпорация Микросеми - Лента и катушка (TR) Устаревший ±2% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие Т-18, Осевой 1N5378 5 Вт Т-18 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1000 1,2 В @ 1 А 500 нА при 72 В 100 В 90 Ом
BZX84B75-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B75-E3-18 0,0324
запросить цену
ECAD 3175 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов БЗХ84 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84B75 300 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
BZX84B22VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B22VLFHT116 0,0474
запросить цену
ECAD 2009 год 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов ±1,82% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗХ84 250 мВт SSD3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 100 нА при 15 В 22 В 55 Ом
BZX79-B13,143 NXP USA Inc. BZX79-B13,143 0,0200
запросить цену
ECAD 150 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать EAR99 8541.10.0050 1 900 мВ при 10 мА 100 нА при 8 В 13 В 30 Ом
BB179B,315 NXP USA Inc. BB179B,315 -
запросить цену
ECAD 5917 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 ББ17 СОД-523 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 8000 2,25 пФ @ 28 В, 1 МГц Одинокий 32 В 10 С1/С28 -
ZC831BTC Diodes Incorporated ZC831BTC -
запросить цену
ECAD 2171 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ZC831B СОТ-23-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 10 000 15,75 пФ при 2 В, 1 МГц Одинокий 25 В 6 С2/С20 300 при 3 В, 50 МГц
HZK6BTR-S-E Renesas Electronics America Inc HZK6BTR-SE 0,1800
запросить цену
ECAD 27 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 2500
SMBG5338AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5338AE3/TR13 -
запросить цену
ECAD 6126 0,00000000 Корпорация Микросеми - Лента и катушка (TR) Устаревший ±10% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» СМБГ5338 5 Вт СМБГ (ДО-215АА) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,2 В @ 1 А 1 мкА при 1 В 5,1 В 1,5 Ом
BAS70-06-AQ Diotec Semiconductor БАС70-06-АК 0,0431
запросить цену
ECAD 9926 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Шоттки СОТ-23-3 (ТО-236) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается 2796-BAS70-06-AQTR 8541.10.0000 3000 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 1 пара общего анода 70 В 70 мА 1 В при 15 мА 5 нс 100 нА при 50 В -55°С ~ 150°С
1N6097R GeneSiC Semiconductor 1N6097R 21.5010
запросить цену
ECAD 5797 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный Шасси, Крепление на шпильке ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 1N6097R Шоттки, Обратная полярность ДО-5 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1Н6097РГН EAR99 8541.10.0080 100 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 30 В 700 мВ при 50 А 5 при мА 30 В -65°С ~ 150°С 50А -
JAN1N6330US/TR Microchip Technology JAN1N6330US/TR 13.2000
запросить цену
ECAD 3505 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/533 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 500 мВт Б, SQ-MELF - 150-JAN1N6330US/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,4 В @ 1 А 50 нА при 14 В 18 В 14 Ом
GBS4G Diotec Semiconductor ГБС4Г 0,9390
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Диотек Полупроводник - Коробка Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-SIP Стандартный 4-SIP скачать Соответствует ROHS3 Непригодный 2721-GBS4G 8541.10.0000 500 1,05 В при 2 А 5 мкА при 400 В 2,3 А Однофазный 400 В
1PGSMC5355 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5355 М6Г -
запросить цену
ECAD 1528 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК 1PGSMC 5 Вт ДО-214АБ (СМК) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-1PGSMC5355M6GTR EAR99 8541.10.0050 3000 500 нА при 13,7 В 18 В 3 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе