SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks Ток - Колемкшионер (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
UMB2NFHATN Rohm Semiconductor Umb2nfhatn 0,3300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMB2 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 100 май - 2 pnp preredvaritelnos -smeheneneeneneenen (Dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг
FJBE2150DTU onsemi FJBE2150DTU -
RFQ
ECAD 9031 0,00000000 OnSemi ESBC ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FJBE21 110 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 800 В 2 а 100 мк Npn 250 мВ @ 330 май, 1a 20 @ 400 май, 3V 5 мг
BC337-16 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 A1 -
RFQ
ECAD 3473 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC337-16A1TB Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
MPSA14RLRA onsemi MPSA14RLRA -
RFQ
ECAD 3913 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA14 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
IMH5AT108 Rohm Semiconductor IMH5AT108 0,1434
RFQ
ECAD 7347 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMH5 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22khh 22khh
ZTX601BSTZ Diodes Incorporated Ztx601bstz 0,3682
RFQ
ECAD 8898 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX601 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 160 1 а 10 мк Npn - дарлино 1,2 - @ 10ma, 1a 10000 @ 500 май, 10 В 250 мг
BC80725MTF onsemi BC80725MTF -
RFQ
ECAD 5732 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 310 м SOT-23-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
IMB10AT110 Rohm Semiconductor IMB10AT110 0,3900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 IMB10 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2,2KOM 47komm
FMA11AT148 Rohm Semiconductor FMA11AT148 0,1399
RFQ
ECAD 1089 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74A, SOT-753 FMA11 300 м SMT5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4,7 КОМ 47komm
RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1905 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2,2KOM 47komm
STJ1048 Microchip Technology STJ1048 -
RFQ
ECAD 3588 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs3 DOSTISH 150-STJ1048 1
2N5089TAR onsemi 2N5089TAR -
RFQ
ECAD 2998 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N5089 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 25 В 100 май 50na (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 400 @ 100 мк, 5 В 50 мг
2N5087_J18Z onsemi 2N5087_J18Z -
RFQ
ECAD 2123 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5087 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 100 май 50NA Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 100 мк, 5в 40 мг
NSVF5501SKT3G onsemi NSVF5501SKT3G 0,4600
RFQ
ECAD 7 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-623F NSVF5501 250 м SOT-623/SSFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 11 дБ 10 В 70 май Npn 100 @ 10ma, 5 В 5,5 -е 1,9 дБ @ 1ggц
MJD350T4 STMicroelectronics MJD350T4 0,8600
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD350 15 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 500 май 100 мк (ICBO) Pnp - 30 @ 50 мА, 10 В -
FZT658TA Diodes Incorporated FZT658TA 0,6800
RFQ
ECAD 68 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT658 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 400 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 10ma, 100 мая 40 @ 200 май, 10 В 50 мг
2N6426_D26Z onsemi 2N6426_D26Z -
RFQ
ECAD 9986 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N6426 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 40 1,2 а 1 мка Npn - дарлино 1,5- 500 мк, 500 20000 @ 500 май, 5в -
PN2907ARLRA onsemi PN2907Arlra -
RFQ
ECAD 3699 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА PN290 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV (TL3, T) -
RFQ
ECAD 5110 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 RN1106 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 80 @ 10ma, 5в 4.7 Kohms 47 Kohms
BFG10,215 NXP USA Inc. BFG10,215 -
RFQ
ECAD 2413 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а BFG10 400 м SOT-143b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 7 дБ 250 май Npn 25 @ 50 мА, 5 В 1,9 -е -
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0,3900
RFQ
ECAD 9502 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 м S-Mini СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 70 @ 100ma, 1v 300 мг
2N3415_D26Z onsemi 2N3415_D26Z -
RFQ
ECAD 4051 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N341 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 25 В 500 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 3ma, 50 мая 180 @ 2ma, 4,5 В -
BD13810S onsemi BD13810S -
RFQ
ECAD 7152 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD138 1,25 Вт 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 60 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v -
PUMH9/ZLX Nexperia USA Inc. Pumh9/zlx -
RFQ
ECAD 9969 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Pumh9 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 50 100 май 100NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 5ma, 5 230 мг 10 Комов 47komm
BC212B_D26Z onsemi BC212B_D26Z -
RFQ
ECAD 8547 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC212 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 100 май 15NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 100 мая 60 @ 2ma, 5 -
BC549B Fairchild Semiconductor BC549B 0,0400
RFQ
ECAD 41 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
MMBT5087LT1G onsemi MMBT5087LT1G 0,2100
RFQ
ECAD 57 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5087 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 50 май 50na (ICBO) Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 100 мк, 5в 40 мг
BCX5210TA Diodes Incorporated BCX5210TA 0,4000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX5210 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 150 мг
2N4402TFR onsemi 2n4402tfr -
RFQ
ECAD 7527 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N4402 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 40 600 май - Pnp 750 мВ 50 мам, 500 маточков 50 @ 150 май, 2 В -
MJE270TG onsemi MJE270TG 0,7100
RFQ
ECAD 800 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 1,5 126 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 488-MJE270TG Ear99 8541.29.0075 50 100 2 а 1MA Npn - дарлино 3 w @ 1,2 мая, 120 мая 1500 @ 120 май, 10 В 6 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе