SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Коэффициент емкости Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
AZ23C3V9W-TP Micro Commercial Co AZ23C3V9W-TP 0,0721
запросить цену
ECAD 5967 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Масса Активный ±5,13% - Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 AZ23C3V9 200 мВт СОТ-323 скачать 353-AZ23C3V9W-TP EAR99 8541.10.0050 1 1 пара общего анода 3,9 В 95 Ом
BZT52-B24-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. БЗТ52-Б24-АУ_Р1_000А1 0,2200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123 БЗТ52 410 мВт СОД-123 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 100 нА при 18 В 24 В 80 Ом
ZHCS750QTA Diodes Incorporated ZHCS750QTA 0,2538
запросить цену
ECAD 3708 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Шоттки СОТ-23-3 скачать 31-ZHCS750QTA EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 650 мВ при 750 мА 12 нс 100 мкА при 30 В 125°С 1,5 А 25пФ @ 25В, 1МГц
ZMM20B Diotec Semiconductor ЗММ20Б 0,0358
запросить цену
ECAD 35 0,00000000 Диотек Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -50°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт СОД-80С скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2796-ЗММ20БТР 8541.10.0000 2500 100 нА при 15 В 20 В 55 Ом
PZU12B1A,115 Nexperia USA Inc. ПЗУ12Б1А,115 0,2800
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Нексперия США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 ПЗУ12 320 мВт СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,1 В @ 100 мА 100 нА при 9 В 12 В 10 Ом
1N4582AUR-1/TR Microchip Technology 1N4582AUR-1/ТР 9.1600
запросить цену
ECAD 2809 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный - -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж ДО-213АА 500 мВт ДО-213АА - EAR99 8541.10.0050 105 2 мкА при 3 В 25 Ом
1N5941BPE3/TR12 Microchip Technology 1N5941BPE3/TR12 0,9450
запросить цену
ECAD 7018 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1N5941 1,5 Вт ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 4000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 35,8 В 47 В 67 Ом
1N5223B onsemi 1N5223B 0,1800
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 онсеми - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N5223 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 Непригодный REACH не касается EAR99 8541.10.0050 5000 1,2 В при 200 мА 75 мкА при 1 В 2,7 В 30 Ом
SK53C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK53C R6 -
запросить цену
ECAD 1011 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК Шоттки ДО-214АБ (СМЦ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 1801-SK53CR6TR EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 30 В 550 мВ при 5 А 500 мкА при 30 В -55°С ~ 150°С -
MMBZ5255BT-7-G Diodes Incorporated ММБЗ5255БТ-7-Г -
запросить цену
ECAD 2214 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед * Лента и катушка (TR) Устаревший - 1 (без блокировки) REACH не касается ММБЗ5255БТ-7-ГДИ EAR99 8541.10.0050 3000
RKV502KK-N#R1 Renesas Electronics America Inc РКВ502КК-Н#Р1 0,1700
запросить цену
ECAD 56 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный РКВ502 - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0070 8000
DF01SA-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01SA-E3/77 0,6400
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки DF01 Стандартный ДФС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 1500 1,1 В @ 1 А 5 мкА при 100 В 1 А Однофазный 100 В
ZC836ATC Diodes Incorporated ZC836ATC -
запросить цену
ECAD 6499 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ZC836A СОТ-23-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 10 000 110пФ @ 2В, 1МГц Одинокий 25 В 6,5 С2/С20 100 при 3 В, 50 МГц
GBPC3510 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510 3,7238
запросить цену
ECAD 8416 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация GBPC35 Поднос Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 4-Квадратный, ГБПК GBPC3510 Стандартный ГБПК скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-GBPC3510 EAR99 8541.10.0080 200 1,1 В @ 17,5 А 5 мкА при 1000 В 35 А Однофазный 1 кВ
MURB1040CT Yangjie Technology MURB1040CT 0,3340
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Стандартный Д2ПАК - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-MURB1040CTTR EAR99 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 400 В 10А 1,3 В при 5 А 50 нс 10 мкА при 400 В -55°С ~ 150°С
1PMT5937C/TR13 Microchip Technology 1PMT5937C/TR13 2,7600
запросить цену
ECAD 6567 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный ±2% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ДО-216АА 1PMT5937 3 Вт ДО-216АА скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 12 000 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 25,1 В 33 В 33 Ом
BBY 51-02L E6327 Infineon Technologies ДБЯ 51-02Л Е6327 -
запросить цену
ECAD 2857 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-882 ДБЯ 51 год ПГ-ТСЛП-2-1 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 15 000 3,7 пФ @ 4 В, 1 МГц Одинокий 7 В 2.2 С1/С4 -
1N3319A Microchip Technology 1N3319A 49.3800
запросить цену
ECAD 7589 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±10% -65°С ~ 175°С Шасси, Крепление на шпильке ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 1N3319 50 Вт ДО-5 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,5 В @ 10 А 10 мкА при 15,2 В 20 В 2,4 Ом
JANHCA1N4100D Microchip Technology ЯНХКА1Н4100Д -
запросить цену
ECAD 3722 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Поверхностный монтаж Править 500 мВт Править - REACH не касается 150-JANHCA1N4100D EAR99 8541.10.0050 100 1,1 В при 200 мА 10 мкА при 5,7 В 7,5 В 200 Ом
BBY6602VH6327XTSA1 Infineon Technologies BBY6602VH6327XTSA1 0,5000
запросить цену
ECAD 90 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-79, СОД-523 ДБЯ6602 PG-SC79-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 13,5 пФ @ 4,5 В, 1 МГц Одинокий 12 В 5.41 С1/С4.5 -
VS-VS24CSR06L Vishay General Semiconductor - Diodes Division ВС-ВС24CSR06L -
запросить цену
ECAD 1666 г. 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Масса Последняя покупка ВС24 - 112-ВС-ВС24CSR06L 1
JANTX1N6342/TR Microchip Technology JANTX1N6342/ТР 11.1587
запросить цену
ECAD 4401 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/533 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие Б, Осевой 500 мВт Б, Осевой - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANTX1N6342/TR EAR99 8541.10.0050 1 1,4 В @ 1 А 50 нА при 43 В 52,7 В 100 Ом
DB104G GeneSiC Semiconductor ДБ104Г 0,1980
запросить цену
ECAD 2293 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-ЭДИП (0,321", 8,15 мм) ДБ104 Стандартный БД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ДБ104ГГН EAR99 8541.10.0080 2500 1,1 В @ 1 А 10 мкА при 400 В 1 А Однофазный 400 В
JANTX1N4992/TR Microchip Technology JANTX1N4992/ТР 14.2800
запросить цену
ECAD 9358 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие Е, Осевой 5 Вт Е, Осевой - REACH не касается 150-JANTX1N4992/ТР EAR99 8541.10.0050 100 1,5 В при 1 А 2 мкА при 206 В 270 В 800 Ом
S5M-CT Diotec Semiconductor С5М-КТ 0,6192
запросить цену
ECAD 495 0,00000000 Диотек Полупроводник - Полоска Активный Поверхностный монтаж ДО-214АБ, СМК Стандартный СМК (ДО-214АБ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2721-С5М-КТ 8541.10.0000 15 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 1000 В 1,1 В @ 5 А 1,5 мкс 10 мкА при 50 В -50°С ~ 150°С -
HZ3A1TA-E Renesas Electronics America Inc HZ3A1TA-E 0,1200
запросить цену
ECAD 6332 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 2000 г.
BZX55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C6V2 0,0287
запросить цену
ECAD 8096 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX55 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-BZX55C6V2TR EAR99 8541.10.0050 10 000 1 В @ 100 мА 100 нА при 2 В 6,2 В 10 Ом
KV2121-00 Microchip Technology КВ2121-00 -
запросить цену
ECAD 7655 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж Править Чип - REACH не касается 150-КВ2121-00 EAR99 8541.10.0040 1 0,35 пФ при 20 В, 1 МГц Одинокий 22 В 4.3 С4/С20 1000 при 4 В, 50 МГц
JANS1N4622UR-1/TR Microchip Technology JANS1N4622UR-1/TR 64.5004
запросить цену
ECAD 9986 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -65°С ~ 175°С (ТА) Поверхностный монтаж ДО-213АА (Стекло) 500 мВт ДО-213АА - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯНС1Н4622УР-1/ТР EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 2,5 мкА при 2 В 3,9 В 1,65 Ом
1N3324RA Solid State Inc. 1Н3324РА 8.5000
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Активный ±10% -65°С ~ 175°С (ТДж) Крепление шпильки ДО-203АБ, ДО-5, шпилька 1N3324 50 Вт ДО-5 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-1Н3324РА EAR99 8541.10.0080 10 1,5 В @ 10 А 5 мкА при 21,6 В 30 В 3 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе