SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1 42.4400
RFQ
 ECAD 7547 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Coolsic ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Sicfet (kremniewый karbid) PG-TO247-3-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 52a (TC) 18В 46mohm @ 25a, 18v 5,7 В @ 10MA 59 NC @ 18 V +23, -7V 2130 pf @ 800 v - 228W (TC)
FQD3N30TF Fairchild Semiconductor FQD3N30TF 0,2900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 300 2.4a (TC) 10 В 2,2 О МОМ @ 1,2A, 10 В 5 w @ 250 мк 7 NC @ 10 V ± 30 v 230 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 30 yt (tc)
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix Siud412ed-t1-ge3 0,5100
RFQ
 ECAD 137 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 0806 Siud412 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 0806 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 12 500 май (TC) 1,2 В, 4,5 В. 340mom @ 500ma, 4,5 900 мВ @ 250 мк 0,71 NC @ 4,5 ± 5 В. 21 pf @ 6 v - 1,25 мкт (таблица)
IXFA16N50P IXYS IXFA16N50P 3.6441
RFQ
 ECAD 6375 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXFA16 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-263AA (IXFA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 16a (TC) 10 В 400mohm @ 8a, 10 В 5,5 Е @ 2,5 мая 43 NC @ 10 V ± 30 v 2250 pf @ 25 v - 300 м (TC)
PHP75NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP75NQ08T, 127 -
RFQ
 ECAD 6949 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PHP75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 75 75A (TC) 10 В 13mohm @ 25a, 10v 4 В @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1985 PF @ 25 V - 157 Вт (ТС)
RM70P40LD Rectron USA RM70P40LD 0,3800
RFQ
 ECAD 7749 0,00000000 Rectron USA - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-RM70P40LD 8541.10.0080 4000 П-канал 40 70A (TC) 10 В 10mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк ± 20 В. 5380 pf @ 20 v - 130 Вт (TC)
ECH8662-TL-HX onsemi ECH8662-TL-HX -
RFQ
 ECAD 2820 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Ech8662 - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 3000 -
SIJH5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH5100E-T1-GE3 6.0000
RFQ
 ECAD 8964 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 8 x 8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 8 x 8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 28A (TA), 277A (TC) 7,5 В, 10. 1,89MOHM @ 20A, 10 В 4 В @ 250 мк 128 NC @ 10 V ± 20 В. 6900 pf @ 50 v - 3,3 Вт (ТА), 333W (TC)
SI4814BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2310 0,00000000 Виаликоеникс Little Foot® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4814 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 3,3 м. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 2 н-канала 30 10А, 10,5а 18mohm @ 10a, 10 В 3 В @ 250 мк 10NC @ 4,5 - Logiчeskichй yrowenhe
YJD80G06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD80G06A 0,6600
RFQ
 ECAD 7665 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 80a (TC) 4,5 В, 10. 8mohm @ 20a, 10v 2,2 pri 250 мк 31 NC @ 10 V ± 20 В. 1990 PF @ 30 V - 85W (TC)
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI233333DDS-T1-GE3 0,4200
RFQ
 ECAD 8990 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 6А (TC) 1,5 В, 4,5 В. 28mohm @ 5a, 4,5 1В @ 250 мк 35 NC @ 8 V ± 8 v 1275 PF @ 6 V - 1,2 yt (ta), 1,7 yt (tc)
NX7002AK.215 NXP USA Inc. NX7002AK.215 1.0000
RFQ
 ECAD 9268 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1
SI3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3410DV-T1-GE3 0,8300
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3410 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 8a (TC) 4,5 В, 10. 19,5mohm @ 5a, 10v 3 В @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 1295 PF @ 15 V - 2w (ta), 4,1 st (tc)
IXTT68P20T IXYS Ixtt68p20t 20.6800
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Ixys Renchp ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixtt68 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 П-канал 200 68a (TC) 10 В 55mohm @ 34a, 10v 4 В @ 250 мк 380 NC @ 10 V ± 15 В. 33400 PF @ 25 V - 568W (TC)
TSM2537CQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM2537CQ 0,5543
RFQ
 ECAD 8608 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN TSM2537 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6,25 6-tdfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM2537CQTR Ear99 8541.29.0095 12 000 N и п-канал 20 11.6A (TC), 9A (TC) 30mohm @ 6,4a, 4,5 -в, 55mohm @ 5a, 4,5 1В @ 250 мк 9.1NC @ 4,5V, 9,8NC @ 4,5V 677pf @ 10v, 744pf @ 10v Logiчeskiй yrowennah hurowne, privod 1,8 В
RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor RQ3E100GNTB 0,4500
RFQ
 ECAD 1727 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn RQ3E100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-HSMT (3,2x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 10А (таблица) 4,5 В, 10. 11,7mohm @ 10a, 10v 2,5 h @ 1ma 7,9 NC @ 10 V ± 20 В. 420 pf @ 15 v - 2W (TA), 15W (TC)
NTE2371 NTE Electronics, Inc NTE2371 8.0600
RFQ
 ECAD 203 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2371 Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 100 19a (TC) 10 В 200 месяцев @ 11A, 10V 4 В @ 250 мк 61 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
NVGS3443T1G onsemi NVGS3443T1G -
RFQ
 ECAD 3945 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 NVGS3443 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3.1a (TA) 65mohm @ 4,4a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 15 NC @ 4,5 565 PF @ 5 V - -
IRF3709STRLPBF International Rectifier IRF3709Strlpbf 1.0000
RFQ
 ECAD 8735 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 30 90A (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 15a, 10v 3 В @ 250 мк 41 NC @ 5 V ± 20 В. 2672 pf @ 16 v - 3,1 Вт (ТА), 120 Вт (TC)
SQD15N06-42L_GE3 Vishay Siliconix SQD15N06-42L_GE3 1.0300
RFQ
 ECAD 830 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SQD15 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 15a (TC) 4,5 В, 10. 42mohm @ 10a, 10v 2,5 -50 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 535 PF @ 25 V - 37W (TC)
IRL8113PBF-IR International Rectifier IRL8113PBF-IR -
RFQ
 ECAD 8581 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 30 105A (TC) 4,5 В, 10. 6mohm @ 21a, 10v 2,25 -пр. 250 мк 35 NC @ 4,5 ± 20 В. 2840 PF @ 15 V - 110 yt (tc)
HUF75309T3ST onsemi HUF75309T3ST -
RFQ
 ECAD 9254 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA HUF75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223-4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 55 3a (TA) 10 В 70mohm @ 3a, 10v 4 В @ 250 мк 23 NC @ 20 V ± 20 В. 352 PF @ 25 V - 1,1 yt (tat)
IXTP44N25T IXYS Ixtp44n25t -
RFQ
 ECAD 1837 0,00000000 Ixys Поящь Трубка Актифен - Чereз dыru 220-3 IXTP44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 44a (TC) - - - -
UPA2383T1P-E1-A#YK1 Renesas Electronics America Inc UPA2383T1P-E1-A#YK1 -
RFQ
 ECAD 9044 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Поднос Управо UPA2383 - - 559 UPA2383T1P-E1-A#YK1 Управо 1 -
BLF8G20LS-140VJ Ampleon USA Inc. BLF8G20LS-140VJ -
RFQ
 ECAD 4433 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-1244B 1,81 ~ 1,88 гг. LDMOS CDFM6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934068306118 Ear99 8541.29.0095 100 - 900 млн 35 Вт 18,5db - 28
SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4850EY-T1_GE3 1.3700
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SQ4850 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 12a (TC) 4,5 В, 10. 22mohm @ 6a, 5v 2,5 -50 мк 30 NC @ 10 V ± 20 В. 1250 pf @ 25 v - 6,8 Вт (TC)
SCH1410-TL-E onsemi SCH1410-TL-E 1.0000
RFQ
 ECAD 1334 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 5000
FDD5N50TM-WS onsemi FDD5N50TM-WS 0,9400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FDD5N50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 500 4a (TC) 10 В 1,4om @ 2a, 10v 5 w @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 30 v 640 PF @ 25 V - 40 yt (tc)
IRF1404STRLPBF Infineon Technologies IRF1404strlpbf 2.8400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF1404 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 162a (TC) 10 В 4mohm @ 95a, 10v 4 В @ 250 мк 200 NC @ 10 V ± 20 В. 7360 PF @ 25 V - 3,8 Вт (TA), 200 st (TC)
BLF7G20L-90P,118 Ampleon USA Inc. BLF7G20L-90P, 118 -
RFQ
 ECAD 5774 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-1121A BLF7G20 1,81 ~ 1,88 гг. LDMOS Лд СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934064087118 Ear99 8541.29.0095 100 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК 18:00 550 май 40 19.5db - 28
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть