Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Ток - Макс. | Рассеиваемая мощность (макс.) | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) | Сопротивление @ Если, F | Коэффициент емкости | Состояние коэффициента емкости | Q@Вр,Ф |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV1N4132D-1 | 28.9500 | ![]() | 7885 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4132 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 62,4 В | 82 В | 800 Ом | |||||||||||||||||||
![]() | ММСЗ5243BS | 0,0180 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-ММСЗ5243БСТР | EAR99 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5272B/ТР | 2,8861 | ![]() | 8825 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-1Н5272Б/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 200 мА | 100 нА при 84 В | 110 В | 750 Ом | ||||||||||||||||||||
![]() | КБУ801Г Т0Г | - | ![]() | 3398 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Поднос | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБУ | Стандартный | КБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | КБУ801ГТ0Г | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 В @ 8 А | 5 мкА при 50 В | 8 А | Однофазный | 50 В | ||||||||||||||||||
![]() | GBJ5006 | 0,9120 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Технология Янцзе | ГБЖ | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЖ | Стандартный | ГБЖ | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-GBJ5006 | EAR99 | 750 | 1,1 В при 25 А | 10 мкА при 600 В | 50 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5350/TR8 | 2,6250 | ![]() | 7389 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±20% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | 1N5350 | 5 Вт | Т-18 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1000 | 1,2 В при 1 А | 1 мкА при 9,4 В | 13 В | 2,5 Ом | ||||||||||||||||||
| ГБПК1510М Т0Г | - | ![]() | 2358 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-Квадратный, ГБПК-М | ГБПК1510 | Стандартный | ГБПК-М | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 В при 7,5 А | 5 мкА при 1000 В | 15 А | Однофазный | 1 кВ | |||||||||||||||||||
![]() | SMBG5381BE3/TR13 | 1.1400 | ![]() | 7470 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | СМБГ5381 | 5 Вт | СМБГ (ДО-215АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 1 А | 500 нА при 93,6 В | 130 В | 190 Ом | ||||||||||||||||||
![]() | ЯНС1Н4476 | - | ![]() | 2125 | 0,00000000 | Корпорация Семтек | МИЛ-ПРФ-19500/406 | Масса | Снято с производства в НИЦ | ±5% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1,5 Вт | Осевой | скачать | 600-ЯНС1Н4476 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 нА при 24 В | 30 В | 20 Ом | ||||||||||||||||||||||
![]() | РД16Э-Т1-АЗ | 0,0300 | ![]() | 948 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | СМБЗ2606-8LT3G | 0,0200 | ![]() | 30 | 0,00000000 | онсеми | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZRW4715-Г | - | ![]() | 4836 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 350 мВт | СОД-123 | скачать | 641-CZRW4715-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 мВ при 10 мА | 10 нА при 27,3 В | 36 В | ||||||||||||||||||||||
![]() | РД7.5JS-АЗ | - | ![]() | 3908 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 2600 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBF2040CT | - | ![]() | 9892 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Масса | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | СБФ2040 | Шоттки | ИТО-220АБ | скачать | 31-SBF2040CT | УСТАРЕВШИЙ | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 40 В | 20А | 550 мВ при 10 А | 400 мкА при 40 В | -55°С ~ 125°С | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C13-7-F-79 | - | ![]() | 5814 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | * | Лента и катушка (TR) | Устаревший | БЗХ84 | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | BZX84C13-7-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | МТЗДЖ39СЕ Р0Г | 0,0305 | ![]() | 5246 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АГ, ДО-34, Осевой | МТЗЖ39 | 500 мВт | ДО-34 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 нА при 30 В | 38,33 В | 85 Ом | |||||||||||||||||||
![]() | 2949813 | - | ![]() | 6205 | 0,00000000 | Феникс Контакт | - | Масса | Устаревший | -20°С ~ 55°С (ТА) | DIN-рейка | Модуль | - | Модуль | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 230 В | |||||||||||||||||||||||
![]() | MA4P7418-1072T | 14.1100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Технологические решения МАКОМ | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С (ТДж) | 2-СМД | MA4P7418 | 1072 МЕЛФ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0060 | 1500 | 150 мА | 11,5 Вт | 0,8 пФ при 100 В, 100 МГц | PIN-код – одиночный | 1100В | 1,2 Ом при 100 мА, 100 МГц | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4976CUS/TR | 18.8700 | ![]() | 2602 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 42,6 В | 56 В | 35 Ом | ||||||||||||||||||||||
![]() | РД15Э | 0,0300 | ![]() | 343 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ170D10E3/TR12 | - | ![]() | 7088 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±10% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2ЭЗ170 | 2 Вт | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 4000 | 1,2 В при 200 мА | 500 нА при 130,4 В | 170 В | 675 Ом | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B27,215 | 0,0200 | ![]() | 43 | 0,00000000 | NXP США Инк. | * | Масса | Активный | БЗХ84 | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5537D/ТР | 16.3950 | ![]() | 1676 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-213АА | 500 мВт | ДО-213АА | - | REACH не касается | 150-CDLL5537D/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 15,3 В | 17 В | 100 Ом | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4749AP-TP | 0,0806 | ![]() | 2193 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 1N4749 | 1 Вт | ДО-41 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 353-1Н4749АП-ТПТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 5000 | 1,2 В при 200 мА | 5 мкА при 18,2 В | 24 В | 25 Ом | |||||||||||||||||
![]() | ЯНС1Н6842У3 | 363,6150 | ![]() | 1227 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/680 | Масса | Активный | Поверхностный монтаж | 3-СМД, без свинца | 1N6842 | Шоттки | У3 (СМД-0,5) | - | REACH не касается | 150-ЯНС1Н6842У3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1 пара с общим катодом | 60 В | 10А | 780 мВ при 10 А | 50 мкА при 60 В | -65°С ~ 150°С | ||||||||||||||||||
![]() | G2SB60L-5751E3/45 | - | ![]() | 9048 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | Г2СБ60 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В при 750 мА | 5 мкА при 600 В | 1,5 А | Однофазный | 600 В | |||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4973DUS/TR | 460.3500 | ![]() | 2584 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANS1N4973DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 32,7 В | 43 В | 20 Ом | |||||||||||||||||||||
![]() | ХЗС30НБ4ТД-Е | 0,1100 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5386AE3/TR13 | 0,8100 | ![]() | 2642 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±10% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | SMBJ5386 | 5 Вт | СМБЖ (ДО-214АА) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 1,2 В при 1 А | 500 нА при 130 В | 180 В | 430 Ом | ||||||||||||||||||
| МВ32006-129А | - | ![]() | 6695 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | 2-СМД, плоский вывод | - | - | REACH не касается | 150-МВ32006-129А | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 2,2 пФ @ 4 В, 1 МГц | Одинокий | 22 В | 3,5 | С2/С20 | 3000 при 4 В, 50 МГц |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)