SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC807-40LT3G onsemi BC807-40LT3G 0,1900
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
BD180G onsemi BD180G 0,9100
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD180 30 st 126 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 80 1 а 1MA (ICBO) Pnp 800 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 150 май, 2 В 3 мг
TIP47TU onsemi TIP47TU -
RFQ
 ECAD 4670 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP47 2 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 250 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
PN2222-H-AP Micro Commercial Co PN222222-H-AP -
RFQ
 ECAD 7058 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN2222 625 м Создание 92 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 30 600 май 100NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 200 @ 1MA, 10 В 300 мг
PZTA44-G Comchip Technology PZTA44-G 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA Pzta44 1 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 200 май 100NA (ICBO) Npn 750 мВ @ 5ma, 50 ма 50 @ 10ma, 10 В 20 мг
2SC3919-AC onsemi 2SC3919-AC 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
2N6432 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N6432 PBFREE 4.2300
RFQ
 ECAD 6144 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N6432 1,8 18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 200 100 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 50 мг
2SB1391-E Renesas Electronics America Inc 2SB1391-E 1.3300
RFQ
 ECAD 7809 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 222
DCX53-13 Diodes Incorporated DCX53-13 -
RFQ
 ECAD 8835 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а DCX53 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 200 мг
UPA811T-T1-A CEL UPA811T-T1-A 2.8000
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.31.0000 3000 7,5 дБ 10 В 35 май 2 npn (дВОХАНЕй) 80 @ 5ma, 3V 8 Гер 1,9 дБ @ 2 ggц
FMMTL618TC Diodes Incorporated Fmmtl618tc -
RFQ
 ECAD 8749 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmtl618 500 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 20 1,25 а 10NA Npn 350 мВ 200 май, 2а 250 @ 500ma, 2V 195 МАГ
DRA3115G0L Panasonic Electronic Components DRA3115G0L -
RFQ
 ECAD 5442 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 DRA3115 100 м SSSMINI3-F2-B СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 100 км
JANS2N3737 Microchip Technology Jans2n3737 89 9200
RFQ
 ECAD 5843 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/395 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 500 м О 46 - Rohs3 DOSTISH 150-JANS2N3737 Ear99 8541.21.0095 1 40 1,5 а 200NA Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 500 май, 1в -
2SC4713KT146R Rohm Semiconductor 2SC4713KT146R 0,1007
RFQ
 ECAD 5704 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC4713 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 - 6в 50 май Npn 180 @ 5ma, 5 В 800 мг -
FJP13007H2TU onsemi FJP13007H2TU 1.7300
RFQ
 ECAD 954 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FJP13007 80 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 8 а - Npn 3v @ 2a, 8a 26 @ 2a, 5v 4 мг
2N4237 Microchip Technology 2N4237 36.1627
RFQ
 ECAD 8785 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N4237 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs DOSTISH 2N4237MS Ear99 8541.29.0095 1 40 1 а 100NA Npn 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 500 май, 1в -
FJY3013R onsemi FJY3013R -
RFQ
 ECAD 1792 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-89, SOT-490 FJY301 200 м SC-89-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
BCX 56-10 E6327 Infineon Technologies BCX 56-10 E6327 -
RFQ
 ECAD 3140 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX 56 2 Вт PG-SOT89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 100 мг
MPSA18_D27Z onsemi MPSA18_D27Z -
RFQ
 ECAD 6330 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MPSA18 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 500 @ 10ma, 5 В 100 мг
KSC2316OBU onsemi KSC2316OBU -
RFQ
 ECAD 1233 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА KSC2316 900 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 6000 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2SB1216T-H onsemi 2SB1216T-H -
RFQ
 ECAD 4015 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 2SB1216 1 Вт Т. СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 100 4 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ 200 май, 2а 200 @ 500 май, 5 В 130 мг
DTC143XMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC143XMFHAT2L 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC143 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
PBSS5480X,135 Nexperia USA Inc. PBSS5480X, 135 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS5480 1,6 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 80 4 а 100NA Pnp 380MV @ 500MA, 5A 150 @ 2a, 2v 125 мг
PH3135-5M MACOM Technology Solutions PH3135-5M 345.3383
RFQ
 ECAD 6974 0,00000000 Macom Technology Solutions - МАССА Актифен 200 ° C. ШASCI 2L-Flg PH3135 50 st - - 1465-PH3135-5M 1 8,5 Дб 60 700 май Npn - 3,5 -е -
DSC7003S0L Panasonic Electronic Components DSC7003S0L -
RFQ
 ECAD 2762 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSC7003 1 Вт Minip3-f2-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 170 @ 500 май, 10 В 170 мг
JAN2N6300 Microchip Technology Jan2n6300 29 8984
RFQ
 ECAD 8177 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/539 МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N6300 75 Вт TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 8 а 500 мк (ICBO) Npn - дарлино 3v @ 80ma, 8a 750 @ 4a, 3v -
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119SH6327XTSA1 0,0975
RFQ
 ECAD 7824 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250 м PG-SOT363-PO СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 120 @ 5ma, 5 В 150 мг 4,7 КОМ -
ZTX458 Diodes Incorporated ZTX458 0,7700
RFQ
 ECAD 9862 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 ZTX458 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ztx458-ndr Ear99 8541.29.0075 4000 400 300 май 100NA Npn 500 мВ @ 6ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В 50 мг
PH2369,126 NXP USA Inc. PH2369,126 -
RFQ
 ECAD 8562 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PH23 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 15 200 май 400NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 1MA, 10MA 40 @ 10ma, 1v 500 мг
BCX70JE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX70JE6327HTSA1 0,3800
RFQ
 ECAD 88 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 20NA (ICBO) Npn 550 мв 1,25 май, 50 маточков 250 @ 2ma, 5 250 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть