SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
NVD6415ANLT4G onsemi NVD6415ANLT4G -
RFQ
 ECAD 3183 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NVD641 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 23a (TC) 4,5 В, 10. 52mohm @ 10a, 10v 2 В @ 250 мк 20 NC @ 4,5 ± 20 В. 1024 PF @ 25 V - 83W (TC)
FDD9409 Fairchild Semiconductor FDD9409 -
RFQ
 ECAD 6158 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен FDD940 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1 -
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated DMP10H400SK3-13 0,6400
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 DMP10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 100 9А (TC) 4,5 В, 10. 240mohm @ 5a, 10 В 3 В @ 250 мк 17,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1239 PF @ 25 V - 42W (TC)
IPI65R280C6XKSA1 Infineon Technologies IPI65R280C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2239 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IPI65R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 650 13.8a (TC) 10 В 280mohm @ 4.4a, 10 3,5 - @ 440 мк 45 NC @ 10 V ± 20 В. 950 pf @ 100 v - 104W (TC)
IRF540N_R4942 onsemi IRF540N_R4942 -
RFQ
 ECAD 2269 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF54 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 33a (TC) 10 В 40mohm @ 33a, 10v 4 В @ 250 мк 79 NC @ 20 V ± 20 В. 1220 PF @ 25 V - 120 Вт (TC)
IXTA80N075L2 IXYS IXTA80N075L2 13.9200
RFQ
 ECAD 327 0,00000000 Ixys Илинген L2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -IXTA80N075L2 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 75 80a (TC) 10 В 24mohm @ 40a, 10 В 4,5 -50 мк 103 NC @ 10 V ± 20 В. 3600 pf @ 25 v - 357W (TC)
UPA1803GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1803GR-9JG-E1-A 0,5132
RFQ
 ECAD 4894 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 8a (TA) 12mohm @ 4a, 10v 2,5 h @ 1ma 36 NC @ 10 V 1880 PF @ 10 V -
PXAC243502FV-V1-R0 Wolfspeed, Inc. PXAC243502FV-V1-R0 172.5660
RFQ
 ECAD 8758 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Полески Актифен 65 Пефер H-37275-4 PXAC243502 2,4 -е LDMOS H-37275-4 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) Ear99 8542.33.0001 35 - 850 май 68 Вт 15 дБ - 28
PJA138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJA138K_R1_00001 0,2100
RFQ
 ECAD 315 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA138 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 50 500 май (таблица) 2,5 В, 10 В. 1,6от @ 500 май, 10 1,5 В @ 250 мк 1 NC @ 4,5 ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 500 мг (таблица)
SPI07N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPI07N65C3XKSA1 0,9000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 650 7.3a (TC) 10 В 600 мм @ 4,6a, 10 3,9 В @ 350 мк 27 NC @ 10 V ± 20 В. 790 PF @ 25 V - 83W (TC)
BLM9D2327-26BZ Ampleon USA Inc. BLM9D2327-26BZ 28.0000
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 28 Пефер 20-qfn otkrыtaiNaiN-o BLM9 2,3 -ggц ~ 2,7gц LDMOS 20-pqfn (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 1,4 мка 76 май 44,9dbm 27 ДБ - 28
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 1.4600
RFQ
 ECAD 5077 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn IPG20N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 41 Вт PG-TDSON-8-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 2 n-канал (Дзонано) 40 20 часов 12.2mohm @ 17a, 10v 4 w @ 15 мк 18NC @ 10V 1470pf @ 25V -
SH8M13GZETB Rohm Semiconductor SH8M13GZETB 0,4645
RFQ
 ECAD 8959 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SH8M13 - 2W 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 6А, 7а 29mohm @ 7a, 10v 2,5 h @ 1ma 18NC @ 5V 1200pf @ 10 a. -
NTD20N03L27T4 onsemi NTD20N03L27T4 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 20А (тат) 27mohm @ 10a, 5v 2 В @ 250 мк 18,9 NC @ 10 V 1260 PF @ 25 V -
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R360PFD7SAUMA1 1.4100
RFQ
 ECAD 9676 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ PFD7 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD60R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-344 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 10a (TC) 10 В 360mohm @ 2,9a, 10 4,5 В @ 140 мк 12,7 NC @ 10 V ± 20 В. 534 PF @ 400 - 43 Вт (TC)
TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N08CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3900 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TSM80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 75 80a (TC) 10 В 8mohm @ 40a, 10v 4 В @ 250 мк 91,5 NC @ 10 V ± 20 В. 3905 PF @ 30 V - 113,6 yt (tc)
SD2931-15W STMicroelectronics SD2931-15W 70.7850
RFQ
 ECAD 6725 0,00000000 Stmicroelectronics * МАССА Актифен SD2931 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25
SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3 2.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SUD35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 35A (TC) 7 В, 10 В. 26mohm @ 12a, 10v 4,4 -50 мк 47 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 pf @ 12 v - 8,3 yt (ta), 83 yt (tc)
AO3160_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3160_001 -
RFQ
 ECAD 5333 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Прохл -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AO3160 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23A-3 - DOSTISH 785-AO3160_001 1 N-канал 600 40 май (тат) 4,5 В, 10. 500OM @ 16MA, 10 В 3,2 - @ 8 мка 1,5 NC @ 10 V ± 20 В. 15 PF @ 25 V - 1,39 yt (tat)
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1230 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SK2035 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SSM - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 100 май (таблица) 2,5 В. 12OM @ 10MA, 2,5 В - 10 В 8,5 PF @ 3 V - 100 март (таблица)
CSD25404Q3 Texas Instruments CSD25404Q3 1.1500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn CSD25404 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-VSONP (3x3.15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 20 104a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 6,5mohm @ 10a, 4,5 1,15 Е @ 250 мк 14,1 NC @ 4,5 ± 12 В. 2120 pf @ 10 v - 2,8 Вт (ТА), 96 Вт (ТС)
PJMF280N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF280N60E1_T0_00001 2.3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка PJMF280 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220ab-f СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 3757-PJMF280N60E1_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 13.8a (TC) 10 В 280mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 27 NC @ 10 V ± 30 v 926 pf @ 400 - 34W (TC)
SUD35N05-26L-E3 Vishay Siliconix SUD35N05-26L-E3 -
RFQ
 ECAD 6918 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SUD35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 55 35A (TC) 4,5 В, 10. 20mohm @ 20a, 10 В 1в @ 250 мка (мин) 13 NC @ 5 V ± 20 В. 885 PF @ 25 V - 7,5 yt (ta), 50 st (tc)
FDS4080N7 onsemi FDS4080N7 -
RFQ
 ECAD 2962 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). FDS40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОВАР ФЛМП СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 13a (TA) 10 В 10mohm @ 13a, 10 В 5 w @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1750 PF @ 20 V - 3,9 yt (tat)
SI4413ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4413ady-T1-E3 2.2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4413 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 10.5a (TA) 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 13a, 10v 3 В @ 250 мк 95 NC @ 5 V ± 20 В. - 1,5 yt (tat)
KFC4B21210L Nuvoton Technology Corporation KFC4B21210L 0,2470
RFQ
 ECAD 6636 0,00000000 Nuvoton Technology Corporation Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 4-xflga, CSP KFC4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 370 м 4-CSP (1,29x1,29) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 816-KFC4B21210LTR Ear99 8541.21.0095 20 000 - 12 4.7a (TA) 14,5 мом @ 2,3а, 4,5 1,4 В @ 310 мка 9.4nc @ 4V 1140pf @ 10v Станода
NP75N04VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc Np75n04vuk-e1-ay 1.2600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NP75N04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 (MP-3ZP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 75A (TC) 10 В 5,7 мома @ 38a, 10 В 4 В @ 250 мк 45 NC @ 10 V ± 20 В. 2400 pf @ 25 v - 1,2 yt (ta), 75 yt (tc)
IPD50P04P4L11AUMA2 Infineon Technologies IPD50P04P4L11AUMA2 -
RFQ
 ECAD 4881 0,00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-313 - Управо 1 П-канал 40 50a (TC) 4,5 В, 10. 10,6mohm @ 50a, 10 В 2.2V @ 85 мк 59 NC @ 10 V +5V, -16V 3900 pf @ 25 v - 58 Вт (TC)
AOTF7N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF7N60 0,5560
RFQ
 ECAD 9461 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 7A (TC) 10 В 1,2 в 3,5а, 10 В 4,5 -50 мк 28 NC @ 10 V ± 30 v 1035 PF @ 25 V - 38,5 м (TC)
ECH8662-TL-H onsemi ECH8662-TL-H -
RFQ
 ECAD 7191 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. Ech8662 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,5 8-ech СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 40 6,5а 30mohm @ 3,5a, 4,5 - 12NC @ 4,5 1130pf @ 20v Logiчeskichй yrowenhe
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть