SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC847BS/ZLX Nexperia USA Inc. BC847BS/ZLX -
RFQ
 ECAD 3974 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC847 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
2SD882-R-BP Micro Commercial Co 2SD882-R-BP -
RFQ
 ECAD 7303 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SD882 1,25 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 30 3 а 1 мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 60 @ 1a, 2v 50 мг
BC807,215 NXP Semiconductors BC807,215 0,0200
RFQ
 ECAD 497 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC807,215-954 1 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 80 мг
2N6191 Microchip Technology 2N6191 11.9833
RFQ
 ECAD 8117 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N6191 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
FJV42MTF onsemi FJV42MTF 0,3700
RFQ
 ECAD 471 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV42 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 350 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
2SA1122CCTL-E Renesas Electronics America Inc 2SA1122CCTL-E 0,1000
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
MSC3930-BT1 onsemi MSC3930-BT1 -
RFQ
 ECAD 5648 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MSC39 200 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 20 30 май Npn 70 @ 1ma, 10 В 150 мг -
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn4902fe (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 4313 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN4902 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Комов 10 Комов
2N6520-AP Micro Commercial Co 2n6520-ap -
RFQ
 ECAD 1141 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА 2N6520 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1000 350 500 май 50na (ICBO) Pnp 1V @ 5ma, 50 мая 30 @ 30 май, 10 В 40 мг
NTE15 NTE Electronics, Inc NTE15 1.4600
RFQ
 ECAD 90 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 125 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 300 м 3-sip СКАХАТА Rohs 2368-NTE15 Ear99 8541.21.0095 1 - 19 50 май Npn 39 @ 5ma, 10 В 1,1 -е -
IMX2T108 Rohm Semiconductor IMX2T108 0,0916
RFQ
 ECAD 9058 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 Imx2 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 400 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 180 мг
2SD2420AP Panasonic Electronic Components 2SD2420AP -
RFQ
 ECAD 7063 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD242 2 Вт ° 220D-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 80 4 а 500 мк Npn - дарлино 4 В @ 20 май, 5А 4000 @ 3a, 3v 20 мг
2SD1694(4)-S2-AZ Renesas 2SD1694 (4) -S2 -AZ -
RFQ
 ECAD 4175 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо - 2156-2SD1694 (4) -S2-AZ 1
JANSD2N3810L Microchip Technology Jansd2n3810l 198.9608
RFQ
 ECAD 1120 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/336 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N3810 350 м 128-6 - DOSTISH 150-JANSD2N3810L 1 60 50 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 250 м. Прри 100 мк, 1 мая 150 @ 1MA, 5V -
BCX54-16 Yangjie Technology BCX54-16 0,0690
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 500 м SOT-89 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BCX54-16TR Ear99 1000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 130 мг
DTC114ECA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd DTC114ECA 0,1500
RFQ
 ECAD 3080 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
JAN2N2605UB Microchip Technology Jan2n2605ub -
RFQ
 ECAD 4012 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/354 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2605 400 м Ub - Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 30 май 10NA Pnp 300 мВ 500 мк, 10 150 @ 500 мк, 5в -
BFR360FH6765XTSA1 Infineon Technologies BFR360FH6765XTSA1 0,5000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 BFR360 210 м PG-TSFP-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 15,5db 9в 35 май Npn 90 @ 15ma, 3v 14 гер 1db @ 1,8gц
BC846BW/DG/B3X Nexperia USA Inc. BC846BW/DG/B3X -
RFQ
 ECAD 5848 0,00000000 Nexperia USA Inc. BC846XW Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC846 250 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934068357115 Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
KSA1220YSTU onsemi KSA1220YSTU -
RFQ
 ECAD 7397 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSA1220 1,2 Вт 126 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 60 120 1,2 а 1 мка (ICBO) Pnp 700 м. 160 @ 300 май, 5в 175 мг
JAN2N6690 Microchip Technology Jan2n6690 -
RFQ
 ECAD 1119 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/537 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Стало TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 3 Вт 121 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 100 мк 100 мк Npn 5V @ 5a, 15a 15 @ 1a, 3v -
BDX54A-S Bourns Inc. BDX54A-S -
RFQ
 ECAD 8771 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDX54 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 60 8 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2V @ 12ma, 3a 750 @ 3A, 3V -
2SC2812-7-TB-E Sanyo 2SC2812-7-TB-E 0,2500
RFQ
 ECAD 402 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1210
BCX79_J35Z onsemi BCX79_J35Z -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА BCX79 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 45 500 май 10NA Pnp 600 мв 2,5 май, 100 мав 80 @ 10ma, 1v -
CZT5551 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZT5551 TR PBFREE 1.2600
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA CZT5551 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 160 600 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
PBSS303ND,115 Nexperia USA Inc. PBSS303ND, 115 0,4400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 PBSS303 1,1 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 60 1 а 100NA Npn 515MV @ 600MA, 6A 345 @ 500ma, 2v 140 мг
MRF4427GR2 Microsemi Corporation MRF4427GR2 -
RFQ
 ECAD 9935 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 1,5 8 ТАКОГО - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 2500 20 дБ 20 400 май Npn 10 @ 10ma, 5 В - -
TIPL791A-S Bourns Inc. Tipl791a-s -
RFQ
 ECAD 2577 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIPL791 75 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 12 000 450 4 а 5 Мка Npn - дарлино 2,5 - @ 1a, 4a 60 @ 500 май, 5в -
62089 Microsemi Corporation 62089 -
RFQ
 ECAD 9600 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 1
DTA114TET1 onsemi DTA114tet1 -
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-75, SOT-416 DTA114 200 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 1MA, 10MA 160 @ 5ma, 10 В 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть