SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
DMC504010R Panasonic Electronic Components DMC504010R -
RFQ
 ECAD 3552 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид DMC50401 150 м Smini6-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100 мк 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 210 @ 2ma, 10 В 150 мг
2SA1020RLRA onsemi 2SA1020RLRA 0,0800
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 2SA1020 900 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
JAN2N3506A Microchip Technology Jan2n3506a 12.1695
RFQ
 ECAD 2614 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/349 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3506 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 3 а - Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 40 @ 1,5A, 2V -
FJPF5200OTU onsemi FJPF5200OTU -
RFQ
 ECAD 5644 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FJPF52 50 st TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 250 17 а 5 Мка (ICBO) Npn 3v @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5v 30 мг
DDC143XU-7 Diodes Incorporated DDC143XU-7 0,0650
RFQ
 ECAD 7209 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DDC143 200 м SOT-363 СКАХАТА 31-DDC143XU-7 Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4,7 КОМ 10 Комов
BC847,235 NXP Semiconductors BC847,235 0,0200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC847,235-954 Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
2N4449UB Microchip Technology 2N4449UB 24.3523
RFQ
 ECAD 1842 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/117 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер - 2N4449 360 м Ub СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 20 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 20 @ 100ma, 1в -
NSS12201LT1G onsemi NSS12201LT1G 0,4500
RFQ
 ECAD 422 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NSS12201 460 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 2 а 100NA (ICBO) Npn 90 мВ @ 200 май, 2а 200 @ 500 май, 2 В 150 мг
ZDT6702TA Diodes Incorporated ZDT6702TA -
RFQ
 ECAD 6536 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-223-8 ZDT6702 2,75 Вт SM8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 1,75а 500NA Npn, pnp darlington (Dvoйnoй) 1,28 В @ 2MA, 1,75A 5000 @ 500ma, 5 v / 2000 @ 500ma, 5V 140 мг
KTC4373-O-TP Micro Commercial Co KTC4373-O-TP -
RFQ
 ECAD 7855 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а KTC4373 500 м SOT-89 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
UNR32A600L Panasonic Electronic Components UNR32A600L -
RFQ
 ECAD 6484 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 UNR32 100 м Sssmini3-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 150 мг 4.7 Kohms
2SC2383P-O-TP Micro Commercial Co 2SC2383P-O-TP 0,1579
RFQ
 ECAD 5654 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SC2383 500 м SOT-89 СКАХАТА 353-2SC2383P-O-TP Ear99 8541.21.0095 1 160 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 200 май, 5 20 мг
COM-13951 SparkFun Electronics COM-13951 1.1900
RFQ
 ECAD 9123 0,00000000 Sparkfun Electronics - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 Com-13 40 225-3 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) 1568-COM-13951 Ear99 8541.29.0095 1 60 4 а 1MA 1,4 - @ 1a, 4a 25 @ 1,5A, 2V 2 мг
SD1446 STMicroelectronics SD1446 -
RFQ
 ECAD 4207 0,00000000 Stmicroelectronics - Коробка Управо 200 ° C (TJ) Пефер M113 SD1446 183w M113 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 10 дБ 18В 12A Npn 10 @ 5a, 5v - -
BC846B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846B RFG 0,2200
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BD682T onsemi BD682T -
RFQ
 ECAD 5310 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD682 40 126 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 4 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2,5 -прри 30 май, 1,5а 750 @ 1,5A, 3V -
TE01829-001 onsemi TE01829-001 1.0000
RFQ
 ECAD 7631 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 1
2SA733(0)-T-A Renesas Electronics America Inc 2SA733 (0) -TA 1.2900
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1
MMDT2227Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMDT2227Q-7-F-52 0,0593
RFQ
 ECAD 8721 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MMDT2227 200 м SOT-363 СКАХАТА 31-MMDT2227Q-7-F-52 Ear99 8541.21.0075 3000 40 В, 60 В. 600 май 10NA, 50NA NPN, PNP DOPOLNAYT 1 В @ 50 май, 500 май / 1,6- прри 50 мам, 500 матов 100 @ 150 май, 10 В 300 мг, 200 мгр
MRF586 Microsemi Corporation MRF586 -
RFQ
 ECAD 8941 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 13,5db 17 200 май Npn 40 @ 50ma, 5 3 гер -
ICA30V02X1SA1 Infineon Technologies ICA30V02X1SA1 -
RFQ
 ECAD 7278 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000920766 Управо 0000.00.0000 1
MMBT2222A-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT2222A-7-F-52 0,0217
RFQ
 ECAD 5342 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 СКАХАТА 31-MMBT222222A-7-F-52 Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 10NA Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
PBSS4260QAZ NXP Semiconductors PBSS4260QAZ 0,0800
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 3904
NSBC115TF3T5G onsemi NSBC115TF3T5G 0,0598
RFQ
 ECAD 5829 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-1123 NSBC115 254 м SOT-1123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 5MA, 10 мА 160 @ 5ma, 10 В 100 км
BC848AMTF Fairchild Semiconductor BC848AMTF 0,0500
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
MJD47G onsemi MJD47G 0,8800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD47 156 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 250 1 а 200 мк Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
TIP117G onsemi TIP117G 0,8300
RFQ
 ECAD 7176 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP117 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH TIP117GOS Ear99 8541.29.0095 50 100 2 а 2MA PNP - ДАРЛИНГТОН 2,5 - @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4v -
PBRN123YS,126 NXP USA Inc. PBRN123YS, 126 -
RFQ
 ECAD 4755 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА PBRN123 700 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 40 800 млн 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 1,15 В @ 8MA, 800 мая 500 @ 300 май, 5 В 2.2 Ком 10 Kohms
BC847C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847C RFG 0,0337
RFQ
 ECAD 8417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
DTA143ZUAHE3-TP Micro Commercial Co DTA143ZUAHE3-TP 0,2600
RFQ
 ECAD 4574 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA143 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 6000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelnos -cmelый + diod 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть