SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
DMP2240UWQ-7 Diodes Incorporated DMP2240UWQ-7 0,4600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 DMP2240 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 1.5a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 150mohm @ 2a, 4,5 1В @ 250 мк ± 12 В. 320 pf @ 16 v - 250 мг (таблица)
IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies IPP051N15N5AKSA1 6.5300
RFQ
ECAD 8738 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP051 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 50 N-канал 150 120A (TC) 8 В, 10 В. 5,1mohm @ 60a, 10 В 4,6 В @ 264 мка 100 NC @ 10 V ± 20 В. 7800 PF @ 75 V - 500 мт (TC)
NP32N055HLE-AZ NEC Corporation NP32N055HLE-AZ 0,8900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 NEC Corporation - МАССА Актифен 175 ° С Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА NP32 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (MP-3) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 55 32A (TA) 4,5 В, 10. 24mohm @ 16a, 10v 2,5 -50 мк 41 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 25 V - 1,2 yt (ta), 66 yt (tc)
FDB8444 onsemi FDB8444 2.2100
RFQ
ECAD 271 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FDB844 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 70A (TC) 10 В 5,5mohm @ 70a, 10v 4 В @ 250 мк 128 NC @ 10 V ± 20 В. 8035 PF @ 25 V - 167W (TC)
IXTA7N60P IXYS Ixta7n60p 1.7474
RFQ
ECAD 7531 0,00000000 Ixys Пола Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ixta7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 7A (TC) 1,1 в 3,5а, 10 5,5 - @ 100 мк 20 NC @ 10 V 1080 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
AO6405 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6405 0,4800
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 AO640 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 5а (таблица) 4,5 В, 10. 52mohm @ 5a, 10 В 3 В @ 250 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 840 PF @ 15 V - 2W (TA)
IRF2204PBF Infineon Technologies IRF2204PBF 2.9800
RFQ
ECAD 4179 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF2204 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 210A (TC) 10 В 3,6mohm @ 130a, 10v 4 В @ 250 мк 200 NC @ 10 V ± 20 В. 5890 PF @ 25 V - 330W (TC)
SCH1430-TL-H onsemi SCH1430-TL-H 0,1397
RFQ
ECAD 9833 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 SCH1430 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-Sch СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 N-канал 20 2а (тат) 1,8 В, 4,5 В. 125mohm @ 1a, 4,5 - 1,8 NC @ 4,5 ± 12 В. 128 PF @ 10 V - 800 мт (таблица)
NTMFS4C032NT1G onsemi NTMFS4C032NT1G -
RFQ
ECAD 3206 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 13a (ta), 38a (TC) 4,5 В, 10. 7,35moхma @ 30a, 10 В 2.1 h @ 250 мк 15,2 NC @ 10 V ± 20 В. 770 pf @ 15 v - 2,46 Вт (TA), 21,6 st (TC)
RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G18BBGC16 7.6300
RFQ
ECAD 6633 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 RX3G18 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RX3G18BBGC16 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 270A (TA), 180A (TC) 4,5 В, 10. 1,47MOM @ 90A, 10V 2,5 h @ 1ma 210 NC @ 10 V ± 20 В. 13200 pf @ 20 v - 192W (TC)
AON7403L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7403L_001 -
RFQ
ECAD 2709 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn AON740 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN-EP (3x3) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 30 11a (ta), 29a (TC) 5 В, 10 В. 18mohm @ 8a, 10v 3 В @ 250 мк 24 NC @ 15 V ± 25 В 1400 pf @ 15 v - 4,1 мкт (та), 25 б (TC)
FF1700XTR17IE5DBPSA1 Infineon Technologies FF1700XTR17IE5DBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2
BUK6213-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK6213-30C, 118 -
RFQ
ECAD 9006 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 47a (TC) 10 В 14mohm @ 10a, 10 В 2.8V @ 1MA 19,5 NC @ 10 V ± 16 В. 1108 PF @ 25 V - 60 yt (tc)
IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies IGO60R042D1AUMA2 16.1506
RFQ
ECAD 2406 0,00000000 Infineon Technologies Coolgan ™ Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 20-psevdonana (0,433 ", ширина 11,00 мм) Ganfet (intrid galkina) PG-DSO-20-85 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 - 600 - - - - - - -
BUK9M31-60ELX Nexperia USA Inc. BUK9M31-60ELX 1.2100
RFQ
ECAD 8352 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 -листь) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK33 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 60 35A (TA) 4,5 В, 10. 20,6mohm @ 10a, 10 В 2.1V @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 10 В. 1867 PF @ 25 V - 62W (TA)
SCT3030ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3030ALGC11 31.1300
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SCT3030 Sicfet (kremniewый karbid) TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 70A (TC) 18В 39mohm @ 27a, 18v 5,6 В @ 13,3 мая 104 NC @ 18 V +22, -4 В. 1526 PF @ 500 - 262W (TC)
IXFH76N07-12 IXYS IXFH76N07-12 7 9857
RFQ
ECAD 2866 0,00000000 Ixys Hiperfet ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 70 76A (TC) 10 В 12mohm @ 40a, 10v 3,4 В @ 4MA 240 NC @ 10 V ± 20 В. 4400 pf @ 25 v - 360 Вт (TC)
STB16N65M5 STMicroelectronics STB16N65M5 -
RFQ
ECAD 8840 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ V. Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB16N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 12a (TC) 10 В 299mohm @ 6a, 10v 5 w @ 250 мк 31 NC @ 10 V ± 25 В 1250 pf @ 100 v - 90 Вт (TC)
SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix SQD10950E_GE3 1.4500
RFQ
ECAD 9860 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SQD10950 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 250 11.5a (TC) 7,5 В, 10. 162mohm @ 12a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 16 NC @ 10 V ± 20 В. 785 PF @ 25 V - 62W (TC)
AOTF13N50L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF13N50L -
RFQ
ECAD 3808 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Прохл -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF13 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F - DOSTISH 785-AOTF13N50L 1 N-канал 500 13a (TJ) 10 В 510mom @ 6,5a, 10 В 4,5 -50 мк 37 NC @ 10 V ± 30 v 1633 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
IRLR2905Z Infineon Technologies IRLR2905Z -
RFQ
ECAD 5368 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRLR2905Z Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 55 42a (TC) 4,5 В, 10. 13,5mohm @ 36a, 10v 3 В @ 250 мк 35 NC @ 5 V ± 16 В. 1570 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
BUK9609-55A,118 NXP USA Inc. BUK9609-55A, 118 -
RFQ
ECAD 9906 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB BUK96 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 75A (TC) 4,5 В, 10. 8mohm @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 60 NC @ 5 V ± 15 В. 4633 PF @ 25 V - 211W (TC)
CSD18542KCS Texas Instruments CSD18542KCS 2.5100
RFQ
ECAD 518 0,00000000 Тел Nexfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 CSD18542 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 200A (TA) 4,5 В, 10. 44mohm @ 100a, 10 В 2,2 pri 250 мк 57 NC @ 10 V ± 20 В. 5070 pf @ 30 v - 200 yt (tc)
STD19NF20 STMicroelectronics STD19NF20 -
RFQ
ECAD 1986 0,00000000 Stmicroelectronics Степень № Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STD19 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 200 15a (TC) 10 В 160mohm @ 7,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 24 NC @ 10 V ± 20 В. 800 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
IPA80R1K4CEXKSA1 Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA1 -
RFQ
ECAD 1591 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ CE Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IPA80R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 2.8a (TC) 10 В 1,4om @ 2,3а, 10 В 3,9 В @ 240 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 570 pf @ 100 v - 31W (TC)
IPI70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies IPI70N10S3L12AKSA1 -
RFQ
ECAD 6882 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IPI70N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 100 70A (TC) 4,5 В, 10. 12.1mohm @ 70a, 10v 2,4 - @ 83 мка 80 NC @ 10 V ± 20 В. 5550 PF @ 25 V - 125W (TC)
CPMF-1200-S160B Wolfspeed, Inc. CPMF-1200-S160B -
RFQ
ECAD 5223 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Z-fet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Sicfet (kremniewый karbid) Умират СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0040 1 N-канал 1200 28a (TJ) 20 220mohm @ 10a, 20 В 4 В @ 1MA 47,1 NC @ 20 V +25, -5 В. 928 PF @ 800 - 202W (TJ)
CSD19535KTTT Texas Instruments CSD19535KTTT 4.1200
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-4, D²PAK (3 LEADS + TAB), TO-263AA CSD19535 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DDPAK/TO-263-3 СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 200A (TA) 6 В, 10 В. 3,4MOM @ 100a, 10 В 3,4 В @ 250 мк 98 NC @ 10 V ± 20 В. 7930 pf @ 50 v - 300 м (TC)
NTD4302-1G onsemi NTD4302-1G -
RFQ
ECAD 8419 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА NTD43 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 8.4a (ta), 68a (TC) 4,5 В, 10. 10mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 2400 PF @ 24 - 1,04W (TA), 75 Вт (TC)
IXFH24N80P IXYS Ixfh24n80p 11.5200
RFQ
ECAD 3267 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 800 В 24а (TC) 10 В 400mohm @ 12a, 10 В 5V @ 4MA 105 NC @ 10 V ± 30 v 7200 pf @ 25 v - 650 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе