SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
2PC4617QM,315 Nexperia USA Inc. 2pc4617qm, 315 0,2400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 2pc4617 430 м SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 120 @ 1MA, 6V 100 мг
DTA115EU3T106 Rohm Semiconductor DTA115EU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA115 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 82 @ 5ma, 5V 250 мг 100 км 100 км
2SA17670QA Panasonic Electronic Components 2SA17670QA -
RFQ
 ECAD 3469 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SA1767 750 м TO-92-B1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 300 70 май - Pnp 600 мВ @ 1MA, 10MA 60 @ 5ma, 10 В 50 мг
2N2484 Microchip Technology 2N2484 3.5700
RFQ
 ECAD 4301 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N2484 360 м 18 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2n2484ms Ear99 8541.21.0095 1 60 50 май 2NA Npn 300 мВ 100 мк, 1 мана 225 @ 10ma, 5 -
BC557B_J18Z onsemi BC557B_J18Z -
RFQ
 ECAD 6113 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC557 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
JANTXV2N3421U4 Microchip Technology JantXV2N3421U4 -
RFQ
 ECAD 8755 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/393 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N3421 1 Вт U4 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 3 а 300NA Npn 500 мВ 200 май, 2а 40 @ 1a, 2v -
DTC123YCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC123CAHZGT116 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 350 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 10ma, 5V 250 мг 2.2 Ком 10 Kohms
BC212L_D27Z onsemi BC212L_D27Z -
RFQ
 ECAD 8706 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC212 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 300 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 60 @ 2ma, 5 200 мг
EMT3T2R Rohm Semiconductor EMT3T2R 0,0801
RFQ
 ECAD 7618 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 EMT3T2 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 500 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 140 мг
D44VH1116 Harris Corporation D44VH1116 -
RFQ
 ECAD 5824 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен - 0000.00.0000 240 Npn
DTA143XUA Yangjie Technology DTA143XUA 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен DTA143 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DTA143XUATR Ear99 3000
NSVUMC2NT1G onsemi Nsvumc2nt1g 0,4000
RFQ
 ECAD 3864 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 NSVUMC2 150 м SC-88A (SC-70-5/SOT-353) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В - 22khh 22khh
MMS9014-L-TP Micro Commercial Co MMS9014-L-TP 0,0257
RFQ
 ECAD 5792 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMS9014 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA Npn 300 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 1MA, 5V 150 мг
MSB92T1G onsemi MSB92T1G 0,2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MSB92 150 м SC-59 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 300 150 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 25 @ 30 мА, 10 В 50 мг
PUMD2/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD2/ZLX -
RFQ
 ECAD 8068 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUMD2 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PUMD2/ZLX-1727 Управо 0000.00.0000 1 50 100 май 100NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В 230 мгр, 180 мгр 22khh 22khh
2SC4217E onsemi 2SC4217E 0,3300
RFQ
 ECAD 758 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
FJC1963QTF onsemi FJC1963QTF -
RFQ
 ECAD 3587 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а FJC19 500 м SOT-89-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 30 3 а 500NA Npn 450 мв 150 май, 1,5а 120 @ 500 май, 2 В -
DTA124XUAT106 Rohm Semiconductor DTA124XUAT106 -
RFQ
 ECAD 6083 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-70, SOT-323 DTA124 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
2N5784 Microchip Technology 2N5784 21.0406
RFQ
 ECAD 8107 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N5784 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
BC32816BU onsemi BC32816BU -
RFQ
 ECAD 5462 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC328 625 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
2N4036 W/GOLD Central Semiconductor Corp 2N4036 с -
RFQ
 ECAD 4195 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500
MJD47 onsemi MJD47 -
RFQ
 ECAD 2744 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD47 156 Вт Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 250 1 а 200 мк Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604, T6F (м -
RFQ
 ECAD 4358 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC4604 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 3 а 100NA (ICBO) Npn 500 мв 75 май, 1,5а 120 @ 100ma, 2V 100 мг
BCY79-VII PBFREE Central Semiconductor Corp Bcy79-vii pbfree 1.0545
RFQ
 ECAD 3006 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка BCY79 1 Вт 18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 800 м. 120 @ 2MA, 5V 100 мг
BC856BM-TP Micro Commercial Co BC856BM-TP -
RFQ
 ECAD 2044 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 BC856 SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 65 100 май 100NA Pnp 500 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
ZXTP19020DZTA Diodes Incorporated ZXTP19020DZTA 0,7400
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а ZXTP19020 2,4 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 20 6 а 50na (ICBO) Pnp 275MV @ 300MA, 6A 300 @ 100ma, 2v 176 мг
80279H Microsemi Corporation 80279H -
RFQ
 ECAD 8952 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
ZXTN25040DZTA Diodes Incorporated ZXTN25040DZTA 0,5700
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а ZXTN25040 2,4 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 5 а 50na (ICBO) Npn 260 мВ @ 500 май, 5а 300 @ 10ma, 2v 190 мг
2SD468-B-AP Micro Commercial Co 2SD468-B-AP -
RFQ
 ECAD 7149 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SD468 900 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 20 1 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 80 май, 800 мая 85 @ 500ma, 2V 190 мг
APT13003NZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003NZTR-G1 -
RFQ
 ECAD 6143 0,00000000 Дидж - Веса Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА APT13003 1 Вт Создание 92 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 900 1,5 а - Npn 400 мВ @ 250 май, 1a 5 @ 1a, 2v 4 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть