SIC
close

Odinoчnыepoletы, mosfet (44971)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
SI4822DY Fairchild Semiconductor SI4822DY 0,4300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 701 N-канал 30 12.5a (TA) 4,5 В, 10. 9.5mohm @ 12.5a, 10v 3 В @ 250 мк 33 NC @ 5 V ± 20 В. 2180 pf @ 15 v - 1 yt (tta)
IXTT1N100 IXYS Ixtt1n100 -
RFQ
 ECAD 5797 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixtt1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1000 1.5a (TC) 10 11om @ 1a, 10v 4,5 В @ 25 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 480 pf @ 25 v - 60 yt (tc)
C2M0025120D Wolfspeed, Inc. C2M0025120D 81.9500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Z-fet ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 C2M0025120 Sicfet (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 90A (TC) 20 34mohm @ 50a, 20 В 2.4V @ 10MA 161 NC @ 20 V +25, -10. 2788 PF @ 1000 - 463W (TC)
DMN2310UTQ-13 Diodes Incorporated DMN2310UTQ-13 0,0589
RFQ
 ECAD 1429 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 DMN2310 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-523 СКАХАТА DOSTISH 31-DMN2310UTQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10000 N-канал 20 1.2a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 240MOHM @ 300MA, 4,5 950 мВ @ 250 мк 0,7 NC @ 4,5 ± 8 v 38 PF @ 10 V - 290 м
APT20M20JLL Microchip Technology APT20M20JLL 30.8600
RFQ
 ECAD 5246 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS V® Трубка Актифен ШASCI SOT-227-4, Minibloc APT20M20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isotop® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 104a (TC) 20mohm @ 52a, 10 В 5 w @ 2,5 мая 110 NC @ 10 V 6850 PF @ 25 V -
PJ2301_R1_00001 Panjit International Inc. PJ2301_R1_00001 0,4100
RFQ
 ECAD 1888 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PJ2301 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJ2301_R1_00001CT Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3.1a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 100mohm @ 3,1a, 4,5 1,2- 250 мк 5,4 NC @ 4,5 ± 12 В. 416 PF @ 10 V - 1,25 мкт (таблица)
FDP12N50 onsemi FDP12N50 -
RFQ
 ECAD 7236 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FDP12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 500 11.5a (TC) 10 650MOHM @ 6A, 10V 5 w @ 250 мк 30 NC @ 10 V ± 30 v 1315 PF @ 25 V - 165W (TC)
G75P04D5I Goford Semiconductor G75P04D5I 0,3673
RFQ
 ECAD 2339 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (4,9x5,75) - ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-G75P04D5ITR Ear99 8541.29.0000 5000 П-канал 40 70A (TC) 4,5 В, 10. 6,5mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 106 NC @ 10 V ± 20 В. 6414 PF @ 20 V - 150 Вт (TC)
BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y7R6-40E, 115 0,5313
RFQ
 ECAD 6583 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 Buk9y7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 79a (TC) 5 В, 10 В. 6mohm @ 20a, 10 В 2.1V @ 1MA 16,4 NC @ 5 V ± 10 В. 2403 PF @ 25 V - 95W (TC)
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-GE3 0,9100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3458 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 4.1a (TC) 4,5 В, 10. 100mohm @ 3,2a, 10 В 3 В @ 250 мк 11 NC @ 10 V ± 20 В. 350 pf @ 30 v - 2w (ta), 3,3 yt (tc)
IRFB42N20DPBF Infineon Technologies IRFB42N20DPBF -
RFQ
 ECAD 5948 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 200 44a (TC) 10 55mohm @ 26a, 10v 5,5 В @ 250 мк 140 NC @ 10 V ± 30 v 3430 PF @ 25 V - 2,4 Вт (TA), 330 st (TC)
STY30NK90Z STMicroelectronics Sty30nk90z -
RFQ
 ECAD 1562 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Sty30n МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Max247 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-4431-5 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 900 26a (TC) 10 260mohm @ 14a, 10 В 4,5 -150 мк 490 NC @ 10 V ± 30 v 12000 pf @ 25 v - 450 Вт (TC)
SI3139KL-TP Micro Commercial Co SI3139KL-TP -
RFQ
 ECAD 1458 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 SI3139 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 П-канал 20 680ma (TJ) 4,5 В. 700mohm @ 600ma, 4,5 1,1 В @ 250 мк ± 12 В. 170 pf @ 6 v - 100 м
FQB3P20TM onsemi FQB3P20TM -
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 OnSemi QFET® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FQB3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 200 2.8a (TC) 10 2,7 О МОМ @ 1,4a, 10 В 5 w @ 250 мк 8 NC @ 10 V ± 30 v 250 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
PN3685 Fairchild Semiconductor PN3685 0,2400
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN368 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО 92-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал - - - - -
IPP120N04S401AKSA1 Infineon Technologies IPP120N04S401AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7125 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP120N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 40 120A (TC) 10 1,9MOHM @ 100a, 10 В 4в @ 140 мк 176 NC @ 10 V ± 20 В. 14000 pf @ 25 v - 188W (TC)
STP5N95K3 STMicroelectronics STP5N95K3 -
RFQ
 ECAD 6088 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP5N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 950 4a (TC) 10 3,5OM @ 2A, 10 В 5 w @ 100 мк 19 NC @ 10 V ± 30 v 460 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
AOB66613L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66613L 3.1100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AOB66613 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 44,5A (TA), 120A (TC) 8 В, 10 В. 2,5mohm @ 20a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 5300 pf @ 30 v - 8,3 yt (ta), 260 yt (tc)
HUFA76423S3ST onsemi HUFA76423S3ST -
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HUFA76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 35A (TC) 4,5 В, 10. 30mohm @ 35a, 10 В 3 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 16 В. 1060 pf @ 25 v - 85W (TC)
TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC65CF C0G 1.5053
RFQ
 ECAD 4379 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TSM7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 7A (TC) 10 1,35OM @ 2A, 10V 4,5 -50 мк 24 NC @ 10 V ± 30 v 1169 pf @ 50 v - 44,6.
APT22F120B2 Microchip Technology APT22F120B2 35 1400
RFQ
 ECAD 3588 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 8 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT22F120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) T-Max ™ [B2] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 1200 23a (TC) 10 700mohm @ 12a, 10 В 5 w @ 2,5 мая 260 NC @ 10 V ± 30 v 8370 PF @ 25 V - 1040 yt (tc)
IXTP70N075T2 IXYS IXTP70N075T2 2.7700
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXTP70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 75 70A (TC) 10 12mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 20 В. 2725 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
IRL7833STRRPBF Infineon Technologies IRL7833Strrpbf -
RFQ
 ECAD 9027 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001558120 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 150a (TC) 4,5 В, 10. 3,8mohm @ 38a, 10v 2,3 В @ 250 мк 47 NC @ 4,5 ± 20 В. 4170 PF @ 15 V - 140 Вт (TC)
IPC60R190P6X7SA1 Infineon Technologies IPC60R190P6X7SA1 -
RFQ
 ECAD 9959 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо IPC60R - 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001418030 Управо 0000.00.0000 1 -
DMT616MLSS-13 Diodes Incorporated DMT616MLSS-13 0,1589
RFQ
 ECAD 5902 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DMT616 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMT616MLSS-13DI Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 10А (таблица) 4,5 В, 10. 14mohm @ 8.5a, 10 В 2,2 pri 250 мк 13,6 NC @ 10 V ± 20 В. 785 pf @ 30 v - 1,39 yt (tat)
UPA2793GR(0)-E2-AY Renesas Electronics America Inc Upa2793gr (0) -e2 -ay -
RFQ
 ECAD 2845 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 Продан Управо 0000.00.0000 3000 7а (TJ)
STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6 1.4500
RFQ
 ECAD 3837 0,00000000 Stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ VI Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (3.3x3.3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 11a (TC) 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 5,5a, 10 В 1в @ 250 мка (мин) 17 NC @ 4,5 ± 20 В. 1690 PF @ 24 - 2 Вт (TA), 50 yt (TC)
PSMN4R4-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN4R4-80PS, 127 -
RFQ
 ECAD 7873 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PSMN4 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
DIT120N08 Diotec Semiconductor DIT120N08 1.3886
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DIT120N08 8541.21.0000 50 N-канал 80 120A (TC) 10 6mohm @ 40a, 10v 4 В @ 250 мк 163 NC @ 10 V ± 20 В. 6500 pf @ 25 v - 220W (TC)
HUF76407D3S onsemi HUF76407D3S -
RFQ
 ECAD 8560 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HUF76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 60 12a (TC) 4,5 В, 10. 92mohm @ 13a, 10 В 3 В @ 250 мк 11,3 NC @ 10 V ± 16 В. 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть