SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
PBSS5480X,135 Nexperia USA Inc. PBSS5480X, 135 0,4300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS5480 1,6 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 80 4 а 100NA Pnp 380MV @ 500MA, 5A 150 @ 2a, 2v 125 мг
PH3135-5M MACOM Technology Solutions PH3135-5M 345.3383
RFQ
ECAD 6974 0,00000000 Macom Technology Solutions - МАССА Актифен 200 ° C. ШASCI 2L-Flg PH3135 50 st - - 1465-PH3135-5M 1 8,5 Дб 60 700 май Npn - 3,5 -е -
DSC7003S0L Panasonic Electronic Components DSC7003S0L -
RFQ
ECAD 2762 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSC7003 1 Вт Minip3-f2-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 170 @ 500 май, 10 В 170 мг
BC238CBU onsemi BC238CBU -
RFQ
ECAD 7722 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC238 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 25 В 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 380 @ 2ma, 5V 250 мг
JAN2N6300 Microchip Technology Jan2n6300 29 8984
RFQ
ECAD 8177 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/539 МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N6300 75 Вт TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 8 а 500 мк (ICBO) Npn - дарлино 3v @ 80ma, 8a 750 @ 4a, 3v -
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119SH6327XTSA1 0,0975
RFQ
ECAD 7824 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250 м PG-SOT363-PO СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 120 @ 5ma, 5 В 150 мг 4,7 КОМ -
ZTX458 Diodes Incorporated ZTX458 0,7700
RFQ
ECAD 9862 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 ZTX458 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ztx458-ndr Ear99 8541.29.0075 4000 400 300 май 100NA Npn 500 мВ @ 6ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В 50 мг
PH2369,126 NXP USA Inc. PH2369,126 -
RFQ
ECAD 8562 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PH23 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 15 200 май 400NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 1MA, 10MA 40 @ 10ma, 1v 500 мг
BCX70JE6327HTSA1 Infineon Technologies BCX70JE6327HTSA1 0,3800
RFQ
ECAD 88 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 20NA (ICBO) Npn 550 мв 1,25 май, 50 маточков 250 @ 2ma, 5 250 мг
2N3507AU4 Microchip Technology 2N3507AU4 60.6081
RFQ
ECAD 4939 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/349 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N3507 1 Вт U4 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 50 3 а 1 мка Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 30 @ 1,5a, 2v -
BC636 onsemi BC636 -
RFQ
ECAD 2688 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC636 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
MUN5316DW1T1G onsemi MUN5316DW1T1G 0,3800
RFQ
ECAD 7 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN5316 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 1MA, 10MA 160 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ -
STA457C Sanken STA457C -
RFQ
ECAD 5634 0,00000000 САНКЕН - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 10-sip STA457 4 Вт 10-sip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) STA457C DK Ear99 8541.29.0095 800 60 4 а 100 мк (ICBO) 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge) 1,5 - @ 4ma, 2a 2000 @ 2a, 4v -
2N6491 onsemi 2N6491 -
RFQ
ECAD 1124 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2N6491 1,8 ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 80 15 а 1MA Pnp 3,5 - @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4v 5 мг
KSA1370ETA onsemi KSA1370eta -
RFQ
ECAD 5868 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSA1370 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 200 100 май 100NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 2ma, 20 мая 100 @ 10ma, 10 В 150 мг
MMST3904Q-7-F Diodes Incorporated MMST3904Q-7-F 0,3500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMST3904 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
FZT655TA Diodes Incorporated FZT655TA 0,6800
RFQ
ECAD 65 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT655 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 150 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 м. 50 @ 500 май, 5в 30 мг
ZDT1048TC Diodes Incorporated ZDT1048TC -
RFQ
ECAD 9741 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-223-8 ZDT1048 2,75 Вт SM8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 17,5 В. 5A 10NA 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 50ma, 5a 300 @ 500 май, 2 В 150 мг
KSC945GBU Fairchild Semiconductor KSC945GBU 0,0600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 1MA, 6V 300 мг
JANTX2N3771 Microchip Technology Jantx2n3771 221.3120
RFQ
ECAD 1920 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/518 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N3771 6 Вт TO-3 (DO 204AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 30 а 5 май Npn 4V @ 6a, 30a 15 @ 15a, 4v -
MS2421 Microsemi Corporation MS2421 -
RFQ
ECAD 9507 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI M103 875 Вт M103 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 6,3 Дб 65 22A Npn 10 @ 500 май, 5в 1 025 гг ~ 1,15 гг. -
KSC2328AOTA onsemi KSC2328AOTA -
RFQ
ECAD 5436 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА KSC2328 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 30 2 а 100NA (ICBO) Npn 2 w @ 30 май, 1,5а 100 @ 500 май, 2 В 120 мг
BD13616S onsemi BD13616S 0,6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD136 1,25 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2832-BD13616S Ear99 8541.29.0095 2000 45 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В -
DSS60600MZ4-13 Diodes Incorporated DSS60600MZ4-13 0,5000
RFQ
ECAD 35 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA DSS60600 1,2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 60 6 а 100NA (ICBO) Pnp 350 мВ @ 600 май, 6a 120 @ 1a, 2v 100 мг
DDTD123YU-7-F Diodes Incorporated DDTD123YU-7-F -
RFQ
ECAD 6378 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 DDTD123 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
KST4126MTF onsemi KST4126MTF -
RFQ
ECAD 9744 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 KST41 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 200 май 50na (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 2ma, 1V 250 мг
2SD2216J0L Panasonic Electronic Components 2SD2216J0L -
RFQ
ECAD 5214 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 2SD2216 125 м SSMINI3-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100 мк Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 180 @ 2ma, 10 В 150 мг
P2N2907A onsemi P2N2907A -
RFQ
ECAD 1576 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА P2N290 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 60 600 май 10NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
DTB114GCT116 Rohm Semiconductor DTB114GCT116 0,3700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB114 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 10 Kohms
PHPT61002NYCX Nexperia USA Inc. PHPT61002NYCX 0,5000
RFQ
ECAD 894 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PHPT61002 1,25 Вт LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1500 100 2 а 100NA (ICBO) Npn 75 мВ @ 50 май, 500 маточков 100 @ 500 май, 1,5 140 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе