SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SB733-T-AZ Renesas Electronics America Inc 2SB733-T-AZ 0,2800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
UMT1NFHATN Rohm Semiconductor Umt1nfhatn 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Umt1 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 500 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 140 мг
BD14010S Fairchild Semiconductor BD14010S 1.0000
RFQ
 ECAD 6439 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 1,25 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 250 80 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150 май, 2 В -
CXT5401E BK Central Semiconductor Corp CXT5401E BK -
RFQ
 ECAD 9679 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1,2 Вт SOT-89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 220 600 май 50NA Pnp 150 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 5 В 300 мг
SBC847BWT1G-M02 onsemi SBC847BWT1G-M02 0,0600
RFQ
 ECAD 243 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 310 м SC-70-3 (SOT323) - Rohs Продан 2156-SBC847BWT1G-M02 Ear99 8541.21.0095 1 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
BC848B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848B RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 4883 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
DTA144EET1G onsemi DTA144EET1G 0,1600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-75, SOT-416 DTA144 200 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 47 Kohms 47 Kohms
PBHV8115TLHR NXP Semiconductors PBHV8115TLHR -
RFQ
 ECAD 4414 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT23-3 (TO-236) - 2156-PBHV8115TLHR 1 150 1 а 100NA Npn 60 мВ @ 10ma, 100 мая 70 @ 50ma, 10 В 30 мг
2N2222A Good-Ark Semiconductor 2N2222A 1.9700
RFQ
 ECAD 696 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4786-2N2222A Ear99 8541.21.0095 500 40 800 млн 10NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
NJVMD45H11T4G onsemi NJVMD45H11T4G -
RFQ
 ECAD 9873 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен NJVMD45H11 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NJVMD45H11T4GTR 1
DTA123JEBHZGTL Rohm Semiconductor DTA123JEBHZGTL 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-89, SOT-490 DTA123 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
BSP62E6327HTSA1 Infineon Technologies BSP62E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7905 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BSP62 1,5 PG-SOT223-4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 10 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 1,8 - @ 1ma, 1a 2000 @ 500 мА, 10 В 200 мг
JANTX2N7369 Microchip Technology Jantx2n7369 -
RFQ
 ECAD 3655 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/621 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 254-3, до 254AA (пр. 115 Вт 254 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 5 май 5 май Pnp 1V @ 500 май, 5а - -
2PC1815GR,412 NXP USA Inc. 2pc1815gr, 412 -
RFQ
 ECAD 5581 0,00000000 NXP USA Inc. - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА 2pc18 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
KSC945YTA onsemi KSC945YTA 0,4000
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА KSC945 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 1MA, 6V 300 мг
BC549B_J35Z onsemi BC549B_J35Z -
RFQ
 ECAD 8252 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА BC549 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
2SD1816S-TL-H onsemi 2SD1816S-TL-H 0,8400
RFQ
 ECAD 691 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SD1816 1 Вт TP-FA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 700 100 4 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ 200 май, 2а 140 @ 500 май, 5в 180 мг
BDW93CPWD onsemi Bdw93cpwd -
RFQ
 ECAD 5210 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо BDW93 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1
MJD45H11T4 STMicroelectronics MJD45H11T4 0,9900
RFQ
 ECAD 5260 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD45 20 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 80 8 а 10 мк Pnp 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v -
2SB1260-Q-TP Micro Commercial Co 2SB1260-Q-TP -
RFQ
 ECAD 1621 0,00000000 МИКРОМЕР СО * Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 243а 2SB1260 SOT-89 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-2SB1260-Q-TPTR 1000
MPSH81_D27Z onsemi MPSH81_D27Z -
RFQ
 ECAD 7133 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА MPSH81 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 - 20 50 май Pnp 60 @ 5ma, 10 В 600 мг -
DMA264020R Panasonic Electronic Components DMA264020R -
RFQ
 ECAD 8956 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-23-6 DMA26402 300 м Mini6-g4-b СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В - 22khh 22khh
FJN3310RBU onsemi FJN3310RBU -
RFQ
 ECAD 8038 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN331 300 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 40 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
BC184LC_L34Z onsemi BC184LC_L34Z -
RFQ
 ECAD 2840 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC184 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 200 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 130 @ 100ma, 5 В 150 мг
BC857BW-7-F Diodes Incorporated BC857BW-7-F 0,2000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC857 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 200 мг
2N6038G onsemi 2N6038G -
RFQ
 ECAD 2428 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2N6038 40 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 60 4 а 100 мк Npn - дарлино 3v @ 40ma, 4a 750 @ 2a, 3v -
JANTXV2N1714S Microchip Technology Jantxv2n1714s -
RFQ
 ECAD 4232 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1 60 750 май - Npn - - -
STF715 STMicroelectronics STF715 -
RFQ
 ECAD 2581 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 243а STF715 1,4 м SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1,5 а 1MA Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 1a, 2v 50 мг
2SC4211-6-TL-E Sanyo 2SC4211-6-TL-E 0,0600
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 САНО - МАССА Актифен - Пефер SC-70, SOT-323 2SC4211 MCP - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000 - - - - -
MJE5731 onsemi MJE5731 -
RFQ
 ECAD 7089 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 MJE57 40 ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 1 а 1MA Pnp 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть