SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2PA1576R,115 Nexperia USA Inc. 2PA1576R, 115 0,2100
RFQ
 ECAD 8343 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2PA1576 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 180 @ 1MA, 6V 100 мг
BCX52H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX52H6327XTSA1 0,1920
RFQ
 ECAD 7645 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX52 2 Вт PG-SOT89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 125 мг
66116 Microsemi Corporation 66116 -
RFQ
 ECAD 1266 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 1
2STBN15D100 STMicroelectronics 2stbn15d100 1.4300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2stbn15 70 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 100 12 а 100 мк Npn - дарлино 1,3 - @ 4ma, 4a 750 @ 3A, 3V -
KSC1674CYBU onsemi KSC1674CYBU -
RFQ
 ECAD 8309 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1674 250 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 - 20 20 май Npn 120 @ 1MA, 6V 600 мг 3 дБ ~ 5 дБ прри
2PB710AR,115 NXP USA Inc. 2PB710AR, 115 -
RFQ
 ECAD 6269 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB71 250 м SMT3; Мпп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 12 000 50 500 май 10NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 30 май, 300 мая 120 @ 150 май, 10 В 120 мг
KSP56TF onsemi KSP56TF -
RFQ
 ECAD 6745 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSP56 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 100ma, 1в 50 мг
SBC846BLT3G onsemi SBC846BLT3G 0,3100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC846 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
DXTN5820DFDB-7 Diodes Incorporated DXTN5820DFDB-7 0,5300
RFQ
 ECAD 4815 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 690 м U-dfn2020-3 (typ b) СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 6 а 100NA Npn 275MV @ 300MA, 6A 280 @ 500ma, 2v 80 мг
KTD1898-Y-TP Micro Commercial Co KTD1898-Y-TP -
RFQ
 ECAD 1454 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а KTD1898 500 м SOT-89 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 80 1 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ @ 20 май, 500 мат 120 @ 500ma, 3V 100 мг
BC557_J35Z onsemi BC557_J35Z -
RFQ
 ECAD 5578 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC557 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 150 мг
AT-41586-BLKG Broadcom Limited AT-41586-BLKG -
RFQ
 ECAD 3552 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-86 500 м 86 Пластик СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 100 8 дБ ~ 17 дБ 12 60 май Npn 30 @ 10ma, 8 В 8 Гер 1,4 деб ~ 3 дБ прри 1 -ggц ~ 4 -й гер
FJP3305H1TU Fairchild Semiconductor FJP3305H1TU 0,3700
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 75 Вт 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 817 400 4 а 1 мка (ICBO) Npn 1v @ 1a, 4a 8 @ 2a, 5v 4 мг
BC558CZL1 onsemi BC558CZL1 -
RFQ
 ECAD 3341 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC558 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 30 100 май 100NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 360 мг
DDC144TU-7 Diodes Incorporated DDC144TU-7 0,0756
RFQ
 ECAD 8109 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DDC144 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 850NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ @ 5ma, 50 мая 150 @ 25ma, 5 В 250 мг 47komm -
MC1331-2 Microsemi Corporation MC1331-2 -
RFQ
 ECAD 8764 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
2SC5508-T2-A Renesas Electronics America Inc 2SC5508-T2-A -
RFQ
 ECAD 3473 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-343F 115 м SOT-343F - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 17 ДБ 3,3 В. 35 май Npn 50 @ 5MA, 2V 25 гг 1,1db @ 2 ggц
FJP5021O onsemi FJP5021O -
RFQ
 ECAD 1269 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FJP5021 50 st 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 500 5 а 10 мк (ICBO) Npn 1В @ 600 май, 3а 20 @ 600 май, 5в 18 мг
DDTA143TCA-7 Diodes Incorporated DDTA143TCA-7 0,1000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж * Веса Актифен DDTA143 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1034-DDTA143TCA-7DKR Ear99 8541.21.0075 3000
2SC3916-AC onsemi 2SC3916-AC 0,0800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
DTC114EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC114EMFHAT2L 0,0668
RFQ
 ECAD 2100 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-723 DTC114 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
BUJ105A,127 NXP USA Inc. Buj105a, 127 0,3000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен Buj1 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
FJN4310RTA Fairchild Semiconductor Fjn4310rta 0,0200
RFQ
 ECAD 6268 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN431 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 800 40 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 10 Kohms
NST847BF3T5G onsemi NST847BF3T5G 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-1123 NST847 290 м SOT-1123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
MGY40N60 onsemi MGY40N60 4.5800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
PMP4501G135 Nexperia USA Inc. PMP4501G135 1.0000
RFQ
 ECAD 2221 0,00000000 Nexperia USA Inc. - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP4501 300 м 5-tssop - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1 45 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (двоуфян) 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 250 мг
RN1911FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE, LF (Ct 0,2400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN1911 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
PN2222AG onsemi PN2222AG -
RFQ
 ECAD 3234 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА PN2222 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 40 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
MCH6001-TL-E onsemi MCH6001-TL-E 0,6300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид MCH6001 600 м 6-MCPH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 8в 150 май 1 мка (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) - 60 @ 50ma, 5 В 16 Гер
BCX52E6237 Infineon Technologies BCX52E6237 -
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть