SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
NTD78N03R-035 onsemi NTD78N03R-035 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1
PMZB420UN NXP USA Inc. PMZB420UN -
RFQ
 ECAD 9917 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 1
IRF7821PBF Infineon Technologies IRF7821PBF -
RFQ
 ECAD 3917 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер SP001566368 Ear99 8541.29.0095 3800 N-канал 30 13.6a (TA) 4,5 В, 10. 9.1mohm @ 13a, 10v 1В @ 250 мк 14 NC @ 4,5 ± 20 В. 1010 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
IXTA300N04T2-7 IXYS IXTA300N04T2-7 5.2412
RFQ
 ECAD 2233 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) IXTA300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 (IXTA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 300A (TC) 10 В 2,5mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 145 NC @ 10 V ± 20 В. 10700 pf @ 25 v - 480 yt (tc)
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0,6300
RFQ
 ECAD 2854 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SC-70-6 SQA401 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SC-70-6 Сингл СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3.75a (TC) 2,5 В, 4,5 В. 125mohm @ 2,4a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 5,5 NC @ 4,5 ± 12 В. 330 pf @ 10 v - 13,6 st (TC)
6HN04MH-TL-E onsemi 6HN04MH-TL-E 0,0700
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 3000
IRFR24N10D Vishay Siliconix IRFR24N10D -
RFQ
 ECAD 1847 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Irfr24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK - Rohs 1 (neograniчennnый) *IRFR24N10D Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 100 - - - - -
AOTF14N50FD Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF14N50FD -
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 500 14a (TC) 10 В 470MOHM @ 7A, 10V 4 В @ 250 мк 47 NC @ 10 V ± 30 v 2010 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
PJD8NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD8NA50_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 6138 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PJD8N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 3757-PJD8NA50_L2_00001DKR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 500 8a (TA) 10 В 900mohm @ 4a, 10 В 4 В @ 250 мк 16,2 NC @ 10 V ± 30 v 826 PF @ 25 V - 130 Вт (TC)
TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G 15.1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 38a (TC) 10 В 99mohm @ 11.7a, 10v 4 В @ 250 мк 62 NC @ 10 V ± 30 v 2587 pf @ 100 v - 329W (TC)
NTD5865NT4G onsemi NTD5865NT4G -
RFQ
 ECAD 8423 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD58 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 43a (TC) 10 В 18mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 1261 PF @ 25 V - 71 Вт (TC)
BUK9Y53-100B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y53-100B, 115 1.1000
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 BUK9Y53 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 100 23a (TC) 4,5 В, 10. 49mohm @ 10a, 10v 2V @ 1MA 18 NC @ 5 V ± 15 В. 2130 pf @ 25 v - 75W (TC)
AON6448L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6448L -
RFQ
 ECAD 9911 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON644 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) - 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 80 11A (TA), 65A (TC) 7 В, 10 В. 9,6mohm @ 10a, 10 В 3,7 В @ 250 мк 53 NC @ 10 V ± 25 В 3100 pf @ 40 v - 2,5 yt (ta), 83 yt (tc)
AOD409_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD409_001 -
RFQ
 ECAD 7144 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 AOD40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 (DPAK) - 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 26a (TC) 4,5 В, 10. 40mohm @ 20a, 10v 2,4 В @ 250 мк 54 NC @ 10 V ± 20 В. 3600 pf @ 30 v - 2,5 yt (ta), 60 yt (tc)
R6018JNXC7G Rohm Semiconductor R6018JNXC7G 5.0700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R6018 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 18а (TC) 15 286mohm @ 9a, 15v 7 В @ 4,2 мая 42 NC @ 15 V ± 30 v 1300 pf @ 100 v - 72W (TC)
IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies Iaus165n08s5n029atma1 4.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, krыlo чaйky Iaus165 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HSOG-8-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 80 165a (TC) 6 В, 10 В. 2,9mohm @ 80a, 10 В 3,8 В @ 108 мка 90 NC @ 10 V ± 20 В. 6370 pf @ 40 v - 167W (TC)
PJD25N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD25N04-AU_L2_000A1 0,2301
RFQ
 ECAD 3267 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PJD25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 3757-PJD25N04-AU_L2_000A1TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 5.9a (ta), 21a (TC) 4,5 В, 10. 32mohm @ 12a, 10 В 2,5 -50 мк 4,4 NC @ 4,5 ± 20 В. 425 PF @ 25 V - 2,4 yt (ta), 30 yt (tc)
IXFH30N50Q3 IXYS IXFH30N50Q3 13,7000
RFQ
 ECAD 288 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер -IXFH30N50Q3 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 500 30А (TC) 10 В 200 месяцев @ 15a, 10 В 6,5 w @ 4ma 62 NC @ 10 V ± 20 В. 3200 PF @ 25 V - 690 yt (TC)
APT17F120J Microchip Technology APT17F120J 34.0700
RFQ
 ECAD 9357 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 8 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc APT17F120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isotop® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 1200 18а (TC) 10 В 580MOHM @ 14A, 10V 5 w @ 2,5 мая 300 NC @ 10 V ± 30 v 9670 PF @ 25 V - 545W (TC)
MTP75N06HD onsemi MTP75N06HD 1.0700
RFQ
 ECAD 9803 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2156-MTP75N06HD Ear99 8541.29.0095 1
IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPI120N06S402AKSA2 2.3590
RFQ
 ECAD 3065 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IPI120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 60 120A (TC) 10 В 2,8mohm @ 100a, 10 В 4в @ 140 мк 195 NC @ 10 V ± 20 В. 15750 PF @ 25 V - 188W (TC)
IRFBA90N20DPBF Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF -
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-273AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Super-220 ™ (TO-273AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 200 98a (TC) 10 В 23mohm @ 59a, 10v 5 w @ 250 мк 240 NC @ 10 V ± 30 v 6080 pf @ 25 v - 650 Вт (TC)
NTTFS5826NLTAG onsemi NTTFS5826NLTAG 0,8500
RFQ
 ECAD 7800 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn NTTFS5826 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WDFN (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 60 8a (TA) 4,5 В, 10. 24mohm @ 7,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 850 pf @ 25 v - 3,1 yt (ta), 19 st (tc)
DMN601TK-7 Diodes Incorporated DMN601TK-7 0,3700
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 DMN601 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 300 май (таблица) 5 В, 10 В. 2OM @ 500 мА, 10 В 2,5 h @ 1ma ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 150 м. (ТАК)
NTMFS4108NT1G onsemi NTMFS4108NT1G -
RFQ
 ECAD 5514 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 13.5a (TA) 4,5 В, 10. 2,2mohm @ 21a, 10 В 2,5 -50 мк 54 NC @ 4,5 ± 20 В. 6000 pf @ 15 v - 1,1 мкт (ТА), 96,2 th (TC)
IRLR8503 Infineon Technologies IRLR8503 -
RFQ
 ECAD 3891 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер *IRLR8503 Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 44a (TC) 4,5 В, 10. 16mohm @ 15a, 10v 3 В @ 250 мк 20 NC @ 5 V ± 20 В. 1650 PF @ 25 V - 62W (TC)
STE48NM50 STMicroelectronics Ste48nm50 30.5400
RFQ
 ECAD 3141 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Трубка Актифен 150 ° C (TJ) ШASCI Иотоп Ste48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isotop® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 550 48a (TC) 10 В 100mohm @ 24a, 10 В 5 w @ 250 мк 117 NC @ 10 V ± 30 v 3700 PF @ 25 V - 450 Вт (TC)
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0,4700
RFQ
 ECAD 2398 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3429 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 8a (ta), 8a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 21mohm @ 4a, 4,5 1В @ 250 мк 118 NC @ 10 V ± 8 v 4085 pf @ 50 v - 4,2 м (TC)
3LP03M-TL-E onsemi 3LP03M-TL-E -
RFQ
 ECAD 2551 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° С Пефер SC-70, SOT-323 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 3-MCP - Rohs Продан 2156-3LP03M-TL-E-488 1 П-канал 30 250 май (таблица) 1,5 В, 4 В 1.9OM @ 120MA, 4V 1,4 - @ 100 мк 0,8 NC @ 4 V -10 40 pf @ 10 v - 150 м. (ТАК)
NTP75N03L09 onsemi NTP75N03L09 -
RFQ
 ECAD 5202 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 NTP75N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Додер NTP75N03L09OS Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 75A (TC) 5в 8mohm @ 37.5a, 5V 2 В @ 250 мк 75 NC @ 5 V ± 20 В. 5635 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 125 yt (tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть