SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 958 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI9407 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 4.7a (TC) 4,5 В, 10. 120mohm @ 3,2a, 10 В 3 В @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 600 pf @ 30 v - 5W (TC)
FDB0165N807L onsemi FDB0165N807L 8.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) FDB0165 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 80 310a (TC) 10 В 1,6mohm @ 36a, 10v 4 В @ 250 мк 304 NC @ 10 V ± 20 В. 23660 PF @ 40 V - 3,8 yt (ta), 300 st (tc)
PSMN8R9-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSEJ 1.2375
RFQ
 ECAD 2609 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB PSMN8R9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934660184118 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 75A (TA) 10 В 10mohm @ 25a, 1v 4 В @ 1MA 160 NC @ 10 V ± 20 В. 9488 PF @ 50 V - 296W (TA)
DMP3021SFVW-13 Diodes Incorporated DMP3021SFVW-13 0,6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP3021 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 11A (TA), 42A (TC) 5 В, 10 В. 15mohm @ 8a, 10v 2,5 -50 мк 34 NC @ 10 V ± 25 В 1799 PF @ 15 V - 1 yt (tta)
IRFR3709ZTRPBF Infineon Technologies IRFR3709ZTRPBF 0,9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR3709 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 30 86A (TC) 4,5 В, 10. 6,5mohm @ 15a, 10 В 2,25 -пр. 250 мк 26 NC @ 4,5 ± 20 В. 2330 pf @ 15 v - 79 Вт (ТС)
FCP20N60 onsemi FCP20N60 5.5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi Superfet ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FCP20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 20А (TC) 10 В 190mohm @ 10a, 10v 5 w @ 250 мк 98 NC @ 10 V ± 30 v 3080 pf @ 25 v - 208W (TC)
IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R116M2HXTMA1 5.7902
RFQ
 ECAD 9817 0,00000000 Infineon Technologies * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR 1000
FQI32N12V2TU Fairchild Semiconductor FQI32N12V2TU 0,5100
RFQ
 ECAD 592 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 592 N-канал 120 32A (TC) 10 В 50mohm @ 16a, 10 В 4 В @ 250 мк 53 NC @ 10 V ± 30 v 1860 PF @ 25 V - 3,75 мкт (та), 150 yt (tc)
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5L120ATMA1 0,6886
RFQ
 ECAD 6955 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TSDSON-8-33 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 46A (TJ) 4,5 В, 10. 12mohm @ 20a, 10v 2,2- 27 мк 22,6 NC @ 10 V ± 20 В. 1589 PF @ 50 V - 62W (TC)
IRLR8721PBF Infineon Technologies IRLR8721PBF -
RFQ
 ECAD 8037 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 65A (TC) 4,5 В, 10. 8,4mohm @ 25a, 10 В 2,35 В @ 25 мк 13 NC @ 4,5 ± 20 В. 1030 pf @ 15 v - 65W (TC)
AON4807_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807_101 -
RFQ
 ECAD 7562 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. AON480 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,9 Вт 8-DFN (3x2) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 30 4 а 68mohm @ 4a, 10v 2,3 В @ 250 мк 10NC @ 10V 290pf @ 15v -
VQ1004P Vishay Siliconix VQ1004P -
RFQ
 ECAD 4690 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо - - - VQ1004 - - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 - 830 май (таблица) 5 В, 10 В. - - ± 20 В. - -
NVD5865NLT4G onsemi NVD5865NLT4G -
RFQ
 ECAD 6722 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NVD586 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 10a (ta), 46a (TC) 4,5 В, 10. 16mohm @ 19a, 10v 2 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 3,1 yt (ta), 71 st (tc)
FQA10N80C onsemi FQA10N80C -
RFQ
 ECAD 4672 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 800 В 10a (TC) 10 В 1,1 ом @ 5a, 10 В 5 w @ 250 мк 58 NC @ 10 V ± 30 v 2800 pf @ 25 v - 240 Вт (TC)
SIHD6N65ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65ET1-GE3 0,7371
RFQ
 ECAD 5044 0,00000000 Виаликоеникс ЭN Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SIHD6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 650 7A (TC) 10 В 600mom @ 3a, 10 В 4 В @ 250 мк 48 NC @ 10 V ± 30 v 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
IRFZ48VPBF Infineon Technologies IRFZ48VPBF -
RFQ
 ECAD 2424 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 72A (TC) 10 В 12mohm @ 43a, 10v 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 1985 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
BLC10G27LS-320AVTY Ampleon USA Inc. BLC10G27LS-320AVTY 83 2200
RFQ
 ECAD 8835 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен ШASCI SOT1258-1 BLC10 SOT1258-1 - Rohs3 DOSTISH 934960096518 Ear99 8541.29.0075 100
IRL520LPBF Vishay Siliconix IRL520LPBF 0,6856
RFQ
 ECAD 6297 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IRL520 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 262-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *IRL520LPBF Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 9.2a (TC) 4 В, 5V 270mohm @ 5,5a, 5v 2 В @ 250 мк 12 NC @ 5 V ± 10 В. 490 PF @ 25 V - 60 yt (tc)
FQP5N80 Fairchild Semiconductor FQP5N80 1.0000
RFQ
 ECAD 9416 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 4.8a (TC) 10 В 2,6 ОМ @ 2,4a, 10 В 5 w @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 30 v 1250 pf @ 25 v - 140 Вт (TC)
IPP50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies IPP50N10S3L16AKSA1 -
RFQ
 ECAD 2811 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ipp50n МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 100 50a (TC) 4,5 В, 10. 15,7mohm @ 50a, 10 В 2,4- 60 мк 64 NC @ 10 V ± 20 В. 4180 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
IRLB3813PBF Infineon Technologies IRLB3813PBF 1.8700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRLB3813 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 260A (TC) 4,5 В, 10. 1,95mohm @ 60a, 10 В 2,35 В @ 150 мк 86 NC @ 4,5 ± 20 В. 8420 PF @ 15 V - 230W (TC)
WP4806025UH WAVEPIA.,Co.Ltd WP4806025UH 155,6000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Wabepia., Co.ltd - Коробка Актифен 160 Чereз dыru 360bh 5 Гер Ghanemet 360bh СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3140-WP4806025UH Ear99 8541.29.0075 2 - 100 май 25 Вт 18,9db - 48
DMP2900UV-7 Diodes Incorporated DMP2900UV-7 0,0974
RFQ
 ECAD 8254 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 DMP2900 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 мг (таблица) SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMP2900UV-7DI Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 850 май (таблица) 750mom @ 430 мА, 4,5 1В @ 250 мк 0,7NC пр. 4,5 49pf @ 16v -
APT8075BN Microsemi Corporation APT8075BN -
RFQ
 ECAD 6466 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS IV® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 800 В 13a (TC) 10 В 750Mom @ 6,5A, 10 В 4 В @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 30 v 2950 pf @ 25 v - 310W (TC)
STW13NK80Z STMicroelectronics STW13NK80Z -
RFQ
 ECAD 4178 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW13N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 800 В 12a (TC) 10 В 650MOHM @ 6A, 10V 4,5 -пр. 100 мк 155 NC @ 10 V ± 30 v 3480 PF @ 25 V - 230W (TC)
SIA917DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA917DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2807 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SC-70-6 Dual SIA917 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6,5 PowerPak® SC-70-6 Dual СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 4.5a 110mohm @ 2,5a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 9NC @ 10V 250pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
NTJD2152PT1 onsemi NTJD2152PT1 -
RFQ
 ECAD 8067 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 NTJD21 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 270 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH NTJD2152PT1OS Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 8в 775 май 300mohm @ 570ma, 4,5 1В @ 250 мк 4nc @ 4,5 225pf @ 8v Logiчeskichй yrowenhe
AOD2N100M Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD2N100M -
RFQ
 ECAD 9469 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо - - - AOD2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал - - - - - - -
FDS6162N3 onsemi FDS6162N3 -
RFQ
 ECAD 7602 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). FDS61 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОВАР ФЛМП СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 20 21a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 4,5mohm @ 21a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 73 NC @ 4,5 ± 12 В. 5521 PF @ 10 V - 3W (TA)
BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1 0,4200
RFQ
 ECAD 1384 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BSS138 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 280 мА (таблица) 4,5 В, 10. 3,5OM @ 200 мА, 10 В 1,4 w @ 26 мка 1,5 NC @ 10 V ± 20 В. 43 pf @ 25 v - 500 мг (таблица)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть