SIC
close

Odinoчnыepoletы, mosfet (44971)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
NTMFS4935NCT1G onsemi NTMFS4935NCT1G -
RFQ
 ECAD 2506 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS4935 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 13a (ta), 93a (TC) 4,5 В, 10. 3,2moхA @ 30a, 10 2,2 pri 250 мк 49,4 NC @ 10 V ± 20 В. 4850 PF @ 15 V - 930 мт (TA), 48W (TC)
SQJ431AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_BE3 1.6400
RFQ
 ECAD 2342 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SQJ431AEP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 200 9.4a (TC) 6 В, 10 В. 305mohm @ 3,8a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 85 NC @ 10 V ± 20 В. 3700 PF @ 25 V - 68 Вт (ТС)
RM8A5P60S8 Rectron USA RM8A5P60S8 0,2900
RFQ
 ECAD 4571 0,00000000 Rectron USA - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM8A5P60S8TR 8541.10.0080 40 000 П-канал 60 8.5a (TC) 4,5 В, 10. 30mohm @ 8a, 10 В 2,5 -50 мк ± 20 В. 3900 pf @ 25 v - 4,1 st (TC)
NE5550979A-T1A-A Renesas Electronics America Inc NE5550979A-T1A-A -
RFQ
 ECAD 5683 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000
PJP6NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJP6NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 8016 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PJP6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3757-PJP6NA70_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 700 6a (TA) 10 1,7 ОМ @ 3A, 10 В 4 В @ 250 мк 16,5 NC @ 10 V ± 30 v 831 PF @ 25 V - 142W (TC)
NVTFWS040N10MCLTAG onsemi Nvtfws040n10mcltag 0,4106
RFQ
 ECAD 6545 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WDFN (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NVTFWS040N10MCLTAGTR Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 100 6.1a (ta), 21a (TC) 4,5 В, 10. 38mohm @ 5a, 10v 3V @ 26 мка 8,6 NC @ 10 V ± 20 В. 520 pf @ 50 v - 3,1 yt (ta), 36 yt (tc)
MCB120N08Y-TP Micro Commercial Co MCB120N08Y-TP 2.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MCB120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-MCB120N08Y-TPTR Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 80 120A (TC) 10 4,5mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 73 NC @ 10 V ± 20 В. 5666 PF @ 40 V - 208 Вт
IRLML0060TRPBF Infineon Technologies IRLML0060TRPBF 0,4500
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML0060 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro3 ™/SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 2.7a (TA) 4,5 В, 10. 92mohm @ 2,7a, 10 В 2,5 -прри 25 мк 2,5 NC @ 4,5 ± 16 В. 290 pf @ 25 v - 1,25 мкт (таблица)
IRFR1219A Harris Corporation IRFR1219A 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ХArrISCORPORAHINE - МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1
STD11N60DM2 STMicroelectronics Std11n60dm2 1,8000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-16925-2 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 10a (TC) 10 420MOHM @ 5A, 10V 5 w @ 250 мк 16,5 NC @ 10 V ± 25 В 614 pf @ 100 v - 110 yt (tc)
2N7002KCQ Yangjie Technology 2N7002KCQ 0,0330
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен 2N7002 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-2n7002kcqtr Ear99 3000
IPD135N08N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD135N08N3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 4889 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD135N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 80 45A (TC) 6 В, 10 В. 13,5mohm @ 45a, 10v 3,5 - @ 33 мка 25 NC @ 10 V ± 20 В. 1730 pf @ 40 v - 79 Вт (ТС)
R6015KNX Rohm Semiconductor R6015Knx 2.2000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R6015 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 15a (TC) 10 290mohm @ 6,5a, 10 В 5V @ 1MA 27,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1050 PF @ 25 V - 60 yt (tc)
2SJ143(2)-S6-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ143 (2) -S6 -AZ 2.0200
RFQ
 ECAD 699 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
2N6788U Microsemi Corporation 2N6788U -
RFQ
 ECAD 1196 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 18-CLCC МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 18-ulcc (9.14x7.49) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 100 4.5a (TC) 10 300mohm @ 3,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. - 800 мт (TC)
AO4413 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4413 -
RFQ
 ECAD 7328 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 15a (TA) 10 В, 20 В. 7mohm @ 15a, 20В 3,5 В @ 250 мк 61 NC @ 10 V ± 25 В 3500 pf @ 15 v - 3,1 yt (tat)
AOD444 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD444 0,6400
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 AOD44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 (DPAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 4A (TA), 12A (TC) 4,5 В, 10. 60mohm @ 12a, 10v 3 В @ 250 мк 10 NC @ 10 V ± 20 В. 540 pf @ 30 v - 2,1 yt (ta), 20 yt (tc)
NTMFS0D55N03CGT1G onsemi NTMFS0D55N03CGT1G 5.5600
RFQ
 ECAD 855 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 35A (TA) 10 0,58mohm @ 30a, 10 В 2.2V @ 330 мк 224,9 NC @ 10 V ± 20 В. 18500 PF @ 15 V - 1,1 yt (tat)
SFR9024TF Fairchild Semiconductor SFR9024TF 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 (DPAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 П-канал 60 7.8a (TC) 10 280mohm @ 3,9a, 10 В 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 30 v 600 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 32 yt (tc)
RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor RV3CA01ZPT2Cl 0,5500
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn RV3CA01 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) VML0604 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 П-канал 20 100 май (таблица) 1,5 В, 4,5 В. 3,8om @ 100ma, 4,5 1 w @ 100 мк ± 10 В. 7,5 PF @ 10 V - 100 март (таблица)
IRFU320PBF Vishay Siliconix IRFU320PBF 1.5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА IRFU320 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251ааа СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *IRFU320PBF Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 400 3.1a (TC) 10 1,8OM @ 1,9A, 10 В 4 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 350 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 42 st (tc)
TSM10ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM10ND65CI 2.2540
RFQ
 ECAD 2350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM10ND65CI Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 650 10a (TC) 10 800mom @ 3a, 10 В 3,8 В @ 250 мк 39,6 NC @ 10 V ± 30 v 1863 PF @ 50 V - 56,8 м (TC)
AOT20C60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT20C60L -
RFQ
 ECAD 8669 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 20А (TC) 10 250mhom @ 10a, 10 В 5 w @ 250 мк 74 NC @ 10 V ± 30 v 3440 pf @ 100 v - 463W (TC)
IRF9640STRR Vishay Siliconix IRF9640Strr -
RFQ
 ECAD 2802 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF9640 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 200 11a (TC) 10 500mohm @ 6,6a, 10 В 4 В @ 250 мк 44 NC @ 10 V ± 20 В. 1200 pf @ 25 v - 3W (TA), 125W (TC)
STH130N10F3-2 STMicroelectronics STH130N10F3-2 -
RFQ
 ECAD 5035 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ iii Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STH130 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) H2PAK-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 120A (TC) 10 9.3mohm @ 60a, 10 В 4 В @ 250 мк 57 NC @ 10 V ± 20 В. 3305 PF @ 25 V - 250 yt (TC)
MFT2N3A0S23 Meritek MFT2N3A0S23 -
RFQ
 ECAD 2585 0,00000000 Meritek - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2997-MFT2N3A0S23TR Ear99 8532.25.0020 10 N-канал ± 12 В. 280 pf @ 10 v 500 м
IPB80N06S2H5ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2H5ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1711 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB80N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 55 80a (TC) 10 5,2 мома @ 80а, 10 4 В @ 230 мк 155 NC @ 10 V ± 20 В. 4400 pf @ 25 v - 300 м (TC)
FQB34P10TM-F085P onsemi FQB34P10TM-F085P -
RFQ
 ECAD 6794 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FQB34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 100 33,5a (TC) 10 60mohm @ 16.75a, 10v 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 25 В 2910 pf @ 25 v - 3,75 yt (ta), 155 yt (tc)
IXFK64N60Q3 IXYS Ixfk64n60q3 39.2300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixfk64 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264AA (IXFK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 64a (TC) 10 95mohm @ 32a, 10v 6,5 w @ 4ma 190 NC @ 10 V ± 30 v 9930 pf @ 25 v - 1250 Вт (TC)
R6008FNX Rohm Semiconductor R6008FNX 2.5064
RFQ
 ECAD 7182 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R6008 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-R6008FNX Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 8a (TC) 10 950MOHM @ 4A, 10 В 4 В @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 30 v 580 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть