SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IRF830PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF830PBF-BE3 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF830 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-IRF830PBF-BE3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 4.5a (TC) 10 В 1,5 ОМ @ 2,7A, 10 В 4 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 20 В. 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
FQPF19N20T Fairchild Semiconductor FQPF19N20T 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FQPF1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 100 11.8a (TC) 10 В 150mohm @ 5,9a, 10 В 5 w @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 1600 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
BUK7575-100A,127 NXP USA Inc. BUK7575-100A, 127 0,3300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 100 23a (TA) 75mohm @ 13a, 10v 4 В @ 1MA ± 20 В. 1210 PF @ 25 V - 99
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor FDZ197PZ 0,2300
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-UFBGA, WLCSP FDZ19 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-WLCSP (1,0x1,5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 5000 П-канал 20 3.8a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 64mohm @ 2a, 4,5 1В @ 250 мк 25 NC @ 4,5 ± 8 v 1570 PF @ 10 V - 1,9 yt (tat)
BUK9506-40B,127 NXP USA Inc. BUK9506-40B, 127 0,5200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 NXP USA Inc. * Трубка Актифен BUK95 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
RF1S540 Harris Corporation RF1S540 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 100 28a (TC) 10 В 77mohm @ 17a, 10 В 4 В @ 250 мк 59 NC @ 10 V ± 20 В. 1450 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
BUK754R0-55B,127 NXP USA Inc. BUK754R0-55B, 127 0,7700
RFQ
 ECAD 959 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 55 75A (TC) 10 В 4mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 86 NC @ 10 V ± 20 В. 6776 PF @ 25 V - 300 м (TC)
IRFS59N10DTRLP International Rectifier IRFS59N10DTRLP -
RFQ
 ECAD 4464 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 100 59a (TC) 25mohm @ 35.4a, 10 ЕС 5,5 В @ 250 мк 114 NC @ 10 V ± 30 v 2450 pf @ 25 v - 3,8 Вт (TA), 200 st (TC)
IPA60R299CP Infineon Technologies IPA60R299CP -
RFQ
 ECAD 9069 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-31 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 600 11a (TC) 10 В 299mohm @ 6,6a, 10v 3,5 - @ 440 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1100 pf @ 100 v - 33 Вт (TC)
NTBLS001N06C onsemi NTBLS001N06C 7.3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powersfn NTBLS001 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-HPT - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 51A (TA), 422A (TC) 6 В, 10 В. 0,9 м 4в @ 562 мка 143 NC @ 10 V ± 20 В. 11575 PF @ 30 V - 4,2W (TA), 284W (TC)
FDBL86063 onsemi FDBL86063 6.9300
RFQ
 ECAD 286 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powersfn FDBL8606 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-HPT СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 240A (TC) 10 В 2,6mohm @ 80a, 10v 4 В @ 250 мк 95 NC @ 10 V ± 20 В. 5120 pf @ 50 v - 357W (TJ)
NTTFS5D1N06HLTAG onsemi Nttfs5d1n06hltag 1.8200
RFQ
 ECAD 1882 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn NTTFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WDFN (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 60 18A (TA), 78A (TC) 4,5 В, 10. 5,2 мома @ 16a, 10 В 2V @ 80 мк 22,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1610 pf @ 30 v - 3,2 yt (ta), 63 yt (tc)
SVD5865NLT4G onsemi SVD5865NLT4G 0,3613
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SVD5865 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 10a (ta), 46a (TC) 4,5 В, 10. 16mohm @ 19a, 10v 2 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 3,1 yt (ta), 71 st (tc)
NDCTR08120A onsemi NDCTR08120A 3.1938
RFQ
 ECAD 2128 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен NDCTR08120 - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 488-NDCTR08120ATR 3000 -
NVTFS6H854NLTAG onsemi NVTFS6H854NLTAG 0,6096
RFQ
 ECAD 1448 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn NVTFS6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WDFN (3,3x3,3) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NVTFS6H854NLTAGTR Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 80 10a (ta), 41a (TC) 4,5 В, 10. 13.4mohm @ 10a, 10v 2 w @ 45 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. 902 PF @ 40 V - 3,2 yt (ta), 54W (TC)
NTS4001NT3G onsemi NTS4001NT3G 0,4300
RFQ
 ECAD 1411 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 NTS4001 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-70-3 (SOT323) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NTS4001NT3GTR Ear99 8541.21.0095 10000 N-канал 30 270 май (таблица) 2,5 В, 4 В. 1,5 ОМ @ 10ma, 4 В 1,5 -пр. 100 мк 1.3 NC @ 5 V ± 20 В. 33 pf @ 5 v - 330 мг (таблица)
RM80N60DF Rectron USA RM80N60DF 0,5500
RFQ
 ECAD 2083 0,00000000 Rectron USA - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM80N60DFTR 8541.10.0080 40 000 N-канал 60 80a (TC) 4,5 В, 10. 4mohm @ 40a, 10v 2,4 В @ 250 мк ± 20 В. 4000 pf @ 30 v - 85W (TC)
RM8N700LD Rectron USA RM8N700LD 0,4700
RFQ
 ECAD 1520 0,00000000 Rectron USA - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM8N700LD 8541.10.0080 4000 N-канал 700 8a (TC) 10 В 600mohm @ 4a, 10v 4 В @ 250 мк ± 30 v 590 pf @ 50 v - 69 Вт (TC)
RM17N800T2 Rectron USA RM17N800T2 1.5300
RFQ
 ECAD 9008 0,00000000 Rectron USA - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM17N800T2 8541.10.0080 5000 N-канал 800 В 17a (TA) 10 В 320mom @ 8.5a, 10 В 4 В @ 250 мк ± 30 v 2060 pf @ 50 v - 260 Вт (ТС)
RM5N150S8 Rectron USA RM5N150S8 0,4000
RFQ
 ECAD 8016 0,00000000 Rectron USA - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM5N150S8 8541.10.0080 300 N-канал 150 4.6a (TA) 4,5 В, 10. 75mohm @ 5a, 10v 3 В @ 250 мк ± 20 В. 625 PF @ 75 V - 3,1 yt (tat)
RM3400 Rectron USA RM3400 0,4100
RFQ
 ECAD 7462 0,00000000 Rectron USA - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM3400TR 8541.10.0080 30 000 N-канал 30 5.8a (TA) 2,5 В, 10 В. 41mohm @ 5,8a, 10 В 1,4 В @ 250 мк ± 12 В. 820 pf @ 15 v - 1,4 yt (tat)
RM130N100HD Rectron USA RM130N100HD 0,7000
RFQ
 ECAD 4397 0,00000000 Rectron USA - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM130N100HDTR 8541.10.0080 8000 N-канал 100 130a (TC) 10 В 5,5mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк ± 20 В. 4570 PF @ 25 V - 120 Вт (TC)
RJK0331DPB-01#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0331DPB-01#J0 1.0000
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 40a (TA) 3,4mohm @ 20a, 10v - 22 NC @ 4,5 3380 PF @ 10 V - 50 yt (tc)
BUK7508-55A,127 NXP USA Inc. BUK7508-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 6763 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 55 75A (TA) 8mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 76 NC @ 0 V ± 20 В. 4352 PF @ 25 V - 254W (TA)
IRFR13N20DPBF-IR International Rectifier IRFR13N20DPBF-IR -
RFQ
 ECAD 3841 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 200 13a (TC) 235mohm @ 8a, 10v 5,5 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 30 v 830 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
CMS35P06D-HF Comchip Technology CMS35P06D-HF -
RFQ
 ECAD 8440 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 CMS35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CMS35P06D-HFTR Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 35A (TC) 4,5 В, 10. 28mohm @ 20a, 10v 2,5 -50 мк 43,8 NC @ 10 V ± 20 В. 2595 PF @ 25 V - 2W (TA), 72,6 st (TC)
STD16N60M6 STMicroelectronics STD16N60M6 2.4400
RFQ
 ECAD 1228 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M6 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STD16 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 12a (TC) 10 В 320MOHM @ 6A, 10V 4,75 Е @ 250 мк 16,7 NC @ 10 V ± 25 В 575 pf @ 100 v - 110 yt (tc)
BUK7909-75AIE,127 NXP USA Inc. Buk7909-75aie, 127 0,9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. * Трубка Актифен Buk79 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
IRF614BFP001 Fairchild Semiconductor IRF614BFP001 1.0000
RFQ
 ECAD 7644 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 250 2.8a (TC) 2OM @ 1,4a, 10 В 4 В @ 250 мк 10,5 NC @ 10 V ± 30 v 275 PF @ 25 V - 40 yt (tc)
STB8N50ET4 onsemi STB8N50et4 1.4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть