SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC3851 Diotec Semiconductor 2SC3851 0,7420
RFQ
 ECAD 5213 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 25 Вт Ito-220f СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 8541.10.0000 50 60 4 а 100 мк (ICBO) Npn 500 мВ 200 май, 2а 40 @ 1a, 4v 15 мг
NMB2227AF Nexperia USA Inc. NMB2227AF 0,3600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 NMB2227 300 м 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 600 май 10NA (ICBO) NPN, Pnp 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
SPS9607RLRM onsemi SPS9607RLRM 0,0200
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
FJD3076TF onsemi FJD3076TF -
RFQ
 ECAD 3867 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FJD3076 1 Вт D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 32 2 а 1 мка (ICBO) Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 130 @ 500ma, 3v 100 мг
PBSS4021NT,215 Nexperia USA Inc. PBSS4021NT, 215 0,4700
RFQ
 ECAD 2837 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4021 1,1 TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 20 4.3 а 100NA Npn 200 мВ @ 400 май, 4а 300 @ 2a, 2v 165 мг
ST83003 STMicroelectronics ST83003 -
RFQ
 ECAD 6622 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо - Чereз dыru 225AA, 126-3 ST83 40 SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 400 1,5 а 1MA Npn 500 мВ @ 100ma, 500 мая 16 @ 350 май, 5в -
2SD560(2)-AZ Renesas Electronics America Inc 2SD560 (2) -az 1.1800
RFQ
 ECAD 4933 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 2156-2SD560 (2) -az Ear99 8541.29.0095 1
KSC1008CYTA onsemi KSC1008CYTA 0,4400
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА KSC1008 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 700 млн 100NA (ICBO) Npn 400 мВ 50 мам, 500 мат 120 @ 50ma, 2v 50 мг
KSH41CTF onsemi KSH41CTF -
RFQ
 ECAD 3629 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 KSH41 1,75 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 100 6 а 50 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
2N6186 Microchip Technology 2N6186 287.8650
RFQ
 ECAD 3082 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Стало До-210AA, TO-59-4, STAD 60 О 59 - DOSTISH 150-2N6186 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а - Pnp - - -
ULS2001H-883 Allegro MicroSystems ULS2001H-883 41.9300
RFQ
 ECAD 8863 0,00000000 Allegro Microsystems - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) - - ULS2001 1 Вт - СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 0000.00.0000 5 50 500 май 100 мк 7 NPN Darlington 1,8 В @ 850 мка, 350 мая 1000 @ 350 май, 2 В -
TIP131 Central Semiconductor Corp TIP131 -
RFQ
 ECAD 4670 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru 220-3 70 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP131CS Ear99 8541.29.0095 400 80 8 а - Npn - дарлино - - -
DTA143ESATP Rohm Semiconductor DTA143ESATP -
RFQ
 ECAD 3238 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL DTA143 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BUJ303CD,118 WeEn Semiconductors BUJ303CD, 118 0,2830
RFQ
 ECAD 2255 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 BUJ303 80 Вт Dpak СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 400 5 а 100 мк Npn 1,5 - @ 1a, 3a 28 @ 10ma, 3v -
FZT955TA Diodes Incorporated FZT955TA 0,9900
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT955 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 140 4 а 50na (ICBO) Pnp 370MV @ 300MA, 3A 100 @ 1a, 5в 110 мг
JANSM2N3634UB Microchip Technology Jansm2n3634UB -
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт Ub - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 140 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
BD751C Harris Corporation BD751C 2.2700
RFQ
 ECAD 274 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru № 204 года 250 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 130 20 а 500 мк Npn 1V @ 500 май, 5а 25 @ 5a, 2v
MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated MMBT3906LP-7B 0,3700
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-ufdfn MMBT3906 250 м X1-DFN1006-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 200 май 50na (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 300 мг
PDTA114YQAZ Nexperia USA Inc. PDTA114yqaz 0,0501
RFQ
 ECAD 3778 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o PDTA114 280 м DFN1010D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934069148147 Ear99 8541.21.0075 5000 50 100 май 1 мка Pnp - prervariotelno-cmepts 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 5ma, 5 180 мг 10 Kohms 47 Kohms
TIP117 Harris Corporation TIP117 -
RFQ
 ECAD 9187 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 50 100 2 а 2MA PNP - ДАРЛИНГТОН 2,5 - @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4v -
KSA473YTU onsemi KSA473YTU 0,8800
RFQ
 ECAD 692 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSA473 10 wt 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2832-KSA473YTU Ear99 8541.29.0075 50 30 3 а 1 мка (ICBO) Pnp 800 мВ @ 200 май, 2а 120 @ 500 май, 2 В 100 мг
2SB1386-P-TP Micro Commercial Co 2SB1386-P-TP -
RFQ
 ECAD 6539 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SB1386 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 20 5 а 500NA (ICBO) Pnp 1V @ 100ma, 4a 82 @ 500 май, 2 В 120 мг
NTE160 NTE Electronics, Inc NTE160 5.1800
RFQ
 ECAD 777 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 90 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN BAN 60 м 122 СКАХАТА Rohs 2368-NTE160 Ear99 8541.21.0095 1 14 дБ 20 10 май Pnp 50 @ 2ma, 10 В 700 мг 5db @ 800 -hgц
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6KEHF (м -
RFQ
 ECAD 1707 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
SD1536-08 Microsemi Corporation SD1536-08 -
RFQ
 ECAD 7496 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI M105 SD1536 292 Вт M105 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 8,4 дБ 65 10 часов Npn 5 @ 100ma, 5 1 025 гг ~ 1,15 гг. -
ST1510FX STMicroelectronics ST1510FX 3.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isowatt218fx ST1510 62 Вт Иоватт-218fx СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 750 12 а 200 мк Npn 2V @ 1,5A, 6A 6,5 @ 6a, 5v -
FTM3725 onsemi FTM3725 -
RFQ
 ECAD 8772 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FTM37 1 Вт 16 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 40 1.2a 100NA (ICBO) 4 npn (квадрат) 950 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 250 мг
2N4923 STMicroelectronics 2N4923 -
RFQ
 ECAD 2044 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2n49 30 st - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-3109-5 Ear99 8541.29.0095 2000 80 1 а 500 мк Npn 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 500 май, 1в 3 мг
DMMT5401-TP Micro Commercial Co DMMT5401-TP -
RFQ
 ECAD 1913 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DMMT5401 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 150 200 май 50na (ICBO) 2 pnp (дВОНСКА) 500 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
KSE171STU onsemi KSE171STU -
RFQ
 ECAD 7150 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSE17 1,5 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1920 60 3 а 100NA (ICBO) Pnp 1,7 - @ 600 мА, 3а 50 @ 100ma, 1в 50 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть