SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC847AW,135 Nexperia USA Inc. BC847AW, 135 0,1700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nexperia USA Inc. BC847XW Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC847 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
BDW93A-S Bourns Inc. BDW93A-S -
RFQ
 ECAD 9156 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW93 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 60 12 а 1MA Npn - дарлино 3v @ 100ma, 10a 750 @ 5a, 3v -
2N6041 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N6041 PBFREE -
RFQ
 ECAD 9678 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Пркрэно -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 75 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 80 8 а 20 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2v @ 16ma, 4a 1000 @ 4a, 4v 4 мг
BDW23TU onsemi BDW23TU -
RFQ
 ECAD 5805 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW23 50 st 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 45 6 а 500 мк Npn 3v @ 60ma, 6a 750 @ 2a, 3v -
BD546B-S Bourns Inc. BD546B-S -
RFQ
 ECAD 3484 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BD546 3,5 SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 80 15 а 700 мк Pnp 1v @ 2a, 10a 10 @ 10a, 4v -
2N5551,412 NXP USA Inc. 2N5551,412 -
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 NXP USA Inc. - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2n55 630 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 160 300 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
BC328TFR onsemi BC328TFR -
RFQ
 ECAD 6050 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC328 625 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
NSS20300MR6T1G onsemi NSS20300MR6T1G 0,5200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 NSS20300 545 м 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 3 а 100NA Pnp 320 мВ @ 20 май, 2а 100 @ 1,5A, 2V 100 мг
PDTC123YK,115 NXP USA Inc. PDTC123YK, 115 -
RFQ
 ECAD 8993 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 м SMT3; Мпп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 9000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 35 @ 5ma, 5V 2.2 Ком 10 Kohms
BC807-40LT3G onsemi BC807-40LT3G 0,1900
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
BD180G onsemi BD180G 0,9100
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD180 30 st 126 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 80 1 а 1MA (ICBO) Pnp 800 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 150 май, 2 В 3 мг
FZT853TC Diodes Incorporated FZT853TC -
RFQ
 ECAD 5805 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT853 3 Вт SOT-223-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 100 6 а 10NA (ICBO) Npn 340 мВ @ 500 мА, 5A 100 @ 2a, 2v 130 мг
TIP47TU onsemi TIP47TU -
RFQ
 ECAD 4670 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP47 2 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 250 1 а 1MA Npn 1V @ 200 мам, 1a 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
PN2222-H-AP Micro Commercial Co PN222222-H-AP -
RFQ
 ECAD 7058 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN2222 625 м Создание 92 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1000 30 600 май 100NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 200 @ 1MA, 10 В 300 мг
PZTA44-G Comchip Technology PZTA44-G 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA Pzta44 1 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 200 май 100NA (ICBO) Npn 750 мВ @ 5ma, 50 ма 50 @ 10ma, 10 В 20 мг
2SC3919-AC onsemi 2SC3919-AC 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
ZTX788BSTOA Diodes Incorporated Ztx788bstoa -
RFQ
 ECAD 9005 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX788B 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 15 3 а 100NA (ICBO) Pnp 450 мВ @ 10ma, 2a 500 @ 10ma, 2V 100 мг
BC327-016 onsemi BC327-016 -
RFQ
 ECAD 5421 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC327 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 260 мг
2N6432 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N6432 PBFREE 4.2300
RFQ
 ECAD 6144 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N6432 1,8 18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 200 100 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 50 мг
FZT696BTA Diodes Incorporated FZT696BTA 0,8200
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT696 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 180 500 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 5ma, 200 мая 150 @ 200 май, 5в 70 мг
2SB1391-E Renesas Electronics America Inc 2SB1391-E 1.3300
RFQ
 ECAD 7809 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 222
2N5238S Microchip Technology 2N5238S 13.8453
RFQ
 ECAD 3437 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N5238 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 170 10 а 10 мк Npn 2,5 - @ 1a, 10a 50 @ 1a, 5в -
DCX53-13 Diodes Incorporated DCX53-13 -
RFQ
 ECAD 8835 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а DCX53 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 200 мг
UPA811T-T1-A CEL UPA811T-T1-A 2.8000
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.31.0000 3000 7,5 дБ 10 В 35 май 2 npn (дВОХАНЕй) 80 @ 5ma, 3V 8 Гер 1,9 дБ @ 2 ggц
PBLS6001D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6001D, 115 0,4600
RFQ
 ECAD 4874 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 PBLS6001 600 м 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 В, 60 В. 100 май, 700 мая 1 мка, 100na 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 150 мв 500 мк, 10 мам / 340 м. 30 @ 20 май, 5 В / 150 при 500 май, 5 В 185 мг 2,2KOM 2,2KOM
FMMTL618TC Diodes Incorporated Fmmtl618tc -
RFQ
 ECAD 8749 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmtl618 500 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 20 1,25 а 10NA Npn 350 мВ 200 май, 2а 250 @ 500ma, 2V 195 МАГ
DRA3115G0L Panasonic Electronic Components DRA3115G0L -
RFQ
 ECAD 5442 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 DRA3115 100 м SSSMINI3-F2-B СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 100 км
JANS2N3737 Microchip Technology Jans2n3737 89 9200
RFQ
 ECAD 5843 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/395 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 500 м О 46 - Rohs3 DOSTISH 150-JANS2N3737 Ear99 8541.21.0095 1 40 1,5 а 200NA Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 500 май, 1в -
ZHB6790TA Diodes Incorporated ZHB6790TA 2.5400
RFQ
 ECAD 4985 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-223-8 ZHB6790 1,25 Вт SM8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 2A 100NA (ICBO) 2 npn, 2 pnp (h-omop) 750 мВ @ 50ma, 2a 200 @ 1a, 2v 100 мг
BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR133E6327HTSA1 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 130 мг 10 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть