 
       Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Скорость | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) | Сопротивление @ Если, F | Коэффициент емкости | Состояние коэффициента емкости | Q@Вр,Ф | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | АПТДФ30Х1201Г | 40.7200 |  | 7653 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -40°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление на шасси | СП1 | АПТДФ30 | Стандартный | СП1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 3,1 В при 30 А | 100 мкА при 1200 В | 43 А | Однофазный | 1,2 кВ | |||||||||||||||||
|  | ММ3З5В6Т1Г | 0,1700 |  | 1245 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±7% | -65°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | ММ3Z5 | 300 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 1 мкА при 2 В | 5,6 В | 40 Ом | |||||||||||||||||
|  | БЗТ52С33SQ-7-Ф | 0,0359 |  | 8585 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±6,06% | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | БЗТ52 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | REACH не касается | 31-BZT52C33SQ-7-ФТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 23,1 В | 33 В | 80 Ом | ||||||||||||||||||
| ГБЛ005-Е3/45 | 0,7456 |  | 8984 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ005 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 2000 г. | 1,1 В при 4 А | 5 мкА при 50 В | 3 А | Однофазный | 50 В | ||||||||||||||||||
|  | 40ХФ30 | 2.5000 |  | 500 | 0,00000000 | Solid State Inc. | - | Масса | Активный | Крепление шпильки | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | Стандартный | ДО-5 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2383-40ХФ30 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | - | 40А | - | |||||||||||||||||||
|  | JANTXV1N3038BUR-1/ТР | 16.1196 |  | 8517 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/115 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АБ, МЭЛФ (Стекло) | 1 Вт | ДО-213АБ (МЭЛФ, LL41) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N3038БУР-1/ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 200 мА | 10 мкА при 42,6 В | 56 В | 110 Ом | ||||||||||||||||||
| BR1001SG-G | 2.1600 |  | 1 | 0,00000000 | Комчип Технология | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 4-кв., БР-8 | BR1001 | Стандартный | БР-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 641-1822 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 В @ 5 А | 10 мкА при 100 В | 10 А | Однофазный | 100 В | |||||||||||||||||
|  | РЛ206Г | - |  | 8604 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Лента и коробка (ТБ) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | RL206 | Стандартный | ДО-15 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 800 В | 1,1 В @ 2 А | 5 мкА при 800 В | -65°С ~ 175°С | 2А | 20пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||||||
|  | BY880-800 | 1,6530 |  | 2003 г. | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | Осевой | Стандартный | Осевой | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | Информация REACH предоставляется по запросу. | 2721-BY880-800ТР | 8541.10.0000 | 250 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 800 В | 1,1 В @ 8 А | 1,5 мкс | 5 мкА при 800 В | -50°С ~ 175°С | 8А | - | ||||||||||||||||
|  | AS1FDHM3/I | 0,1125 |  | 3260 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ДО-219АБ | лавина | ДО-219АБ (СМФ) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 112-АС1ФДХМ3/ИТР | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200 В | 1,15 В @ 1,5 А | 1,3 мкс | 5 мкА при 200 В | -55°С ~ 175°С | 1,5 А | 8,8 пФ @ 4 В, 1 МГц | ||||||||||||||||
|  | РМБ2С-ТП | 0,1399 |  | 9427 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 2 юаня | Стандартный | МБС-1 | скачать | 353-РМБ2С-ТП | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,25 В при 400 мА | 5 мкА при 200 В | 500 мА | Однофазный | 200 В | |||||||||||||||||||
| АЗ23Б3В9-Г3-08 | 0,0594 |  | 2964 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | АЗ23-Г | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | АЗ23Б3В9 | 300 мВт | СОТ-23-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1 пара общего анода | 3,9 В | 95 Ом | |||||||||||||||||||
| ЛВБ1560-М3/45 | 6.9300 |  | 889 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГСИБ-5С | LVB1560 | Стандартный | ГСИБ-5С | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 900 мВ при 7,5 А | 10 мкА при 600 В | 15 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||||||||
|  | УДЗС6В2Б РРГ | - |  | 3615 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-90, СОД-323Ф | УДЗС6 | 200 мВт | СОД-323Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 2,7 мкА при 3 В | 6,2 В | 40 Ом | ||||||||||||||||||
|  | 2М110З | 0,1565 |  | 8201 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2М110 | 2 Вт | ДО-204АС (ДО-15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3500 | 500 нА при 83,6 В | 110 В | 250 Ом | ||||||||||||||||||
|  | BA89502VH6327XTSA1 | - |  | 8613 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | * | Лента и катушка (TR) | Устаревший | BA89502VH | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | БЗТ52К18Л3П-ТП | 0,0360 |  | 7583 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Масса | Активный | ±6,39% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 0402 (1006 Метрическая единица) | БЗТ52С18 | 100 мВт | 2-DFN1006 | скачать | 353-БЗТ52С18Л3П-ТП | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 12,6 В | 18 В | 45 Ом | |||||||||||||||||||
|  | MA47416-132 | 4,6814 |  | 600 | 0,00000000 | Технологические решения МАКОМ | - | Поднос | Активный | 175°С (ТДж) | Править | MA47416 | Править | скачать | 1 (без блокировки) | 1465-МА47416-132 | EAR99 | 8541.10.0060 | 100 | 5 Вт | 0,15 пФ при 100 В, 1 МГц | PIN-код – одиночный | 200В | 6 Ом при 10 мА, 100 МГц | ||||||||||||||||||||
|  | SF43G | - |  | 5568 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | Стандартный | ДО-201АД | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1801-SF43GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 В | 1 В @ 4 А | 35 нс | 5 мкА при 150 В | -55°С ~ 150°С | 4А | 100пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||||||
|  | JANTXV1N4103DUR-1/TR | 36,8809 |  | 2773 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Поверхностный монтаж | ДО-213АА (Стекло) | 500 мВт | ДО-213АА | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-JANTXV1N4103DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 500 нА при 7 В | 9,1 В | 200 Ом | ||||||||||||||||||
|  | MMSZ5250B-AQ | 0,0407 |  | 3325 | 0,00000000 | Диотек Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | Поверхностный монтаж | 500 мВт | СОД-123Ф | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | 2796-MMSZ5250B-AQTR | 8541.10.0000 | 3000 | 20 В | 25 Ом | ||||||||||||||||||||||
|  | TS15P02GHD2G | - |  | 6995 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ТС-6П | ТС15П02 | Стандартный | ТС-6П | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 В @ 15 А | 10 мкА при 100 В | 15 А | Однофазный | 100 В | |||||||||||||||||
|  | 1PMT4099/TR13 | 1,1250 |  | 1054 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ПАВЕРМАЙТ® | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-216АА | 1PMT4099 | 1 Вт | ДО-216 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 000 | 1,1 В при 200 мА | 10 мкА при 5,17 В | 6,8 В | 200 Ом | |||||||||||||||||
|  | РДБФ1510У-13 | 0,5500 |  | 4041 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-SMD, плоские выводы | РДБФ1510 | Стандартный | ДБФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | 1,3 В @ 1,5 А | 5 мкА при 1000 В | 1,5 А | Однофазный | 1 кВ | |||||||||||||||||
| JANTXV1N4960 | 10,8750 |  | 8144 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/356 | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | Е, Осевой | 1N4960 | 5 Вт | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 В при 1 А | 10 мкА при 9,1 В | 12 В | 2,5 Ом | |||||||||||||||||||
|  | GC15006-152 | - |  | 4328 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С | - | - | - | - | REACH не касается | 150-GC15006-152 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 0,14 пФ при 20 В, 1 МГц | Одинокий | 22 В | 13 | С0/С20 | 1200 при 4 В, 50 МГц | |||||||||||||||||||
|  | ИДДД04G65C6XTMA1 | 2.5300 |  | 3 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | CoolSiC™+ | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | Модуль 10-PowerSOP | ИДДД04 | SiC (карбид кремния) Шоттки | PG-HDSOP-10-1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1700 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 14 мкА при 420 В | -55°С ~ 175°С | 13А | 205пФ @ 1В, 1МГц | ||||||||||||||||
|  | ЯН1Н5807УРС | 17.4750 |  | 4098 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/477 | Масса | Активный | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 1N5807 | Стандартный | Б, SQ-MELF | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 В | 875 мВ при 4 А | 30 нс | 5 мкА при 50 В | -65°С ~ 175°С | 3А | 60пФ @ 10В, 1МГц | |||||||||||||||
| ПБ3506-Е3/45 | 3.7100 |  | 8 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | isoCink+™ | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ПБ | ПБ3506 | Стандартный | isoCINK+™ ПБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,1 В @ 17,5 А | 10 мкА при 600 В | 35 А | Однофазный | 600 В | ||||||||||||||||||
|  | 1N5543B | 3.0750 |  | 2400 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N5543 | 500 мВт | ДО-35 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 22,4 В | 25 В | 110 Ом | 

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
 Список желаний (0 шт.)
Список желаний (0 шт.)