SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Ток - Макс. Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
CD4465 Microchip Technology CD4465 4.3624
запросить цену
ECAD 9921 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный - - Поверхностный монтаж Править Править - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-CD4465 EAR99 8541.10.0050 1
UM7001E Microchip Technology UM7001E -
запросить цену
ECAD 1095 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный -65°С ~ 175°С Осевой Осевой - REACH не касается 150-UM7001E EAR99 8541.10.0060 1 1,5 Вт 0,9 пФ при 100 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 100В 1 Ом при 100 мА, 100 МГц
UM7101F Microchip Technology UM7101F 24.4650
запросить цену
ECAD 1186 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный -65°С ~ 175°С - - - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-UM7101F EAR99 8541.10.0060 1 100000 Вт 1,2 пФ при 100 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 100В 600 мОм при 100 мА, 100 МГц
BZX884B47L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B47L-G3-08 0,3200
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов BZX884L Лента и катушка (TR) Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 0402 (1006 Метрическая единица) BZX884 300 мВт ДФН1006-2А скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 900 мВ при 10 мА 50 нА при 32,9 В 47 В 170 Ом
PZ1AL8V2B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AL8V2B_R1_00001 0,4800
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-123Ф ПЗ1АЛ8В2 1 Вт СОД-123ФЛ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-PZ1AL8V2B_R1_00001CT EAR99 8541.10.0050 3000 10 мкА при 3 В 8,2 В 2 Ом
HER107G Taiwan Semiconductor Corporation HER107G 0,0981
запросить цену
ECAD 4452 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и катушка (TR) Активный Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой HER107 Стандартный ДО-204АЛ (ДО-41) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 5000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 800 В 1,7 В @ 1 А 75 нс 5 мкА при 800 В -55°С ~ 150°С 10пФ @ 4В, 1МГц
SZBZX84C5V1LT1G onsemi SZBZX84C5V1LT1G 0,1800
запросить цену
ECAD 9526 0,00000000 онсеми Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SZBZX84CxxxLT1G Лента и катушка (TR) Активный ±6% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 SZBZX84 225 мВт СОТ-23-3 (ТО-236) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 900 мВ при 10 мА 2 мкА при 2 В 5,1 В 60 Ом
DDB6U104N16RRB37BOSA1 Infineon Technologies ДДБ6У104Н16РРБ37БОСА1 -
запросить цену
ECAD 9551 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Снято с производства в НИЦ ДДБ6У104 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 0000.00.0000 10
UM6204E Microchip Technology UM6204E -
запросить цену
ECAD 8413 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Активный - Осевой Осевой - REACH не касается 150-UM6204E EAR99 8541.10.0060 1 2,5 Вт 1,1 пФ при 100 В, 1 МГц PIN-код – одиночный 400В 400 мОм при 100 мА, 100 МГц
SMZJ3790BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3790BHM3_А/Ч 0,1815
запросить цену
ECAD 4105 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДО-214АА, СМБ СМЗЖ3790 1,5 Вт ДО-214АА (СМБ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 750 10 мкА при 8,4 В 11 В 6 Ом
JANTX1N4126D-1 Microchip Technology JANTX1N4126D-1 20.1300
запросить цену
ECAD 3510 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/435 Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N4126 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 нА при 38,8 В 51 В 300 Ом
1N4690 Microchip Technology 1N4690 5.8350
запросить цену
ECAD 8896 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±5% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АА, ДО-7, Осевой 1N4690 500 мВт ДО-7 скачать не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 10 мкА при 4 В 5,6 В
1N6702 Microchip Technology 1N6702 23.6550
запросить цену
ECAD 8761 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный Сквозное отверстие Осевой Шоттки Осевой - REACH не касается 150-1Н6702 EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 470 мВ при 5 А 200 мкА при 40 В -65°С ~ 125°С -
JANTXV1N4988CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4988CUS/TR 41.0400
запросить цену
ECAD 3806 0,00000000 Микрочиповая технология МИЛ-ПРФ-19500/356 Лента и катушка (TR) Активный ±2% -65°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SQ-MELF, Б 5 Вт Э-МЕЛФ - 150-JANTXV1N4988CUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1,5 В при 1 А 2 мкА при 136,8 В 180 В 450 Ом
PMEG045V150EPD139 NXP USA Inc. ПМЭГ045В150ЭПД139 0,3600
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0080 1
RN262STE61 Rohm Semiconductor РН262СТЭ61 -
запросить цену
ECAD 4027 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 846-РН262СТЭ61ТР УСТАРЕВШИЙ 3000
1N6029D Microchip Technology 1N6029D 6.9600
запросить цену
ECAD 2707 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный ±1% -65°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 1N6029 500 мВт ДО-35 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 1 1,1 В при 200 мА 100 нА при 122 В 160 В 1400 Ом
BAT6806WH6327XTSA1 Infineon Technologies БАТ6806WH6327XTSA1 -
запросить цену
ECAD 3201 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) СК-70, СОТ-323 БАТ6806 PG-SOT323 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 130 мА 150 мВт 1пФ при 0 В, 1 МГц Шоттки — 1 пара ламп анодов 10 Ом @ 5 мА, 10 кГц
GBU15D GeneSiC Semiconductor ГБУ15Д 0,6120
запросить цену
ECAD 9784 0,00000000 GeneSiC Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБУ ГБУ15 Стандартный ГБУ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ГБУ15ДГН EAR99 8541.10.0080 500 1,1 В @ 15 А 5 мкА при 200 В 15 А Однофазный 200 В
DFB20100F162 Fairchild Semiconductor DFB20100F162 1,5700
запросить цену
ECAD 358 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ТС-6П Стандартный ТС-6П скачать EAR99 8541.10.0080 207 1,1 В при 20 А 10 мкА при 1 В 20 А Однофазный 1 кВ
2KBP10ML-6767E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2КБП10МЛ-6767Е4/51 -
запросить цену
ECAD 9980 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Поднос Устаревший -55°С ~ 165°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБПМ 2КБП10 Стандартный КБПМ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 600 1,1 В при 3,14 А 5 мкА при 1000 В 2 А Однофазный 1 кВ
KBPC1008 Yangjie Technology KBPC1008 0,4590
запросить цену
ECAD 20 0,00000000 Технология Янцзе - Масса Активный - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-KBPC1008 EAR99 200
HVU358TRF-E Renesas Electronics America Inc HVU358TRF-E 0,1700
запросить цену
ECAD 105 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0070 3000
1N5376B NTE Electronics, Inc 1N5376B 0,7600
запросить цену
ECAD 5910 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный ±5% -65°С ~ 150°С Сквозное отверстие Т-18, Осевой 5 Вт Т-18 скачать не соответствует RoHS 2368-1Н5376Б EAR99 8541.10.0050 1 1,2 В при 1 А 500 нА при 63 В 87 В 75 Ом
ES2BALH Taiwan Semiconductor Corporation ES2BALH 0,1491
запросить цену
ECAD 5284 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж DO-221AC, плоские выводы SMA Стандартный Тонкая СМА скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 1801-ES2BALHTR EAR99 8541.10.0080 14 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 100 В 950 мВ при 2 А 35 нс 1 мкА при 100 В -55°С ~ 150°С 28пФ @ 4В, 1МГц
SD103CWSHE3-TP Micro Commercial Co SD103CWSHE3-TP 0,3800
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Микро Коммерческая Компания Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 SD103 Шоттки СОД-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 353-SD103CWSHE3-TPTR EAR99 8541.10.0070 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 600 мВ при 200 мА 10 нс 5 мкА при 10 В -55°С ~ 125°С 350 мА 50пФ @ 0В, 1МГц
KV2123-150C Microchip Technology КВ2123-150С -
запросить цену
ECAD 8137 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж Править Чип - REACH не касается 150-КВ2123-150CTR EAR99 8541.10.0040 1 0,55 пФ при 20 В, 1 МГц Одинокий 22 В - 1000 при 4 В, 50 МГц
1N5401 NTE Electronics, Inc 1N5401 0,1400
запросить цену
ECAD 34 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный Сквозное отверстие ДО-201АД, Осевой Стандартный ДО-201АД скачать Соответствует ROHS3 2368-1Н5401 EAR99 8541.10.0080 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 100 В 1,2 В @ 3 А 5 мкА при 100 В -55°С ~ 150°С 30пФ @ 4В, 1МГц
PDZ15B/S911115 NXP USA Inc. ПДЗ15Б/С911115 0,0200
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0050 15 000
NZX4V3D,133 Nexperia USA Inc. НЗС4В3Д,133 0,2000
запросить цену
ECAD 530 0,00000000 Нексперия США Инк. NZX Разрезанная лента (CT) Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой НЗХ4В3 500 мВт АЛФ2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000 1,5 В при 200 мА 3 мкА при 1 В 4,4 В 100 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе