SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
SIHW47N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHW47N65E-GE3 -
RFQ
 ECAD 6900 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SIHW47 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 650 47a (TC) 10 В 72mohm @ 24a, 10 В 4 В @ 250 мк 273 NC @ 10 V ± 20 В. 5682 pf @ 100 v - 417W (TC)
IRF740 Vishay Siliconix IRF740 -
RFQ
 ECAD 6753 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF740 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 400 10a (TC) 10 В 550mom @ 6a, 10v 4 В @ 250 мк 63 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 125W (TC)
PJD4NA60_R2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA60_R2_00001 0,8900
RFQ
 ECAD 5438 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PJD4NA60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJD4NA60_R2_00001DKR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 600 4a (TA) 10 В 2.4om @ 2a, 10 В 4 В @ 250 мк 11,1 NC @ 10 V ± 30 v 450 pf @ 25 v - -
UPA1717G(0)-E1-AT Renesas Electronics America Inc Upa1717g (0) -e1 -at 0,7400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500
PMV48XP/ZLR Nexperia USA Inc. PMV48XP/ZLR -
RFQ
 ECAD 7040 0,00000000 Nexperia USA Inc. - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 П-канал 20 3.5a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 55mohm @ 2,4a, 4,5 1,25 В @ 250 мк 11 NC @ 4,5 ± 12 В. 1000 pf @ 10 v - 510 мт (TA), 4,15 st (TC)
C3M0350120D Wolfspeed, Inc. C3M0350120D 6.7300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 C3M0350120 Sicfet (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1697-C3M0350120D Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 7.6A (TC) 15 455mohm @ 3,6a, 15 3,6 В @ 1MA 19 NC @ 15 V +15, -4. 345 PF @ 1000 - 50 yt (tc)
STB9NK70Z-1 STMicroelectronics STB9NK70Z-1 -
RFQ
 ECAD 5086 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STB9N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 700 7.5A (TC) 10 В 1,2 ОМА @ 4A, 10 В 4,5 -пр. 100 мк 68 NC @ 10 V ± 30 v 1370 pf @ 25 v - 115W (TC)
IXTP4N60P IXYS Ixtp4n60p -
RFQ
 ECAD 6360 0,00000000 Ixys Polarhv ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ixtp4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 4a (TC) 10 В 2OM @ 2A, 10 В 5,5 - @ 100 мк 13 NC @ 10 V ± 30 v 635 PF @ 25 V - 89 Вт (ТС)
NTD4808N-1G onsemi NTD4808N-1G -
RFQ
 ECAD 1748 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА NTD4808 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 10a (ta), 63a (TC) 4,5 В, 11,5 В. 8mohm @ 30a, 10 В 2,5 -50 мк 13 NC @ 4,5 ± 20 В. 1538 PF @ 12 V - 1,4 yt (ta), 54,6 yt (tc)
PJQ5544-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5544-AU_R2_002A1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn PJQ5544 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 24a (ta), 130a (TC) 4,5 В, 10. 3,3mohm @ 20a, 10 В 2,3 -прри 50 мк 41 NC @ 10 V ± 20 В. 2851 PF @ 25 V - 3,3 yt (ta), 100 yt (tc)
IXFN64N50PD2 IXYS Ixfn64n50pd2 -
RFQ
 ECAD 5929 0,00000000 Ixys Polarhv ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixfn64 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 500 52a (TC) 10 В 85MOHM @ 32A, 10 В 5 w @ 8ma 186 NC @ 10 V ± 30 v 11000 pf @ 25 v - 625W (TC)
BLF184XRGQ Ampleon USA Inc. BLF184XRGQ 166.6050
RFQ
 ECAD 1709 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Трубка В аспекте 135 ШASCI SOT-1214C BLF184 108 мг LDMOS SOT1214C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 24 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК - 100 май 700 Вт 23,9db - 50
FCH023N65S3-F155 onsemi FCH023N65S3-F155 -
RFQ
 ECAD 9454 0,00000000 OnSemi Superfet® III Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 FCH023 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 75A (TC) 10 В 23mohm @ 37.5a, 10v 4,5- прри 7,5 мая 222 NC @ 10 V ± 30 v 7160 PF @ 400 - 595 yt (tc)
APT34F60BG Microsemi Corporation Apt34f60bg -
RFQ
 ECAD 9484 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8 ™ Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 34a (TC) 10 В 210mohm @ 17a, 10 В 5V @ 1MA 165 NC @ 10 V ± 30 v 6640 PF @ 25 V - 624W (TC)
IRF614L Vishay Siliconix IRF614L -
RFQ
 ECAD 2502 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IRF614 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 262 - Rohs 1 (neograniчennnый) *IRF614L Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 2.7a (TC) 10 В 2OM @ 1,6A, 10 В 4 В @ 250 мк 8.2 NC @ 10 V ± 20 В. 140 pf @ 25 v - -
MRF7S19100NR1 NXP USA Inc. MRF7S19100NR1 -
RFQ
 ECAD 1651 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 Пефер ДО-270AB MRF7 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS 270 WB-4 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 935322766528 Ear99 8541.29.0075 500 - 1 а 29w 17,5db - 28
IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies Irll024ztrpbf 0,8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA IRLL024 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 55 5А (TC) 4,5 В, 10. 60mohm @ 3a, 10v 3 В @ 250 мк 11 NC @ 5 V ± 16 В. 380 pf @ 25 v - 1 yt (tta)
IRFR110TRLPBF Vishay Siliconix IRFR110TRLPBF 1.3900
RFQ
 ECAD 3865 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR110 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 4.3a (TC) 10 В 540mom @ 2,6a, 10v 4 В @ 250 мк 8.3 NC @ 10 V ± 20 В. 180 pf @ 25 v - 25 yt (tc)
FDB4020P onsemi FDB4020P -
RFQ
 ECAD 8483 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FDB402 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 20 16a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 80mohm @ 8a, 4,5 1В @ 250 мк 13 NC @ 4,5 ± 8 v 665 PF @ 10 V - 37,5 м (TC)
IRF6648TR1PBF Infineon Technologies IRF6648TR1PBF -
RFQ
 ECAD 5251 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DirectFet ™ IзOTRIGHYSKIй MN МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DirectFet ™ Mn СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 86A (TC) 10 В 7mohm @ 17a, 10 В 4,9 В @ 150 мк 50 NC @ 10 V ± 20 В. 2120 PF @ 25 V - 2,8 yt (ta), 89 yt (tc)
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-E3 1.3900
RFQ
 ECAD 958 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI9407 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 4.7a (TC) 4,5 В, 10. 120mohm @ 3,2a, 10 В 3 В @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 600 pf @ 30 v - 5W (TC)
FDB0165N807L onsemi FDB0165N807L 8.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) FDB0165 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 80 310a (TC) 10 В 1,6mohm @ 36a, 10v 4 В @ 250 мк 304 NC @ 10 V ± 20 В. 23660 PF @ 40 V - 3,8 yt (ta), 300 st (tc)
PSMN8R9-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSEJ 1.2375
RFQ
 ECAD 2609 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB PSMN8R9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934660184118 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 75A (TA) 10 В 10mohm @ 25a, 1v 4 В @ 1MA 160 NC @ 10 V ± 20 В. 9488 PF @ 50 V - 296W (TA)
DMP3021SFVW-13 Diodes Incorporated DMP3021SFVW-13 0,6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP3021 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 11A (TA), 42A (TC) 5 В, 10 В. 15mohm @ 8a, 10v 2,5 -50 мк 34 NC @ 10 V ± 25 В 1799 PF @ 15 V - 1 yt (tta)
IRFR3709ZTRPBF Infineon Technologies IRFR3709ZTRPBF 0,9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR3709 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 30 86A (TC) 4,5 В, 10. 6,5mohm @ 15a, 10 В 2,25 -пр. 250 мк 26 NC @ 4,5 ± 20 В. 2330 pf @ 15 v - 79 Вт (ТС)
FCP20N60 onsemi FCP20N60 5.5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi Superfet ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FCP20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 20А (TC) 10 В 190mohm @ 10a, 10v 5 w @ 250 мк 98 NC @ 10 V ± 30 v 3080 pf @ 25 v - 208W (TC)
IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R116M2HXTMA1 5.7902
RFQ
 ECAD 9817 0,00000000 Infineon Technologies * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR 1000
FQI32N12V2TU Fairchild Semiconductor FQI32N12V2TU 0,5100
RFQ
 ECAD 592 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 592 N-канал 120 32A (TC) 10 В 50mohm @ 16a, 10 В 4 В @ 250 мк 53 NC @ 10 V ± 30 v 1860 PF @ 25 V - 3,75 мкт (та), 150 yt (tc)
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5L120ATMA1 0,6886
RFQ
 ECAD 6955 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TSDSON-8-33 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 46A (TJ) 4,5 В, 10. 12mohm @ 20a, 10v 2,2- 27 мк 22,6 NC @ 10 V ± 20 В. 1589 PF @ 50 V - 62W (TC)
IRLR8721PBF Infineon Technologies IRLR8721PBF -
RFQ
 ECAD 8037 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 65A (TC) 4,5 В, 10. 8,4mohm @ 25a, 10 В 2,35 В @ 25 мк 13 NC @ 4,5 ± 20 В. 1030 pf @ 15 v - 65W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть