Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTXV1N751AUR-1/TR | 6,7830 | ![]() | 8537 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/127 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N751AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 5 мкА при 2 В | 5,1 В | 17 Ом | ||||||||||||
![]() | 1N5376B | 0,2073 | ![]() | 4129 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 5 Вт | ДО-201 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | 2796-1Н5376БТР | 8541.10.0000 | 1700 | 500 нА при 66 В | 87 В | 75 Ом | |||||||||||||
![]() | 1PGSMC5369H | 0,3477 | ![]() | 4932 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | 1PGSMC | 5 Вт | ДО-214АБ (СМК) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 500 нА при 38,8 В | 51 В | 27 Ом | ||||||||||||
![]() | CDLL5271C/ТР | 6.9150 | ![]() | 8448 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 10 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL5271C/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1,1 В при 200 мА | 100 нА при 76 В | 100 В | 500 Ом | |||||||||||||
![]() | РКЗ3.3Б2КГ#П1 | 0,1000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL756C | 5.7300 | ![]() | 6368 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL756C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 1 мкА при 6 В | 8,2 В | 8 Ом | |||||||||||||
![]() | 1N5946B | - | ![]() | 7799 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | ±5% | -65°С ~ 200°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N5946 | 3 Вт | Осевой | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 2000 г. | 1,5 В при 200 мА | 1 мкА при 56 В | 75 В | 140 Ом | |||||||||||
![]() | BZX84C75_R1_00001 | 0,0189 | ![]() | 4618 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | БЗХ84 | 410 мВт | СОТ-23 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 252 000 | 100 нА при 56 В | 75 В | 250 Ом | ||||||||||||
![]() | HPZR-C53-QX | 0,4200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HPZR-Q | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123W | 682 МВт | СОД-123W | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1 В при 100 мА | 100 нА при 45 В | 53 В | 62,54 Ом | ||||||||||||
![]() | Z3SMC56 | 0,2393 | ![]() | 8308 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АБ, СМК | 3 Вт | СМК (ДО-214АБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 2796-Z3SMC56TR | 8541.10.0000 | 3000 | 1 мкА при 28 В | 56 В | 25 Ом | ||||||||||||||
![]() | CDLL5256D | 8.4150 | ![]() | 6786 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 10 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL5256D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 100 нА при 23 В | 30 В | 49 Ом | |||||||||||||
![]() | GBU6JL-7001E3/45 | - | ![]() | 5589 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ6 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 6 А | 5 мкА при 600 В | 3,8 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||
![]() | GBU8J-001M3/51 | - | ![]() | 9241 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ8 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 8 А | 5 мкА при 600 В | 3,9 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||
![]() | SMZJ3801BHE3_A/Ч | 0,1597 | ![]() | 5448 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗДЖ3801 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 мкА при 25,1 В | 33 В | 33 Ом | ||||||||||||
![]() | JANTX1N4956DUS/TR | 32.4000 | ![]() | 6239 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANTX1N4956DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 50 мкА при 6,2 В | 8,2 В | 1,5 Ом | ||||||||||||||
![]() | КБП104Г C2G | - | ![]() | 6646 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБП | Стандартный | КБП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | 1 В @ 1 А | 10 мкА при 400 В | 1 А | Однофазный | 400 В | ||||||||||||
![]() | KBPC3504 | 1,4930 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Solid State Inc. | КБПК35 | Масса | Активный | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-Квадрат, КБ ПК | Стандартный | КБПК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-KBPC3504 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,2 В @ 17,5 А | 10 мкА при 400 В | 35 А | Однофазный | 400 В | |||||||||||
![]() | СЗММ3З75ВТ1ГХ | 0,2700 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | 300 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,1 В при 100 мА | 50 нА при 52,5 В | 75 В | 255 Ом | ||||||||||||
![]() | SMMSZ5260BT1G | - | ![]() | 4784 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | СММСЗ5260 | 500 мВт | СОД-123 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 33 В | 43 В | 93 Ом | |||||||||||
![]() | SFT11G | - | ![]() | 8278 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | Стандартный | ТС-1 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-SFT11GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 950 мВ при 1 А | 35 нс | 5 мкА при 50 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 20пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||
![]() | JANTXV1N3326RB | - | ![]() | 2652 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/358 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 50 Вт | ДО-5 | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 10 А | 10 мкА при 27,4 В | 36 В | 3,5 Ом | |||||||||||||
![]() | JANS1N4955CUS/TR | 462.1650 | ![]() | 9273 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANS1N4955CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 В при 1 А | 100 мкА при 5,7 В | 7,5 В | 1,5 Ом | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4979DUS/TR | 51.2700 | ![]() | 5902 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, E | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANTXV1N4979DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 56 В | 75 В | 55 Ом | ||||||||||||||
![]() | Г3СБА60-5410М3/51 | - | ![]() | 3679 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G3SBA60 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 2 А | 5 мкА при 600 В | 2,3 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||
![]() | MMSZ5222B_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | ММСЗ5222 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 100 мкА при 1 В | 2,5 В | 30 Ом | ||||||||||||
![]() | СРА1040 | - | ![]() | 4621 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Трубка | Активный | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | Шоттки | ТО-220АС | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-SRA1040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 550 мВ при 10 А | 500 мкА при 40 В | -55°С ~ 125°С | 10А | - | ||||||||||
| 1N5248B-1E3 | 2,4450 | ![]() | 5215 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | - | REACH не касается | 150-1Н5248Б-1Е3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 14 В | 18 В | 21 Ом | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N4574AUR-1/ТР | 35,7000 | ![]() | 7917 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/452 | Лента и катушка (TR) | Активный | - | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTX1N4574AUR-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 мкА при 3 В | 100 Ом | ||||||||||||||
![]() | ЗПД15 | 0,0211 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -50°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | 2796-ЗПД15ТР | 8541.10.0000 | 10 000 | 100 нА при 11 В | 15 В | 11 Ом | ||||||||||||||
![]() | BZX84J-B16,115 | 0,0300 | ![]() | 16 | 0,00000000 | НХП Полупроводники | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Масса | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | 550 мВт | СОД-323Ф | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10 051 | 1,1 В при 100 мА | 50 нА при 11,2 В | 16 В | 20 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)