Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Ток - Макс. | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) | Эмкость @ Вр, Ф | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) | Сопротивление @ Если, F | Состояние коэффициента емкости | Q@Вр,Ф |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD4465 | 4.3624 | ![]() | 9921 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | - | Поверхностный монтаж | Править | Править | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-CD4465 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | UM7001E | - | ![]() | 1095 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | -65°С ~ 175°С | Осевой | Осевой | - | REACH не касается | 150-UM7001E | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1,5 Вт | 0,9 пФ при 100 В, 1 МГц | PIN-код – одиночный | 100В | 1 Ом при 100 мА, 100 МГц | ||||||||||||||||||||
![]() | UM7101F | 24.4650 | ![]() | 1186 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -65°С ~ 175°С | - | - | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-UM7101F | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 100000 Вт | 1,2 пФ при 100 В, 1 МГц | PIN-код – одиночный | 100В | 600 мОм при 100 мА, 100 МГц | |||||||||||||||||||
![]() | BZX884B47L-G3-08 | 0,3200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | BZX884L | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 0402 (1006 Метрическая единица) | BZX884 | 300 мВт | ДФН1006-2А | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 50 нА при 32,9 В | 47 В | 170 Ом | ||||||||||||||||
![]() | PZ1AL8V2B_R1_00001 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Панджит Интернешнл Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123Ф | ПЗ1АЛ8В2 | 1 Вт | СОД-123ФЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3757-PZ1AL8V2B_R1_00001CT | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 10 мкА при 3 В | 8,2 В | 2 Ом | ||||||||||||||||
![]() | HER107G | 0,0981 | ![]() | 4452 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Сквозное отверстие | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | HER107 | Стандартный | ДО-204АЛ (ДО-41) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 800 В | 1,7 В @ 1 А | 75 нс | 5 мкА при 800 В | -55°С ~ 150°С | 1А | 10пФ @ 4В, 1МГц | ||||||||||||||
![]() | SZBZX84C5V1LT1G | 0,1800 | ![]() | 9526 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SZBZX84CxxxLT1G | Лента и катушка (TR) | Активный | ±6% | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | SZBZX84 | 225 мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ при 10 мА | 2 мкА при 2 В | 5,1 В | 60 Ом | ||||||||||||||||
![]() | ДДБ6У104Н16РРБ37БОСА1 | - | ![]() | 9551 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | ДДБ6У104 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 0000.00.0000 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6204E | - | ![]() | 8413 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | - | Осевой | Осевой | - | REACH не касается | 150-UM6204E | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 2,5 Вт | 1,1 пФ при 100 В, 1 МГц | PIN-код – одиночный | 400В | 400 мОм при 100 мА, 100 МГц | ||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3790BHM3_А/Ч | 0,1815 | ![]() | 4105 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗЖ3790 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 10 мкА при 8,4 В | 11 В | 6 Ом | |||||||||||||||||
| JANTX1N4126D-1 | 20.1300 | ![]() | 3510 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/435 | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N4126 | 500 мВт | ДО-35 (ДО-204АХ) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 нА при 38,8 В | 51 В | 300 Ом | |||||||||||||||||
![]() | 1N4690 | 5.8350 | ![]() | 8896 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±5% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АА, ДО-7, Осевой | 1N4690 | 500 мВт | ДО-7 | скачать | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 10 мкА при 4 В | 5,6 В | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6702 | 23.6550 | ![]() | 8761 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | Сквозное отверстие | Осевой | Шоттки | Осевой | - | REACH не касается | 150-1Н6702 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40 В | 470 мВ при 5 А | 200 мкА при 40 В | -65°С ~ 125°С | 5А | - | |||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4988CUS/TR | 41.0400 | ![]() | 3806 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | МИЛ-ПРФ-19500/356 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -65°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | SQ-MELF, Б | 5 Вт | Э-МЕЛФ | - | 150-JANTXV1N4988CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 В при 1 А | 2 мкА при 136,8 В | 180 В | 450 Ом | |||||||||||||||||||
![]() | ПМЭГ045В150ЭПД139 | 0,3600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | NXP США Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | РН262СТЭ61 | - | ![]() | 4027 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 846-РН262СТЭ61ТР | УСТАРЕВШИЙ | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6029D | 6.9600 | ![]() | 2707 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | ±1% | -65°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 1N6029 | 500 мВт | ДО-35 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 В при 200 мА | 100 нА при 122 В | 160 В | 1400 Ом | ||||||||||||||||
![]() | БАТ6806WH6327XTSA1 | - | ![]() | 3201 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | СК-70, СОТ-323 | БАТ6806 | PG-SOT323 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | 130 мА | 150 мВт | 1пФ при 0 В, 1 МГц | Шоттки — 1 пара ламп анодов | 8В | 10 Ом @ 5 мА, 10 кГц | ||||||||||||||||||
![]() | ГБУ15Д | 0,6120 | ![]() | 9784 | 0,00000000 | GeneSiC Полупроводник | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ15 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | ГБУ15ДГН | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 В @ 15 А | 5 мкА при 200 В | 15 А | Однофазный | 200 В | ||||||||||||||||
![]() | DFB20100F162 | 1,5700 | ![]() | 358 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ТС-6П | Стандартный | ТС-6П | скачать | EAR99 | 8541.10.0080 | 207 | 1,1 В при 20 А | 10 мкА при 1 В | 20 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||||||||||||||||
![]() | 2КБП10МЛ-6767Е4/51 | - | ![]() | 9980 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Поднос | Устаревший | -55°С ~ 165°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБПМ | 2КБП10 | Стандартный | КБПМ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 В при 3,14 А | 5 мкА при 1000 В | 2 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||||||||||||
![]() | KBPC1008 | 0,4590 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Технология Янцзе | - | Масса | Активный | - | Соответствует RoHS | REACH не касается | 4617-KBPC1008 | EAR99 | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HVU358TRF-E | 0,1700 | ![]() | 105 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5376B | 0,7600 | ![]() | 5910 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | ±5% | -65°С ~ 150°С | Сквозное отверстие | Т-18, Осевой | 5 Вт | Т-18 | скачать | не соответствует RoHS | 2368-1Н5376Б | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 В при 1 А | 500 нА при 63 В | 87 В | 75 Ом | ||||||||||||||||||
![]() | ES2BALH | 0,1491 | ![]() | 5284 | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | DO-221AC, плоские выводы SMA | Стандартный | Тонкая СМА | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 1801-ES2BALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 950 мВ при 2 А | 35 нс | 1 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 2А | 28пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||||||
![]() | SD103CWSHE3-TP | 0,3800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | SD103 | Шоттки | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 353-SD103CWSHE3-TPTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3000 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | 600 мВ при 200 мА | 10 нс | 5 мкА при 10 В | -55°С ~ 125°С | 350 мА | 50пФ @ 0В, 1МГц | |||||||||||||
![]() | КВ2123-150С | - | ![]() | 8137 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 125°С | Поверхностный монтаж | Править | Чип | - | REACH не касается | 150-КВ2123-150CTR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,55 пФ при 20 В, 1 МГц | Одинокий | 22 В | - | 1000 при 4 В, 50 МГц | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5401 | 0,1400 | ![]() | 34 | 0,00000000 | НТЭ Электроникс, Инк. | - | Сумка | Активный | Сквозное отверстие | ДО-201АД, Осевой | Стандартный | ДО-201АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 2368-1Н5401 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 100 В | 1,2 В @ 3 А | 5 мкА при 100 В | -55°С ~ 150°С | 3А | 30пФ @ 4В, 1МГц | |||||||||||||||||
![]() | ПДЗ15Б/С911115 | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | NXP США Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | НЗС4В3Д,133 | 0,2000 | ![]() | 530 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | NZX | Разрезанная лента (CT) | Активный | ±2% | -55°С ~ 175°С | Сквозное отверстие | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | НЗХ4В3 | 500 мВт | АЛФ2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 В при 200 мА | 3 мкА при 1 В | 4,4 В | 100 Ом |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)