SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
DMN63D1LV-13 Diodes Incorporated DMN63D1LV-13 0,1295
RFQ
 ECAD 6080 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 DMN63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 940 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 2 n-канал (Дзонано) 60 550 май (таблица) 2OM @ 500 мА, 10 В 2,5 h @ 1ma 0,392NC пр. 4,5 В. 30pf @ 25V -
2SK4098LS-YOC11 onsemi 2SK4098LS-YOC11 0,3900
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен 2SK4098 - СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 -
IRF3205STRR Infineon Technologies IRF3205strr -
RFQ
 ECAD 9591 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 110A (TC) 10 В 8mohm @ 62a, 10v 4 В @ 250 мк 146 NC @ 10 V ± 20 В. 3247 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
NE3511S02-T1C-A Renesas Electronics America Inc NE3511S02-T1C-A -
RFQ
 ECAD 4927 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Управо 4 4-SMD, Плоскилили 12 Гер HFET S02 СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.21.0075 2000 70 май 10 май - 13,5db 0,3 дБ 2 V.
SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ112ER-T1_GE3 3.8600
RFQ
 ECAD 3163 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, krыlo чaйky МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 8 x 8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 742-SQJQ112ER-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 296A (TC) 10 В 2,53mohm @ 20a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 272 NC @ 10 V ± 20 В. 15945 PF @ 25 V - 600 м (TC)
IPB65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R050CFD7AATMA1 12.9500
RFQ
 ECAD 4433 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB65R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 45A (TC) 10 В 50mohm @ 24.8a, 10 ЕС 4,5 -пр. 1,24 мая 102 NC @ 10 V ± 30 v 4975 PF @ 400 В - 227W (TC)
NTD24N06T4G onsemi NTD24N06T4G -
RFQ
 ECAD 3834 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 24а (тат) 10 В 42mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 48 NC @ 10 V ± 20 В. 1200 pf @ 25 v - 1,36 м.
NDT02N40T1G onsemi NDT02N40T1G -
RFQ
 ECAD 5374 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 261-4, 261AA NDT02 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 (DO 261) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 400 400 май (TC) 10 В 5,5 ОМ @ 220MA, 10 2 В @ 250 мк 5,5 NC @ 10 V ± 20 В. 121 PF @ 25 V - 2W (TC)
AON7508 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7508 0,8000
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn AON75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN-EP (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 26a (ta), 32a (TC) 4,5 В, 10. 3mohm @ 20a, 10v 2,2 pri 250 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1835 PF @ 15 V - 3,1 yt (ta), 62,5 yt (tc)
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor SH8M5TB1 18500
RFQ
 ECAD 163 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SH8M5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 6А, 7а 30mohm @ 6a, 10 В 2,5 h @ 1ma 7.2NC @ 5V 520pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
LET20030C STMicroelectronics Let20030c 80.6000
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Stmicroelectronics - Коробка Управо 80 M243 Let20030 2 гер LDMOS M243 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 9 часов 400 май 45 Вт 13,9db - 28
RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor RQ7G080BGTCR 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. RQ7G080 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSMT8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 8a (TA) 4,5 В, 10. 16,5mohm @ 8a, 10v 2,5 h @ 1ma 10,6 NC @ 10 V ± 20 В. 530 pf @ 20 v - 1,1 yt (tat)
RFG40N10 Harris Corporation RFG40N10 14000
RFQ
 ECAD 752 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RFG40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 150 N-канал 100 40a (TC) 10 В 40mohm @ 40a, 10 В 4 В @ 250 мк 300 NC @ 20 V ± 20 В. - 160 Вт (TC)
ZXM64P02XTC Diodes Incorporated Zxm64p02xtc -
RFQ
 ECAD 4230 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-марсоп СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 П-канал 20 3.5a (TA) 2,7 В, 4,5 В. 90mohm @ 2,4a, 4,5 700 мв 250 мка (мин) 6,9 NC @ 4,5 ± 12 В. 900 pf @ 15 v - 1,1 yt (tat)
IXFN90N85X IXYS Ixfn90n85x 55 2900
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixfn90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 850 90A (TC) 10 В 41MOM @ 500MA, 10 В 5,5 В 8 мА 340 NC @ 10 V ± 30 v 13300 pf @ 25 v - 1200 м (TC)
NTD2955-1G onsemi NTD2955-1G -
RFQ
 ECAD 1422 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА NTD2955 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 П-канал 60 12a (TA) 10 В 180mohm @ 6a, 10v 4 В @ 250 мк 30 NC @ 10 V ± 20 В. 750 pf @ 25 v - 55W (TJ)
BUK966R5-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK966R5-60E, 118 2.2900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB BUK966 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 75A (TC) 5в 5,9mohm @ 25a, 10 В 2.1V @ 1MA 48 NC @ 5 V ± 10 В. 6900 pf @ 25 v - 182W (TC)
IXFH9N80Q IXYS Ixfh9n80q -
RFQ
 ECAD 1879 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixfh9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 800 В 9А (TC) 10 В 1,1 ом @ 500 май, 10 5 w @ 2,5 мая 56 NC @ 10 V ± 20 В. 2200 pf @ 25 v - 180 Вт (ТС)
2SK3617-TL-E onsemi 2SK3617-TL-E 0,3700
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 700
STL320N4LF8 STMicroelectronics STL320N4LF8 2.7600
RFQ
 ECAD 7790 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 8-Powerdfn STL320 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (5x6) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 497-stl320n4lf8tr Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 - - - - - - -
SI3441BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3441BDV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4470 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3441 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 2.45a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 90mohm @ 3,3а, 4,5 850 мВ @ 250 мк 8 NC @ 4,5 ± 8 v - 860 м. (TA)
IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R400CEAUMA1 1.4600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ CE Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD60R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-2 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 14.7a (TC) 10 В 400mhom @ 3,8a, 10 В 3,5 В 300 мк 32 NC @ 10 V ± 20 В. 700 pf @ 100 v - 112W (TC)
IRFR020TR Vishay Siliconix IRFR020TR -
RFQ
 ECAD 2637 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 14a (TC) 10 В 100mohm @ 8.4a, 10 В 4 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 640 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 42 st (tc)
BLC9G24LS-170AVY Ampleon USA Inc. BLC9G24LS-170avy -
RFQ
 ECAD 6135 0,00000000 Ampleon USA Inc. * Lenta и катахка (tr) Управо DFM6 - 3 (168 чASOW) DOSTISH 934068891518 Ear99 8541.29.0075 100
MRF1518NT1 NXP USA Inc. MRF1518NT1 -
RFQ
 ECAD 2563 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 40 Пефер PLD-1.5 MRF15 520 мг LDMOS PLD-1.5 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 4 а 150 май 8 Вт 13 дБ - 12,5 В.
IRFS4410 Infineon Technologies IRFS4410 -
RFQ
 ECAD 5454 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 96A (TC) 10 В 10mohm @ 58a, 10 В 4 w @ 150 мк 180 NC @ 10 V ± 20 В. 5150 pf @ 50 v - 250 yt (TC)
DMT12H007SPS-13 Diodes Incorporated DMT12H007SPS-13 0,5845
RFQ
 ECAD 1744 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn DMT12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerDI5060-8 СКАХАТА DOSTISH 31-DMT12H007SPS-13TR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 120 80a (TC) 6 В, 10 В. 8,9mohm @ 30a, 10 В 4 В @ 250 мк 44 NC @ 10 V ± 20 В. 3142 PF @ 60 V - 2,9 Вт
FDMS86150ET100 onsemi FDMS86150ET100 6 9400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn FDMS86150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 16a (ta), 128a (TC) 6 В, 10 В. 4,85mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 62 NC @ 10 V ± 20 В. 4065 pf @ 50 v - 3,3 yt (ta), 187w (tc)
NTMS3P03R2 onsemi NTMS3P03R2 -
RFQ
 ECAD 1714 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Ntms3p МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 П-канал 30 2.34a (TA) 4,5 В, 10. 85MOM @ 3,05A, 10 В 2,5 -50 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 750 PF @ 24 - 730 мг (таблица)
BLA6H0912-500,112 Ampleon USA Inc. BLA6H0912-500,112 639,9000
RFQ
 ECAD 8935 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Актифен 100 ШASCI SOT634A Bla6 960 мг ~ 1,22 гг. LDMOS SOT634A СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 54а 100 май 450 Вт 17 ДБ - 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть