SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks Ток - Колемкшионер (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
MPSA55G onsemi MPSA55G -
RFQ
 ECAD 2644 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА MPSA55 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 60 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
2N3416_D74Z onsemi 2N3416_D74Z -
RFQ
 ECAD 3420 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N341 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 3ma, 50 мая 75 @ 2ma, 4,5 В -
JANSD2N3019S Microchip Technology Jansd2n3019s 114 8808
RFQ
 ECAD 7346 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/391 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 800 м TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-JANSD2N3019S 1 80 1 а 10NA Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 10 В -
DRC2143E0L Panasonic Electronic Components DRC2143E0L -
RFQ
 ECAD 4840 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DRC2143 200 м Mini3-g3-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 20 @ 5ma, 10 В 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2N5686 Microchip Technology 2N5686 76.5415
RFQ
 ECAD 5363 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N5686 300 Вт До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs DOSTISH 2n5686ms Ear99 8541.29.0095 1 80 50 а 500 мк Npn 5V @ 10a, 50a 30 @ 5ma, 2v -
BC636TA onsemi BC636TA 0,4000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi - Веса Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC636 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
2DB1694-7 Diodes Incorporated 2DB1694-7 -
RFQ
 ECAD 5486 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2DB1694 300 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 1 а 100NA (ICBO) Pnp 380 мВ @ 25 май, 500 матов 270 @ 100ma, 2v 300 мг
DDTC142TE-7 Diodes Incorporated DDTC142TE-7 -
RFQ
 ECAD 4870 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-523 DDTC142 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 470 ОМ
JANTX2N3634L Microchip Technology Jantx2n3634l 11.9700
RFQ
 ECAD 9245 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3634 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 140 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
JANTXV2N3440 Microchip Technology Jantxv2n3440 15.0290
RFQ
 ECAD 4907 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3440 800 м Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 250 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
DTB143ECHZGT116 Rohm Semiconductor Dtb143echzgt116 0,2700
RFQ
 ECAD 255 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 500 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 47 @ 50ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
ZXTN25060BZQTA Diodes Incorporated ZXTN25060BZQTA 0,3040
RFQ
 ECAD 6692 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а ZXTN25060 1,1 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 5 а 50na (ICBO) Npn 305 мВ @ 500 май, 5а 100 @ 10ma, 2v 185 мг
MMBT2907ALT1G onsemi MMBT2907ALT1G 0,1700
RFQ
 ECAD 9563 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
FMMT560TC Diodes Incorporated FMMT560TC 0,4800
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT560 500 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 500 150 май 100NA Pnp 500 мВ @ 10ma, 50 мая 80 @ 50ma, 10 В 60 мг
TIP36CG onsemi TIP36CG 3.6900
RFQ
 ECAD 7957 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 TIP36 125 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 100 25 а 1MA Pnp 4V @ 5a, 25a 15 @ 15a, 4v 3 мг
DDTC123YKA-7-F Diodes Incorporated DDTC123YKA-7-F -
RFQ
 ECAD 3378 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC123 200 м SC-59-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 10ma, 5V 250 мг 2.2 Ком 10 Kohms
XN0A31200L Panasonic Electronic Components XN0A31200L -
RFQ
 ECAD 2782 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-74A, SOT-753 XN0A31 300 м Mini5-g1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В 150 мг, 80 мгр 22khh 22khh
BC807-16LWF Nexperia USA Inc. BC807-16LWF 0,0278
RFQ
 ECAD 8441 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC807 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934070769135 Ear99 8541.21.0095 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 80 мг
2N4919 onsemi 2N4919 -
RFQ
 ECAD 5132 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2N4919 30 st 126 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 60 1 а 500 мк Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 500 май, 1в 3 мг
IMH8AT108 Rohm Semiconductor IMH8AT108 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMH8 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Комов -
NE462M02-T1-AZ CEL NE462M02-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 6609 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1,8 - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 10 дБ 12 150 май Npn 50 @ 50 мА, 5 В 6 Гер 3,5 дБ @ 1gц
BC807-16LT1G onsemi BC807-16LT1G 0,2000
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
MUN5211DW1T1G onsemi MUN5211DW1T1G 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN5211 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В - 10 Комов 10 Комов
DDTC125TE-7-F Diodes Incorporated DDTC125TE-7-F -
RFQ
 ECAD 2832 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-523 DDTC125 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 50 мк, 500 мк 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 200 Ком
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5359 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1111 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 300 @ 1MA, 5V 10 Kohms
TIP30 onsemi TIP30 -
RFQ
 ECAD 4071 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP30 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 40 1 а 300 мк Pnp 700 мВ @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v 3 мг
ZXTP717MATA Diodes Incorporated Zxtp717mata 0,5300
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o ZXTP717 3 Вт U-DFN2020-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 12 4,5 а 100NA Pnp 310 мВ @ 150ma, 4a 300 @ 100ma, 2v 100 мг
JAN2N3700UB/TR Microchip Technology Jan2n3700ub/tr 8.1130
RFQ
 ECAD 9438 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/391 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N3700 500 м 3-UB (2,9x2,2) - Rohs3 DOSTISH 150-якова 23700UB/tr Ear99 8541.21.0095 1 80 1 а 10NA Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 50 @ 500 май, 10 В -
2N6040G onsemi 2N6040G -
RFQ
 ECAD 3695 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2N6040 75 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 60 8 а 20 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2v @ 16ma, 4a 1000 @ 4a, 4v -
PBSS5480XZ Nexperia USA Inc. PBSS5480XZ 0,1660
RFQ
 ECAD 1119 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS5480 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934058211146 Ear99 8541.29.0075 1000 80 4 а 100NA Pnp 380MV @ 500MA, 5A 200 @ 500 май, 2 В 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть