SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 (TE85L, F) 0,4500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Веса Актифен Пефер SC-74A, SOT-753 RN1503 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг 22khh 22khh
2N3906BU Fairchild Semiconductor 2N3906BU 0,0400
RFQ
 ECAD 677 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 40 200 май - Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
AD2F3P-T Renesas Electronics America Inc AD2F3P-T 0,5000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 0000.00.0000 1
LB1721M-MPB-E onsemi LB1721M-MPB-E -
RFQ
 ECAD 8839 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен LB1721 - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1
PMBTA06,215 NXP USA Inc. PMBTA06,215 0,0200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PMBTA СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
BC856ALT3 onsemi BC856ALT3 -
RFQ
 ECAD 4869 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
SMUN5112T1G onsemi SMUN5112T1G 0,3400
RFQ
 ECAD 3330 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 SMUN5112 202 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В 22 Kohms 22 Kohms
BCP53-16T1G onsemi BCP53-16T1G 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BCP53 1,5 SOT-223 (DO 261) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 50 мг
CP250-CZTUX87-WN Central Semiconductor Corp CP250-CZTUX87-WN -
RFQ
 ECAD 2278 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 2 Вт Умират СКАХАТА Продан Ear99 8541.29.0040 1000 450 500 май 100 мк Npn 1 В @ 20 май, 200 мая 12 @ 40 май, 5 20 мг
LM395T Texas Instruments LM395T 5.2500
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Тел - Трубка В аспекте 0 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 220-3 LM395 220-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 45 36 2,2 а - Npn - - -
MPSA56_D74Z onsemi MPSA56_D74Z -
RFQ
 ECAD 9081 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MPSA56 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 80 500 май 100NA Pnp 200 мВ @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1в 50 мг
SMMJT350T1G onsemi SMMJT350T1G 0,6500
RFQ
 ECAD 998 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA SMMJT350 650 м SOT-223 (DO 261) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000 300 500 май 100NA (ICBO) Pnp - 30 @ 50 мА, 10 В -
ASS8550-L-HF Comchip Technology ASS8550-L-HF 0,0689
RFQ
 ECAD 7282 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ASS8550 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-Ass8550-HFTR Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 1,5 а 100NA Pnp 500 мВ @ 80 май, 800 мая 120 @ 100ma, 1v 100 мг
JAN2N3636L Microchip Technology Jan2n3636l 10.5868
RFQ
 ECAD 2429 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3636 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
2N2060A Central Semiconductor Corp 2n2060a -
RFQ
 ECAD 1898 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N2060 600 м 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 500 май - 2 npn (дВОХАНЕй) - 50 @ 10ma, 5 В 60 мг
PBSS5320X,135 Nexperia USA Inc. PBSS5320x, 135 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS5320 1,6 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 20 3 а 100NA Pnp 300MV @ 300MA, 3A 150 @ 2a, 2v 100 мг
JANTXV2N2904AL Microchip Technology Jantxv2n2904al 13.5261
RFQ
 ECAD 5633 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/290 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N2904 800 м По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 1 мка Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
JANTXV2N4399 Microchip Technology Jantxv2n4399 -
RFQ
 ECAD 4228 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/433 МАССА Пркрэно -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 5 Вт TO-3 (DO 204AA) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 30 а 100 мк Pnp 750 мВ @ 1a, 10a 15 @ 15a, 2v -
2N6547 Microchip Technology 2N6547 49 7154
RFQ
 ECAD 5944 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N6547 175 Вт До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs DOSTISH 2n6547ms Ear99 8541.29.0095 1 400 15 а 1MA Npn 5V @ 3a, 15a 15 @ 1a, 2v -
BC557,112 NXP USA Inc. BC557,112 -
RFQ
 ECAD 4278 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC55 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
PDTD143ET215 NXP USA Inc. PDTD143ET215 -
RFQ
 ECAD 8280 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен - Ear99 8541.21.0075 1
PDTA124EQA Nexperia USA Inc. PDTA124EQA -
RFQ
 ECAD 4041 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен PDTA124 СКАХАТА 0000.00.0000 1
BC847CW/DG/B2115 NXP USA Inc. BC847CW/DG/B2115 0,0200
RFQ
 ECAD 121 0,00000000 NXP USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
BC817DPN Nexperia USA Inc. BC817DPN 1.0000
RFQ
 ECAD 1773 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен BC817 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 1
BSR43,115 Nexperia USA Inc. BSR43,115 0,6000
RFQ
 ECAD 2143 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BSR43 1,35 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
PUMD17/ZL115 NXP USA Inc. PUMD17/ZL115 0,0300
RFQ
 ECAD 4433 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 9000
MPSA65 Central Semiconductor Corp MPSA65 -
RFQ
 ECAD 1391 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) MPSA65CS Ear99 8541.21.0075 2500 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 100 мг
ZXTP2009ZQTA Diodes Incorporated ZXTP2009ZQTA 0,9500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а Zxtp2009 900 м SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 40 5,5 а 20NA Pnp 185mv @ 550 май, 5,5а 200 @ 500 май, 2 В 152 мг
BCR 162L3 E6327 Infineon Technologies BCR 162L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 4870 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-101, SOT-883 BCR 162 250 м PG-TSLP-3-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 15 000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 20 @ 5MA, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
KST5401MTF onsemi KST5401MTF -
RFQ
 ECAD 4499 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 KST54 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 150 500 май 50na (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 50ma, 5 В 300 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть